【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种热蒸发法合成小直径单晶ＳｉＣ纳米丝有序阵列的方法，其特征在于，采用硅片作为反应衬底和硅源，以固态碳材料为前驱体，以ＺｎＳ粉末为辅助剂，以惰性气体氩气为保护气体及载气，进行氧化还原反应，从而在硅片上成核并生长成大量小直径单晶有序排列的ＳｉＣ纳米丝阵列。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：牛俊杰，王健农，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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