本实用新型提供了一种晶体生长籽晶固定装置，该晶体生长籽晶固定装置包括籽晶板、吊杆、连接架和籽晶杆，连接架安装在籽晶杆的下端，吊杆至少有一根，其上端与连接架连接，籽晶板连接在各吊杆的下端。吊杆上安装有搅拌桨。本实用新型结构简单、合理，改变...

助熔剂法生长ＫＴＰ晶体的一种工艺和装置，属盐熔液冷却法生长晶体的技术领域．以ＫＰＯ－［３］和Ｋ－［４］Ｐ－［２］Ｏ－［７］为助熔剂，将一定配比的原料放入铂坩埚中，电炉丝加热．ＴｉＯ－［２］＋ＫＰＯ－［３］∴ＫＴｉＯＰＯ－［４］（ＫＴＰ）...

双掺单畴热释电晶体ＡＴＧＳＡ－［ｓ］的水溶液生长，属于溶液降温生长晶体的技术领域．将甘氨酸，硫酸，Ｌ—丙氨酸和砷酸按比例溶于一定体积的蒸馏水中，装入生长瓶．在单畴性好的ＡＴＧＳＡ－［ｓ］或ＡＴＧＳ上切取片状晶种，用夹具固定，沿（０１０）...

复合功能晶体ＮＹＡＢ的助熔剂生长，属于盐熔液冷却法晶体生长技术领域．本发明以Ｋ－［２］ＣＯ－［３］和Ｍ－［０］Ｏ－［３］为助熔剂，将合成原料按化学计量比投入坩埚中，用籽晶旋转法在高温熔液晶体生长炉中进行ＮＹＡＢ晶体生长．反应式为：ＸＮｄ...

钽酸锂（ＬＴ）晶体极化方法和装置，属于晶体后处理技术领域，在６１０—６３０℃极化温度下，用铝作电极，可同时极化多块ＬＴ晶体，单畴完全，工艺简单，极化成本低于原有工艺的十分之一，适用于批量工业生产。本发明的极化方法和装置亦适用于极化温度在...

晶体的单面定向生长方法和装置，属于晶体生长技术领域，本发明采用高质量定向切片晶体作籽晶，固定在特制夹具内，夹具又以θ角固定在籽晶旋杆上，选适当的转速，其它参数及装置按已知晶体生长技术。本发明为高速度生长高质量晶体打下了良好的基础，由于本...

一种彩色水晶的生长方法，属于人工晶体水热法生长领域。采用熔炼级石英为原料，用Ｋ－［２］ＣＯ－［３］作熔剂，另掺杂少量Ｋ－［２］Ｃｒ－［２］Ｏ－［７］或Ｆｅ－［２］（ＳＯ－［４］）－［３］.ＸＨ－［２］Ｏ或２ＣｏＣＯ－［３］.３Ｃｏ（ＯＨ...

本发明为ＫＩＯ↓［３］晶体的去孪去畴方法，属于晶体的后处理技术领域。ＫＩＯ↓［３］晶体为非线性光学材料，可制作效应较高的光学器件，因其电畴和孪晶较复杂，目前尚无去孪去畴的方法，从而限制了该晶体的应用，本发明方法可使ＫＩＯ↓［３］晶体去孪...

一种复合功能晶体掺镥四硼酸铝钇钕生长工艺，属于盐溶液冷却法生长晶体的技术领域、用Ｋ－［２］Ｍｏ－［３］Ｏ－［１０］作助熔剂Ｎｄ－［２］Ｏ－［３］，Ｙ－［２］Ｏ－［３］，Ａｌ－［２］Ｏ－［３］，Ｂ－［２］Ｏ－［３］为原料，另加一种Ｌｕ－［...

一种钨青铜光折变晶体及其制备工艺，属于非线性光学晶体材料及其制备技术领域，该发明晶体为Ａ位非填满型ＫＮＳＢＮ，掺杂剂为ＣｕＯ，作为光折变材料能广泛应用于激光器件，光通讯，光信息处理，图像复原，光计算，智能计算机和光学神经网络等领域。其制...

一种掺杂铌酸锂晶体极化方法和装置，属于晶体材料后处理技术领域。本发明包括，１２３０±５℃极化温度条件，对晶体端面、陶瓷板、Ｐｔ片电极进行整平处理，并在一可移动加热炉与带有样品支架的基座扣合而成的极化装置中进行极化。所用陶瓷板是按Ｌｉ↓［...

四方相掺杂钽铌酸钾晶体及其生长工艺，属于溶盐提拉法生长工艺技术领域。分子组成为Ｍ：ＫＴａ↓［１－ｘ］ＮｂｘＯ↓［３］，Ｘ＝０．４０－０．５２，Ｍ是Ｆｅ，Ｃｕ，Ｎｉ，ＣＯ，Ｃｒ等之一，原料为Ｔａ↓［２］Ｏ↓［５］，Ｎｂ↓［２］Ｏ↓［５］和...

本发明涉及一种ＫＤＰ型晶体生长原料的电化学提纯方法及设备，属晶体生长原料的提纯方法及设备领域，通过在需要提纯的晶体溶液里选择合适的金属材料作正负电极，并在电极上加一定的直流电压，经恒温密封搅拌后可分离出晶体生长原料中的有害金属，从而达到...

本发明属于溶液降温法晶体生长技术领域。以１－３％的氯化钾（钠）水溶液为作溶剂，在起始温度３０－４０℃硫氰酸汞盐过饱合溶液进行旋转籽晶降温生长，籽晶转速１５－３０ｒｐｍ，降温速度０．１－０．３℃／天。生长周期１－２月可得到高光学质量的硫氰...

本发明涉及自倍频激光非线性光学晶体材料掺稀土四硼酸铝钆及其熔盐法生长工艺。本发明晶体分子组成为Ｒｅ↓［ｘ］Ｇｄ↓［１－ｘ］Ａｌ↓［３］（ＢＯ↓［３］）↓［４］，０≤ｘ≤０．１８，Ｒｅ为稀土元素或过渡金属，该晶体具有很强的非线性光学性质及...

本发明涉及一种球形无团聚钇铝石榴石（ＹＡＧ）纳米微粉的制备方法，属于纳米材料技术领域。它解决了现有技术存在的工艺复杂、合成温度高、颗粒团聚严重且形状不规则以及成本高等问题。本发明的主要内容是利用廉价的含铝和钇原料先制备成铝和钇的水合物，...

大截面磷酸二氢钾类单晶体的生长方法，原料为固体ＫＤＰ类晶体的粉状原料，生长溶液是以水或重水为溶剂配置的溶液，籽晶采用与生长晶体相同的透明Ｚ切晶片，其特征在于，具体步骤如下：　　　　（１）按所需生长晶体重量的１～１．５倍将固体ＫＤＰ类晶体...

一种生长具有半导体特性的大直径６Ｈ－ＳｉＣ单晶的装置，包括生长室及其侧壁的水冷装置、石墨坩埚、保温材料和感应加热系统，其特征在于坩埚和保温材料放置在生长室内，生长室可达到１×１０↑［－６］ｍｂａｒ以上的真空度，由位于其外侧的感应线圈提供...

本发明提供了一种具有阻尼的晶体旋转提拉装置，由法兰盘，柔性圆盘、锥面转盘、摩擦锥、籽晶杆、支撑外壳和电机组成，法兰盘与电机轴连接在一起，法兰盘的下端面与锥面转盘的上端面之间各固定有一个柔性圆盘，两圆盘之间保持一定压力；摩擦锥设在锥面转盘...

本发明属于晶体材料技术领域。本发明的主要内容是在陶瓷坩埚内部放置一个支撑圆盘，圆盘上垂直放置一个耐火圆筒，圆筒的上端固定一个水平放置的贵金属环，带有边沿的贵金属圆筒垂直悬挂在圆环的内沿上，贵金属坩埚随支撑轴作旋转和上下运动，加热线圈可以...