上海理工大学专利技术

上海理工大学共有11554项专利

  • 本发明涉及一种双径向磁场反应式直线旋转步进电机,步进电机定子两段磁极产生的是轴向和径向两个空间相交的磁场,而转子磁路是两个空间径向磁通通路,使得转子结构大幅度简化,并且可以使用叠片结构,增加了转子磁导率,降低了磁路磁阻和电机体积。实现了...
  • 一种充电机电池极性接反保护电路,在变压器T的输出端接一套单相桥式整流器,桥式整流器的直流输出端串联一保险丝,还并联一个二极管V↓[5];V↓[5]是大功率二极管,若充电机的额定电流较小时,二极管的最大整流电流应大于等于20A,若充电机的...
  • 一种室温下准正弦功率脉冲驱动的变流器均流均压试验法,其特征在于,方法步骤为: (1) 把被元件放到可控稳的烘箱内,通过被测回路中的传感器测得在实际使用的范围内测试元件特性参数并由计算机记录; (2) 根据计算机记录的参数...
  • 一种固定预埋管用的预埋管固定弹簧扣,将一根钢丝的两端分别弯折出两个圆形钩,以钩住钢筋支架;在钢丝的中部折出两个大小不同的折线凹槽,对预埋管作径向固定,以实现不需要任何工具就可快速地固定或拆卸预埋管,便于单手操作,有利于提高工作效率和施工...
  • 一种固定预埋管的弹簧扣,它是在一根钢丝上弯折出若干个大小不同、开口方向一致的折线凹槽及两端的圆形钩而形成。能将预埋管快速地固定在钢筋支架上,也可方便地拆卸或调整预埋管。
  • 本发明公开了一种半导体激光器注入电流调频无机械飞点扫描干涉系统,特点是,它包括:注入式半导体激光器、聚焦镜、消色差物镜、编码光栅、柱面反射镜、分光棱镜、光电位置检测器、分析电路、微处理器、高速CCD器件和分光棱镜构成的迈克尔逊干涉仪、其...
  • 一种带有新型钳凹的压接钳,这种新型钳凹内含有两层钳口,它由小钳槽(6)、小钳口(7)、小限位槽(8)、大钳口(9)和大限位槽(10)组成,能钳压两种不同规格(指不同大小)的压线帽。
  • 一种压线钳,它由钳头、钳凸、钳槽1、钳口1、钳槽2、钳口2组成,使在原有压线钳的一个钳槽内形成两个大小不同的钳槽,达到压接两种不同规格(指不同大小)的压线帽。
  • 一种电源插板的内部电路,包括常开开关和第一插孔,其特征在于:所述常开开关包括第一电路开关和第二电路开关;所述电源插板的内部电路还包括电源电路、电流检测电路、继电器、三极管、第一电解电容及第一电阻。当使用者在按下按钮开关并及时使用第一插孔...
  • 一种具有紫外响应的硅基成像器件,其特征在于:在硅基成像器件光敏元基片的一面镀一层可将紫外辐射转换为可见光的Alq↓[3]材料的变频薄膜,与硅基成像器件光敏元基片致密结合。所述的变频薄膜,Alq↓[3]材料是经过预烘烤后的有机金属配价物A...
  • 本实用新型涉及一种大功率LED(light emittingdiode,发光二极管)散热的回路热管装置,包括大功率LED、蒸发器、循环管、冷凝器、储液器,蒸发器为平板状,蒸发器的壁面直接与大功率LED焊接,吸收掉大功率LED灯热量的蒸发...
  • 一种探测器表面响应特性测试仪及其测试方法,该测试仪包括光学聚焦系统、XY两轴位置控制平台、信号放大与采集系统、控制与显示系统。由计算机分别连接并控制I/O端口和A/D转换器,I/O端口分别连接并控制X、Y轴步进电机驱动电路和半导体激光器...
  • 碲镉汞薄膜材料表面氧化膜层的处理工艺,是将碲镉汞薄膜材料先用丙酮、无水乙醇、去离子水清洗后,经溴和无水乙醇溶液腐蚀,再用乳酸和乙二醇溶液进行表面处理,可获得氧化物极少甚至无氧化物的碲镉汞表面。可大大提高碲镉汞光伏探测器阵列的光电性能、成...
  • 一种太阳能发热衣服,它由光电池、充电器、蓄电池、控制器和发热软膜用导线依次连接组成。当光电池受到光照时即产生电流,电流流经发热软膜产生热量,能制成自身发热的衣服。
  • 一种探测器表面响应特性测试仪,该测试仪包括光学聚焦系统、XY两轴位置控制平台、信号放大与采集系统、控制与显示系统。由计算机分别连接并控制I/O端口和A/D转换器,I/O端口分别连接并控制X、Y轴步进电机驱动电路和半导体激光器,X、Y轴步...
  • LED芯片发出的光在出射芯片的时候,有相当一部分被芯片与外界的界面反射,因此导致LED芯片光的损失。本实用新型设计的一种高出光效率的LED芯片,其特点是:它在LED芯片表面加镀单层增透膜,镀膜材料选取TiO↓[2],单层增透膜TiO↓[...
  • 本发明公开一种表面等离子共振传感器及其制作方法,它涉及到传感器制作技术领域。首先以一种K9玻璃材料为衬底、在所述衬底上制备一单模条形光波导、在所述光波导上淀积一层厚度约为50nm的金属薄膜、在所述金属薄膜上制作一个微型样品池和一个微型参...
  • 本发明公开了一种采用相变方法实现绝缘体上应变硅的制作方法,它通过致密光滑的非晶硅沉积技术、低温键合技术、非晶硅到微晶硅的不可逆相变控制以及微晶硅的内氧化技术的巧妙组合,避免了现有SSOI材料制备中昂贵的锗硅外延和化学机械抛光工艺,而且完...
  • LED芯片发出的光在出射芯片的时候,有相当一部分被芯片与外界的界面反射,因此导致LED芯片光的损失。本发明提出一种用于提高LED芯片出光效率的薄膜及镀膜方法,薄膜沉积在LED芯片表面上,膜系为单层增透膜,材料选取TiO↓[2],厚度是出...
  • 本发明涉及一种大功率LED散热装置,特点是它包括大功率LED、蒸发器、循环管、冷凝器、储液器,蒸发器为平板状,蒸发器的壁面直接与大功率LED焊接,蒸发器、冷凝器和储液器通过循环管依次连接。穿过储液器伸入到平板式蒸发器内部的回流管段部分在...