三星SDI株式会社专利技术

三星SDI株式会社共有8396项专利

  • 本发明公开了一种有机发光显示装置,包括:衬底;位于该衬底上的薄膜晶体管;位于该薄膜晶体管上的钝化层;位于该钝化层上并电连接到该薄膜晶体管的有机发光二极管;介于该衬底和该有机发光二极管之间的光传感器;以及位于该钝化层上的挡光层。
  • 本发明公开了一种用于平板显示器的供体基底,该基底包括:基膜;光-热转化层,位于基膜上;第一缓冲层,位于光-热转化层上,第一缓冲层包含发射主体材料;转印层,位于第一缓冲层上;第二缓冲层,位于转印层上,第二缓冲层包含与第一缓冲层的发射主体材...
  • 提供一种高效的光致发光杂核铜(I)-铱(III)络合物和采用该络合物的有 机电致发光器件。该光致发光杂核铜(I)-铱(III)络合物可用于形成有机电致 发光器件的有机层,可作为高效率的光致发光材料发射590-630nm的光, 且提供高亮...
  • 提供一种有机发光器件,其具有这样的结构,其中有害材料向内部功能层中的渗透被屏蔽以防止有机发光器件性能降低,和提供包括该有机发光器件的有机电子器件。该有机发光器件包括绝缘基底;发光单元,其堆叠在绝缘基底上,且包括注入空穴的第一电极层、注入...
  • 本发明提供了式1表示的二芳基乙烯衍生物的有机发光化合物、和使用该有机发光化合物的有机电致发光(EL)器件、和制造该有机EL器件的方法。式中,R↓[1]、Ar↓[1]、Ar↓[2]、Ar↓[3]、Ar↓[4]、Ar↓[5]、Ar↓[6]、...
  • 本发明公开了一种有机发光器件和包括所述有机发光器件的平板显示器,所述有机发光器件包括:基板;第一电极;第二电极;位于所述第一电极和所述第二电极之间并在所述有机发光器件的工作过程中在所述第一电极和第二电极之间产生谐振的有机层;其中所述第一...
  • 本发明提供了一种有机发光显示器,在该有机发光显示器中,简化了形成存储电容器的工艺,防止了TFT的性能和可靠性的劣化。有机发光显示器包括:基底;薄膜晶体管,形成在基底的一部分上,该薄膜晶体管具有有源层、栅电极以及置于有源层和栅电极之间的栅...
  • 提供下式1表示的二亚甲基环己烷化合物,其制备方法以及包含该二亚甲基环己烷化合物的有机发光器件。包含式1表示的该二亚甲基环己烷化合物的该有机发光器件具有低的驱动电压、优异的效率和改善的色纯度。
  • 本发明提供一种半导体器件的利用碳纳米管的层间布线结构以及制造该层间布线结构的方法。该层间布线结构包括从催化剂层表面生长的多个碳纳米管和碳纳米管束,其中由于上部中碳纳米管的聚集,该碳纳米管束的上部比该碳纳米管束的下部具有更高的碳纳米管密度...
  • 一种制造p型薄膜晶体管(TFT)的方法,包括:在衬底上执行第一退火处理以通过覆盖层把金属催化剂扩散到无定形硅层的表面内,以及由于所扩散的金属催化剂而使无定形硅层结晶成多晶硅层;除去覆盖层;形成多晶硅层的图案以形成半导体层;在衬底上形成栅...
  • 本发明公开了一种低分子量全色有机电致发光设备和一种制造低分子量全色有机电致发光设备的方法,通过提供低分子量全色有机电致发光设备的供体膜,能够放大和批量生产具有高分辨率的有机电致发光设备,所述供体膜包括:基材膜;在基材膜的上部形成的光热转...
  • 一种显示设备包括:基板,所述基板其上设置有一晶体管并包括连接到晶体管的源/漏极,设置在晶体管上的中间层,源/漏极穿透中间层,一个设置在中间层上的发光结构,发光结构通过第一电极连接到源/漏极的延伸部分,延伸部分在中间层的上表面上延伸,一个...
  • 本发明公开了一种能够用无机密封材料气密性地密封沉积基底和包封基底之间的空间的有机发光显示装置。该有机发光显示装置的一个实施例包括:第一基底,包括形成在有机发光二极管阵列上以及形成在该阵列的外围的电源线,电源线通过电源压焊块线连接到压焊块...
  • 本发明提供一种导电聚合物组合物和包含利用该导电聚合物组合物形成的层的电子器件。该导电聚合物组合物包含:选自式(1)的硅氧烷化合物,式(2)的硅氧烷化合物,及式(3)的硅烷化合物中的至少一种化合物;以及导电聚合物,式中R↓[1],R↓[2...
  • 提供一种式1的有机发光化合物以及使用该有机发光化合物的有机发光器件。在式中Ar、R↓[1]、R↓[2]、R↓[3]、R↓[4]和R↓[5]与说明书中详细描述的定义相同。使用该有机发光化合物制造的有机发光器件具有低的接通电压以及高的效率和...
  • 本发明公开了一种制造多晶硅薄膜晶体管的方法。该方法的一个实施例包括以下步骤:在面板上形成非晶硅层;对非晶硅层扫描连续波激光束以对非晶硅层进行预热,其中,连续波激光束具有处于红色可见光范围和近红外范围之间的大约600nm至大约900nm的...
  • 一种制造CMOS薄膜晶体管的方法,包括:提供衬底;在衬底上形成无定形硅层;在衬底上执行第一退火处理以及使无定形硅层结晶成多晶硅层;形成多晶硅层的图案以形成第一和第二半导体层;把第一杂质植入第一和第二半导体层;把第二杂质植入第一或第二半导...
  • 一种有机薄膜晶体管(TFT),包括:    栅极;    与栅极绝缘的源极和漏极;    与栅极绝缘并与源极和漏极电连接的有机半导体层;    使栅极与源极、漏极以及有机半导体层绝缘的绝缘层;以及    设置于绝缘层和有机半导体层之间的...
  • 提供式1所表示的基于硅烷基胺的化合物。还提供制备该化合物的方法和包括含有该基于硅烷基胺的化合物的有机层的有机发光器件。该基于硅烷基胺的化合物具有优异的电稳定性和电子传输能力。因此,该硅烷基胺化合物可以有效地用于形成有机发光器件中的空穴注...
  • 本发明公开了一种包括用于局部照射光的掩模的密封装置和利用该密封装置制造显示装置的方法。该密封装置用于通过将密封材料设置在第一基底和第二基底的边缘并且通过对密封材料照射光来结合第一基底和第二基底,该密封装置包括:掩模,设置在台的一侧上,在...