【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路生产制造，尤其涉及一种大数据wafer缺陷确定方法、装置、设备及存储介质。
技术介绍
1、晶片阶段缺陷检测对于集成电路工业而言十分重要，晶片阶段缺陷关系到产品良率与制造成本。
2、目前的大部分wafer缺陷检测过程，重点都聚焦在缺陷的检出，即检出更多的缺陷和检出更小的缺陷。
3、目前的wafer检测中的缺陷检测中大部分集中在提高检出率和检出精度上，忽略了从现有的检测结果中做进一步的深度挖掘，无法确认缺陷来源，检测精度较差。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种大数据wafer缺陷确定方法、装置、设备及存储介质，旨在解决现有技术中wafer缺陷检测偏向检出更多缺陷，无法确认缺陷来源，检测精度较差的技术问题。
2、第一方面，本专利技术提供一种大数据wafer缺陷确定方法，所述大数据wafer缺陷确定方法包括以下步骤：
3、对待检测晶圆wafer进行缺陷检测，在检测到待检测wafer有缺陷时，获得缺陷属性；>
4、根据所述本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种大数据Wafer缺陷确定方法，其特征在于，所述大数据Wafer缺陷确定方法包括：
2.如权利要求1所述的大数据Wafer缺陷确定方法，其特征在于，所述对待检测晶圆Wafer进行缺陷检测，在检测到待检测Wafer有缺陷时，获得缺陷属性，包括：
3.如权利要求1所述的大数据Wafer缺陷确定方法，其特征在于，所述对待检测晶圆Wafer进行缺陷检测，在检测到待检测Wafer有缺陷时，获得缺陷属性之前，所述大数据Wafer缺陷确定方法还包括：
4.如权利要求1所述的大数据Wafer缺陷确定方法，其特征在于，所述根据所述缺陷属性对所述...
【技术特征摘要】
1.一种大数据wafer缺陷确定方法，其特征在于，所述大数据wafer缺陷确定方法包括：
2.如权利要求1所述的大数据wafer缺陷确定方法，其特征在于，所述对待检测晶圆wafer进行缺陷检测，在检测到待检测wafer有缺陷时，获得缺陷属性，包括：
3.如权利要求1所述的大数据wafer缺陷确定方法，其特征在于，所述对待检测晶圆wafer进行缺陷检测，在检测到待检测wafer有缺陷时，获得缺陷属性之前，所述大数据wafer缺陷确定方法还包括：
4.如权利要求1所述的大数据wafer缺陷确定方法，其特征在于，所述根据所述缺陷属性对所述待检测wafer进行缺陷分析，获得分析结果，包括：
5.如权利要求1所述的大数据wafer缺陷确定方法，其特征在于，所述判断所述分析结果是否具有die级规律和mask级规律，根据判断结果确定缺陷类型，包括：
6.如权利要求5所述的大数据wafer缺陷确定方法，其特征在于，所述判...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓龙，杨义禄，张国栋，李波，
申请(专利权)人：武汉中导光电设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。