有机发光显示器以及制造方法技术

本发明专利技术提供了一种有机发光显示器，在该有机发光显示器中，简化了形成存储电容器的工艺，防止了ＴＦＴ的性能和可靠性的劣化。有机发光显示器包括：基底；薄膜晶体管，形成在基底的一部分上，该薄膜晶体管具有有源层、栅电极以及置于有源层和栅电极之间的栅极绝缘层；存储电容器，形成在基底的另一部分上。该存储电容器具有形成在与形成有源层的表面相同的表面上的第一电极、形成在与形成栅电极的表面相同的表面上的第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的栅极绝缘层。有源层和第一电极由本征多晶硅层制成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种有机发光显示器，更具体地讲，涉及一种具有存储电容器的有机发光显示器以及一种制造该有机发光显示器的方法。
技术介绍
与笨重且用高电压操作的阴极射线管(CRT)不同，诸如有机发光显示器和液晶显示器的显示装置厚度小且用低电压操作，这种显示装置正被广泛地用作下一代显示装置。具体地讲，有机发光显示器是自发射显示装置，在这种自发射显示装置中，通过阳极和阴极注入到有机材料中的电子和空穴复合以产生激子，作为产生的激子的能量的结果发射具有特定波长的光。因此，由于有机发光显示器不需要单独的光源(如背光单元)，从而与液晶显示器相比，有机发光显示器的功耗低，所以它被着重作为下一代显示装置。此外，有机发光显示装置可容易地确保宽的可视角度和高的响应速度。有机发光显示器根据驱动方法可分为无源矩阵型和有源矩阵型，近年来，由于有源矩阵型有机发光显示器的功耗低、精度高、响应速度快、视角宽和厚度小，所以主要采用有源矩阵型有机发光显示器。在这种有源矩阵型有机发光显示器中，作为图像表示的基本单位的像素以矩阵的形式布置在基底上。在每个像素中布置发光元件，该发光元件具有这样的结构第一电极(阳极)、发光层和第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光显示器，包括：基底；薄膜晶体管，形成在所述基底的一部分上，所述薄膜晶体管具有有源层、栅电极以及置于所述有源层和所述栅电极之间的栅极绝缘层；存储电容器，形成在所述基底的另一部分上，所述存储电容器具有形成在与形成所述有源层的表面相同的表面上的第一电极、形成在与形成所述栅电极的表面相同的表面上的第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的栅极绝缘层；其中，所述有源层和所述第一电极由本征多晶硅层制成。

【技术特征摘要】
KR 2006-6-2 10-2006-00496411.一种有机发光显示器，包括基底；薄膜晶体管，形成在所述基底的一部分上，所述薄膜晶体管具有有源层、栅电极以及置于所述有源层和所述栅电极之间的栅极绝缘层；存储电容器，形成在所述基底的另一部分上，所述存储电容器具有形成在与形成所述有源层的表面相同的表面上的第一电极、形成在与形成所述栅电极的表面相同的表面上的第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的栅极绝缘层；其中，所述有源层和所述第一电极由本征多晶硅层制成。2.根据权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述本征多晶硅层的电阻在1E8Ω至1E11Ω的范围内。3.根据权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述有源层和所述第一电极分别形成在所述栅电极和所述第二电极的下方。4.根据权利要求1所述的有机发光显示器，还包括形成在所述薄膜晶体管上方的发光元件。5.根据权利要求4所述的有机发光显示器，其中，所述发光元件包括按顺序堆叠的第一电极、有机发光层和第二电极。6.根据权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述栅极绝缘层包含按顺序堆叠的氮化硅层和氧化硅层。7.一种制造有机发光显示器的方法，包括的步骤有提供基底，其中，在所述基底上限定了用于PMOS薄膜晶体管的第一区域和用于存储电容器的第二区域；在所述基底上形成本征多晶硅层；将所述本征多晶硅层图案化，以形成所述第一区域中的有源层并形成所述第二区域中的第一电极；在所述基底的整个表面上形成栅极绝缘层，以覆盖所述有源层和所述第一电极；在所述栅极绝缘层上分别对应于所述有源层和所述第一电极形成栅电极和第二电极；在所述有源层的两侧形成P+杂质区域。8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述本征多晶硅层的电阻在1E8Ω至1E11Ω的范围内。9.根据权利要求8所述的方法，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄义勋，崔雄植，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]