有机发光显示器、制造有机发光显示器的方法及显示设备技术

有机发光显示器、制造有机发光显示器的方法及显示设备，其中通过在所述阴极上敷设导电油墨材料来减小阴极的电阻。像素限定层被形成在基板上，在所述像素限定层的非发光区中具有凹进或凹陷。在所述基板上的电极包括在所述像素限定层的凹进内的部分。所述导电油墨在所述电极的位于所述凹进中的部分。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种有机发光显示器、制造有机发光显示器的方法及显示设备。
技术介绍
光。作为下一代显示器，这些电致发光显示器由于诸如低电压工作、超瘦型 化、宽视角、高速响应等等之类的优点而产生了深远的影响，这些是通常不 能在液晶显示器中取得的优点。电致发光显示器根据构成发光层的材料是无机材料还是有机材料，包括 无机发光显示器和有机发光显示器。有机发光显示器具有以图案(例如预定图案)形成在玻璃基板或其它透 明绝缘基板上的有机层。阳极层和阴极层分别被形成在有机层的上部和下 部。有机层包括形成发光层的有机化合物。在上述配置的有机发光显示器中，正电压和负电压被分别施加到阳极和 阴极，使得空穴通过空穴传输层从具有正电压的阳极移动到发光层，并且电 子通过电子传输层从具有负电压的阴极移动到发光层。相应地，电子和空穴 在发光层中复合以产生激子，并且这些激子从激发态变为基态，从而使发光 层的荧光分子发光以形成图像。图1为示出有机发光显示器的常规像素的电路图。参见图1,有机发光显示器的像素4包括连接至有机发光二极管OLED、数据线Dm以及扫描线 Sn以控制有机发光二极管OLED的发光的像素电路2。有机发光二极管OLED的阳极被连接到l象素电路2，并且有4几发光二极 管OLED的阴极被连接到第二电源ELVSS。有才几发光二极管OLED发出与 由像素电路2供应的电流相对应的光。像素电路2根据当扫描信号被供应给扫描线Sn时供应给数据线Dm的 数据信号控制供应给有机发光二极管OLED的电流的量。为此，像素电路2包括连接在第 一 电源ELVDD和有机发光二极管OLED 之间的第二晶体管M2;连接在第二晶体管M2和数据线Dm之间并且连接 到扫描线Sn以接收扫描信号的第一晶体管Ml;以及连接在第二晶体管M2 的第一电极和栅极之间的存储电容器Cst。第一晶体管Ml的栅极被连接到扫描线Sn，并且第一晶体管Ml的第一 电极被连接到数据线Dm。第一晶体管Ml的第二电极被连接到存储电容器 Cst的一个端子。这里，第一电极是源极和漏极中的一个，并且第二电极是源极和漏极中 的另一个。例如，如果第一电极是源极，则第二电极是漏极。当扫描信号被 从扫描线Sn供应时，连接到扫描线Sn和数据线Dm的第一晶体管Ml被导 通，以将数据信号从数据线Dm供应给存储电容器Cst。此时，存储电容器 Cst充入与数据信号相对应的电压。第二晶体管M2的栅级被连接到存储电容器Cst的一个端子，并且第二 晶体管M2的第一电极被连接到存储电容器Cst的另一个端子以及第一电源 ELVDD。第二晶体管M2的第二电极被连接到有机发光二极管OLED的阳 极。第二晶体管M2控制通过有机发光二极管OLED从第一电源ELVDD流 到第二电源ELVSS的电流的量，其中电流的量与存储在存储电容器Cst中 的电压值相对应。根据这种配置，有机发光二极管OLED产生与从第二晶体 管M2供应的电流的量相对应的光。根据发光方向，有机发光显示器可以是顶部发射型、底部发射型、或顶 部和底部发射型。最近，随着平板显示器尺寸变得更大，采用顶部发射型已 经成为优选。在顶部发射型有机发光显示器中，有机层的下部被连接到阳极并且有机 层的发光的上部被连接到阴极。在某些有机发光显示器中，阴极包括透反射层(即既透射光又反射光的 层)，在顶部发射型的情况下，经常使用具有低的功函数和透反射特性的阴极。因此，阴极可以很薄，以实现透反射特性。在这种情况下，阴极具有高 电阻。特别地，在有机发光显示器用电流驱动的情况下，会由于线路和/或电极的电阻而发生电压降(即IR压降)。这里，在顶部发射型有机发光显示 器的情况下，电压降由薄的透反射阴极的高电阻造成，使得难以正确地实现 显示。换句话说，具有高电阻的阴极能够导致面板内部发光严重不均匀，并且 特别是在大面积有机发光显示器中，在面板的中部和外部之间会发生电压降 (IR压降)，限制了高清晰度显示器中的高亮度发射的电流注入。
技术实现思路
根据本专利技术，在实施例中提供了有机发光显示器及其制造方法，其中阴 极的电阻通过在阴极上敷设导电油墨材料而减小。层，所述像素限定层在其非发光区中具有凹进。在所述基板上的电极包括在 所述像素限定层的凹进内的部分。导电油墨位于所述电极在所述凹进中的部 分中。非发光区可以在像素的薄膜晶体管区和数据线区之间。进一步，为了 提供较深的凹进，从而提供提高的导电油墨的量，所述凹进可以延伸到所述 像素限定层下面的平坦化层中。所述电极可以是透反射阴极。进一步，所述导电油墨可以包括高导电性材料。本专利技术的另 一 示例性实施例为制造有机发光显示器的方法。根据该实施 例，在基板上形成像素限定层。在所述像素限定层的非发光区中形成凹进。 在所述像素限定层上形成电极，所述电极有一部分在所述凹进中。导电油墨 被放置在所述电极在所述凹进中的部分上。所述非发光区可以在像素的薄膜 晶体管区和数据线区之间。形成凹进可以包括将所述凹进延伸到所述像素限 定层下面的平坦化层中。所述电极可以是透反射阴极。所述导电油墨可以利用喷墨印刷法放置在所述凹进中，并且可以包括沸点低于IO(TC的溶剂。所述溶剂可以是醇、醚、苯、乙酸乙酯和三氯曱烷中的一个或更多。在另一实施例中，显示设备包括多个发光区和多个非发光区。每个非发 光区在所述多个发光区中的相邻发光区之间。阴极在所述多个发光区和所述 多个非发光区上，所述阴极在所述多个非发光区的至少一个处具有凹进。导 电油墨位于所述凹进中。像素限定层可以在所述阴极下面，所述像素限定层 限定具有多个发光区的多个像素，并且具有与所述凹进相对应的第一凹陷， 使得所述阴极的一部分在所述第一凹陷的内壁上。平坦化层可以进一步在所 述像素限定层下面，所述平坦化层具有与所述凹进相对应的第二凹陷，使得 所述阴极的另 一 部分在所述第二凹陷的内壁上。附图说明这些附图与申请文件一起图示说明本专利技术的示例性实施例，并且与说明 书一起用于说明本专利技术的原理。图1是图示说明常规有机发光显示器中的像素的电路图； 图2A和2B是根据本专利技术示例性实施例的有机发光显示器的横截面图； 图3A至3D是图示说明制造根据本专利技术示例性实施例的有机发光显示 器的方法的横截面图；以及具体实施例方式在下列详细的描述中，简单地以图示说明的方式仅仅示出和描述了本专利技术的某些示例性实施例。这里，当第一元件被描述为被连接到第二元件时，第 一元件可以被直接连接到第二元件，页可以通过第三元件被间接连接到第二元件。此外，为了清楚起见，已经省略了这些元件中对完整理解本专利技术不是必需的一些元件。在整个申请文件中，相同的附图标记表示相同的元件。在下文中，将参照附图更加详细地描述本专利技术的示例性实施例。图2A和2B苦力良诋t劳W图2A图示■储 电 容 器 区 和 薄 膜 晶 体 管 区 的 像 素 区 、 导电油墨形成区以及数据线区。为了减小具有高电阻的薄的透反射阴极255的电阻，在薄膜晶体管区和数据线区之间提供导电油墨形成区。导电油墨形成区以凹状实现，以便通过喷墨印刷法将具有低电阻的导电油墨260放置在导电油墨形成区中的阴极255上。换句话说，作为非发光区的导电油墨形成区具有通过对阴极255下面的像素限定层(PDL) 245和/或平坦化层235进行蚀刻而形成的凹状本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光显示器，包括：　在基板上的像素限定层；　在所述像素限定层的非发光区的凹进；　在所述基板上的电极，所述电极包括位于所述像素限定层的凹进中的部分；以及　在所述电极的位于所述凹进中的部分中的导电油墨。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：宋明原，
申请(专利权)人：三星移动显示器株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[]