本发明涉及一种快速制备钨酸钙介晶的方法，采用微乳液为媒介，在极短的反应时间内得到产物。首先将等量的、相同浓度的钙盐水溶液和钨酸钠水溶液分别按一定比例与正辛烷、正丁醇、十六烷基三甲基溴化铵（ＣＴＡＢ）配制成透明的微乳液，然后将两种微乳液在...

一种利用纳米硅丝做模板合成单晶β－Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］纳米线的方法，属于纳米材料技术领域。本发明采用硅片作为反应衬底和硅源，以贵金属金为催化剂、以惰性气体氮气为保护气体及反应气体进行化学反应，生成的纳米硅丝及其氧化物作为模板与氮气发生...

本发明涉及一种无机纳米粒子连续合成用超临界水热反应装置，由原料液输送系统、高温高压反应器、闪蒸室及干粉产品收集器构成，原料液输送系统由若干个高压泵并列连接构成，高温高压反应器外壳有加热套，高温高压反应器与闪蒸室相连的管路上装有耐高温高压...

本发明涉及一种氧气氛控制钇钡铜氧超导厚膜面内取向生长的制备方法，利用液相外延生长装置，在纯氧气氛中制备ＹＢＣＯ厚膜。按Ｂａ／Ｃｕ原子比为０．５－０．７的比例配置Ｂａ－Ｃｕ－Ｏ粉末，经研磨煅烧后放在Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］坩埚内加热熔化，得到...

本发明涉及一种ＰＡＭＡＭ树形分子修饰的金纳米棒复合载体的制备方法，属于纳米复合材料领域。本发明先在包覆剂的存在下，通过化学还原法把金离子还原成金纳米种子，再将种子加入到金离子的生长溶液中制备金纳米棒，生长溶液中含金离子、弱的还原剂和表面...

本发明涉及一种具有过热性质种膜作籽晶液相外延生长超导厚膜材料的制备方法，采用具有过热性质的种膜材料，根据所要生长的ＲＥＢＣＯ厚膜的条件，用ＢａＣＯ＃－［３］＋ＣｕＯ组分进行配料，Ｂａ／Ｃｕ比为０．５，然后研磨、煅烧，最后加入到ＲＥ＃－［...

一种六钛酸钾晶须的制备方法属于材料领域。本发明以钛化合物与钾化合物为原料，原料为含有钛的晶态化合物，该钛的晶态化合物为锐钛矿型水解二氧化钛或锐钛矿型偏钛酸，通过喷雾干燥或旋转闪蒸干燥过程制备出球状反应前驱体，该球状反应前驱体是由钛的晶态...

一种大量制备β－ＳｉＣ纳米晶须的方法，其特征在于，以二氧化硅粉和硅粉为主要原料，配料后，经高频感应加热发生硅热还原反应生成ＳｉＯ，然后以碳纤维作为碳源，直接生成大量β－ＳｉＣ纳米晶须。

一种输出２μｍ波段的掺铥铝酸钇激光晶体及其制备工艺，属于光电子材料领域。本发明晶体的分子式为Ｔｍ：ＹＡｌＯ↓［３］，Ｔｍ↑［３＋］为掺杂离子，其掺杂浓度在４－１２ａｔ％，余量为基质ＹＡＰ，即Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］和Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］的...

一种掺铥铝酸钇激光晶体的生长方法，用于光电子材料领域。方法如下：采用铱坩埚为发热体，原料经焙烧后按比例进行称量；原料经称配，研混均匀后，压紧成块并高温烧结，烧结好的原料置于铱坩埚中，装炉；单晶炉抽高真空，用氧化锆作保温罩及保温材料，惰性...

一种硼酸铝晶须表面氮化物保护层的制造方法，用于复合材料领域。利用硼酸铝晶须自身所具有的硼元素，经氮化处理在晶须表面原位自生成氮化保护层，或在硼酸铝晶须表面包覆氮化活性氧化物，氧化物经氮化处理后形成惰性的氮化物，作为晶须保护层，或使用可进...

一种无机晶须表面包覆ＳｉＯ↓［２］的制备方法，用于材料制备领域。本发明首先将无机晶须在前驱体溶液中进行分散处理，然后采用均匀沉淀法进行表面无机包覆，保温陈化后，进行过滤、洗涤、干燥得到表面包覆致密ＳｉＯ↓［２］膜的无机晶须，所用前驱体为...

一种稀土钡铜氧ＲＥＢＣＯ薄膜作籽晶同质外延生长超导块体材料的方法，通过冷籽晶法生长高温超导ＲＥＢＣＯ，采用沉积在单晶基板上的ＲＥＢＣＯ薄膜作种膜，该种膜材料在单晶氧化镁基板上过热度可达到５０Ｋ以上。按照ＲＥＢＣＯ和适量ＲＥ２１１来进行组...

一种属于光电子材料技术领域的铝酸钇晶体的生长方法，本发明在ＹＡＰ晶体生长后期，即晶体等径部分达到预定尺寸后，为避免晶体开裂，减慢提拉速度，缓慢升温使晶体直径逐渐变细，待晶体直径达到６－８ｍｍ时，然后恒温生长晶体一段时间，最后分六阶段缓慢...

本发明涉及一种单晶硅片表面磷酸基硅烷－稀土纳米薄膜的制备方法，首先将单晶硅片浸泡在王水中，经加热、自然冷却处理后取出，用去离子水反复冲洗后干燥，再浸入配制好的氨基硅烷溶液中，在基片表面组装氨基硅烷薄膜，然后再置入含有三氯氧化磷和２，３，...

本发明涉及一种水溶性四氧化三铁纳米晶体的控温控压微波合成方法，首先以水为溶剂，以亚铁盐和铁盐作为原料，以水溶性多元醇作为稳定剂，调节溶液ｐＨ值制得碱性反应前体溶液，然后将此前体溶液置于密闭的聚四氟乙烯罐中，在可控温和可控压的微波反应器中...

本发明涉及一种树枝状钼酸钡纳米晶体的制备方法，采用微乳液为媒介进行制备，首先分别将等量的、相同浓度的钡盐水溶液和钼酸钠水溶液，按一定比例与正辛烷、正丁醇、十六烷基三甲基溴化铵（ＣＴＡＢ）配制成透明的微乳液，然后将两种微乳液在一定温度范围...

本发明公开了一种单晶ＩｎＰ方形纳米孔阵列的制备方法，属于纳米技术领域。本发明利用两步化学刻蚀方法，包括电化学刻蚀过程和无电湿法刻蚀过程，首先为电化学刻蚀过程，包括ＩｎＰ单晶片样品的准备、电抛光和多孔阵列刻蚀，其后为无电湿法刻蚀过程，包括...

一种热蒸发法合成小直径单晶ＳｉＣ纳米丝有序阵列的方法，属于纳米材料技术领域。本发明采用硅片作为反应衬底和硅源，以固态碳材料为前驱体，以ＺｎＳ粉末为辅助剂，以惰性气体氩气为保护气体及载气，进行氧化还原反应，从而在硅片上成核并生长成大量小直...

本发明涉及一种ＴｉＯ↓［２］纳米孔阵列材料的制备方法及其应用。首先将钛片表面处理后用做阳极，在含氟０．１～１０ｗｔ％氢氟酸或氟化物的有机电解质溶液中，于１０～８０Ｖ电压条件进行阳极氧化２０～１００ｈ；去除金属钛表面层松散薄膜层后，得到孔...