钛酸铋钠钾系非铅铁电压电单晶及其生长方法与设备，属于晶体生长技术领域。单晶分子通式为：（Ｎａ↓［（１－ｘ）］Ｋ↓［ｘ］）↓［０．５］Ｂｉ↓［０．５］ＴｉＯ↓［３］，其中ｘ＝０～１．０。按摩尔化学计量比，Ｎａ↓［２］ＣＯ↓［３］∶Ｋ↓［２...

本发明提供了一种磷酸镓晶体的助熔剂生长法。该法以碳酸锂－氧化钼作助熔剂，以氧化镓及磷酸二氢铵为原料，将磷酸二氢铵、氧化镓、碳酸锂、氧化钼按１∶１．２３∶１．１２∶６．５７的重量比称量，混合均匀后放入铂金坩埚中，在生长炉中加热熔融，再冷却...

一种莫来石晶须的制备方法，属于新材料技术领域。本发明的莫来石晶须是以工业纯铝溶胶和硅溶胶为原料，采用溶胶－凝胶工艺制备莫来石前驱体干凝胶，然后将干凝胶粉末与工业纯氟化铝混合，在密闭氧化铝陶瓷坩埚中高温煅烧制备而成，从而可获得成本低廉、性...

本发明公开了一种磷酸二氘钾晶体生长溶液的高温处理新工艺，该新工艺包括以下步骤：（１）．增大浓度，加热溶液至１０５℃以上沸腾，并使溶液达到饱和，不再析出结晶为止；（２）．搅拌，将上述溶液快速搅拌，在１０小时内冷却至室温；（３）．溶解，在继...

本发明提供了一种助熔剂生长磷酸铝晶体的方法，以碳酸锂和磷酸二氢铵作助熔剂，以氧化铝及磷酸二氢铵为原料，将各试剂称量混合均匀后放入育晶器中，在生长炉中加热熔融，恒温２４小时以上，冷却至溶液饱和点温度之上１０－２０℃；在高于溶液饱和点温度１...

本发明涉及一种铌酸锂晶体极化方法和专用设备，属于晶体材料后处理技术领域。将铌酸锂晶体Ｙ切，晶体样品置于两个铌酸锂极化晶片之间，极化晶片和晶体样品之间有铌酸锂晶体粉料，上下两个极化晶片各加一铂片构成极化电极，极化温度１２００±５℃，加电场...

本发明涉及一种硫族化合物的高压釜合成方法：①将原料及石墨坩埚放入烘箱进行烘干除水；②在手套箱内，准确称量各组分原料，装入事先准备好的石墨坩埚内，密封；③将装好料的石墨坩埚放入高温高压釜内，密封；④用扩散泵抽真空至２×１０↑［－３］Ｐａ后...

本发明公开了一种二维平面金微纳单晶盘的制备方法，由下述步骤组成：（１）配置模板，将非离子表面活性剂、包覆剂与氯金酸溶液混合，得到均匀的六角相溶致液晶；（２）将所述溶致液晶室温下静置反应；（３）收集所得产物，透射电镜观察所得产物呈现规则的...

一种拉曼晶体及其制备方法与应用，属于晶体生长与晶体器件技术领域。用提拉法制备具有白钨矿结构的晶体ＢａＷＯ↓［４］，ＳｒＷＯ↓［４］，ＣａＷＯ↓［４］，ＮａＹ（ＷＯ↓［４］）↓［２］或ＮａＹ（ＷＯ↓［４］）↓［２］。通过闪光灯或激光二极管...

掺杂钙钽镓石榴石晶体的制备方法和用途，光电子材料技术领域。掺杂钙钽镓石榴石晶体具有如下用途：１）可用作普通的固体激光工作物质；２）用于可调谐激光器或超快激光器；３）用于自调Ｑ固体激光器，Ｃｏ↑［２＋］、Ｎｄ↑［３＋］共掺自调Ｑ１．３μｍ...

掺杂钙锂钽镓石榴石晶体的制备方法和用途，光电子材料技术领域。掺杂钙锂钽镓石榴石晶体具有如下用途：１）可用作普通的固体激光工作物质；２）用于可调谐激光器或超快激光器；３）用于自调Ｑ固体激光器，Ｃｏ↑［２＋］、Ｎｄ↑［３＋］共掺自调Ｑ１．３...

本发明涉及一种成分均匀的球状掺杂铌酸锂多晶原料的合成方法，属于无机材料制备领域。该法将铌源原料在含羧酸基的有机溶剂均匀混合，形成含铌配合物，通过热重分析的方法计算出铌的准确量，再加入的Ｌｉ↑［＋］，ＭｇＯ、ＺｎＯ或ＨｆＯ↓［２］，磁力搅...

本发明提供了一种晶体生长籽晶固定装置，该晶体生长籽晶固定装置包括籽晶板、吊杆、连接架和籽晶杆，连接架安装在籽晶杆的下端，吊杆至少有一根，其上端与连接架连接，籽晶板连接在各吊杆的下端。吊杆上安装有搅拌桨。本发明结构简单、合理，改变了现有晶...

一种钛酸钾晶须的制备方法，属于新材料技术领域。本发明的钛酸钾晶须是以工业纯钾化合物、钛化合物固体粉末为原料，并采用氟化物作为晶须生长促进剂，经过在密闭陶瓷坩埚中高温固相反应制备而成，获得成本低廉、性能优良的钛酸钾晶须。本发明工艺简单，易...

本发明提供了一种集成式可编程晶体生长控制系统，包括温度传感器、微处理器、加热器、籽晶杆转动步进电机、晶体提拉步进电机和称重传感器；温度传感器通过其前置放大器、称重传感器通过称重传感器放大器分别与双路信号切换开关连接，双路信号切换开关、Ａ...

一种钛酸钠晶须的制备方法，属于材料技术领域。本发明的钛酸钠晶须是以工业纯钠化合物、钛化合物固体粉末为原料，并采用氟化物作为晶须生长促进剂，经过在密闭陶瓷坩埚中高温固相反应制备而成，获得成本低廉、性能优良的钛酸钠晶须。本发明工艺简单，易于...

本发明公开了一种利用固相反应在低温制备氮化硅纳米材料的方法，是将硅粉、粉末状氨基硫脲、叠氮化钠和碘按摩尔比０．３８６－０．９２６∶０．４７６－０．９５３∶１∶０．１７１－０．２５６混合均匀，密封在高压釜中，于６０±５℃反应１２±０．５小...

本发明涉及一种氧化铟单晶外延薄膜的制备方法，采用有机金属化学气相淀积工艺，以三甲基铟作为有机金属源，用氮气作为载气，用氧气作为氧化气体，用有机金属化学气相淀积设备在真空条件下在蓝宝石衬底上外延生长氧化铟单晶薄膜。该薄膜是具有单晶结构的外...

本发明公开了一种合成ＹＡＧ单晶纳米粉末的方法，是由常规的无机盐为原料经过共沉淀得到固体前驱体材料，以超临界水和亚临界水作为反应媒介，在８～３０ＭＰａ、３００－４２０℃的温度范围内合成出了ＹＡＧ单晶纳米粉末材料。本发明方法合成的ＹＡＧ纳米...

本发明提供了一种多元化合物红外晶体生长装置，包括炉体，炉体内的炉膛由上至下包括上部高温区、中部梯度区和下部低温区三种温区，上部高温区和下部低温区设置有独立控温的加热器，上部高温区和下部低温区均安放有控温热电偶，中部梯度区为带通气孔的隔热...