【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种磷光杂核铜(I)-铱(III)络合物以及采用该络合物的有机电致发光(EL)器件,且更具体地,涉及在红光波长区域(590-630nm)内发光的发光杂核铜(I)-铱(III)络合物以及包括该杂核铜(I)-铱(III)络合物作为有机层形成材料的有机电致发光器件。
技术介绍
有机电致发光(EL)器件重量轻,包括较简单和较少的部件,具有可通过简单工艺制造的结构,产生高质量图像,且具有宽视角,该有机电致发光器件是利用当将电流施加到有机层时由于在荧光或磷光有机化合物薄层(此后,有机层)中电子和空穴的复合产生的发光现象的有源显示器件。该有机电致发光器件也可产生完美的、高色纯度的活动图像,且具有低功率消耗和低驱动电压。换句话说,该有机电致发光器件具有适于便携式电子器件的电特性。通常,有机电致发光器件具有包括阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极的结构,其在基底上依次堆叠。该空穴传输层、发光层和电子传输层是由有机化合物形成的有机层。具有如上述结构的有机电致发光器件的工作原理如下述。当在阳极和阴极之间施加电压时,从阳极注入的空穴通过空穴-传输层移动到发光层。电子通过电子-传输层从阴极注入到发光层。由于在发光层中载流子的复合产生激子。该激子经历辐射衰减,发射具有对应于材料的能带隙的波长的光。将用于形成有机电致发光器件的发光层的材料根据发光机理分为采用单重态激子的荧光材料和采用三重态激子的磷光材料。发光层通过直接掺杂荧光材料或磷光材料或与合适的基质材料掺杂形成。作为电子激发的结果,在基质中产生单重态激子和三重态激子。在此,在单重态激子和三重态激子之间的统计 ...
【技术保护点】
由下式1表示的杂核铜(Ⅰ)-铱(Ⅲ)络合物: 【式1】 *** 其中A-X-B是含有杂原子X的单负电双配位基辅助配体; X是N、P、S或O; CyN是包括与铱(Ⅲ)结合的氮的取代或未取代的C↓[3]-C↓[60]杂环基,或包括与铱结合的氮的取代或未取代的C↓[3]-C↓[60]杂芳基; CyC是包括与铱结合的碳的取代或未取代的C↓[4]-C↓[60]环状基团,包括与铱结合的碳的取代或未取代的C↓[3]-C↓[60]杂环基,包括与铱结合的碳的取代或未取代的C↓[6]-C↓[60]芳基,或包括与铱结合的碳的取代或未取代的C↓[3]-C↓[60]杂芳基;以及 CyN-CyC表示通过氮(N)和碳(C)与铱结合的环金属化配体。
【技术特征摘要】
2006.5.19 KR 45340/061.由下式1表示的杂核铜(I)-铱(III)络合物式1其中A-X-B是含有杂原子X的单负电双配位基辅助配体;X是N、P、S或O;CyN是包括与铱(III)结合的氮的取代或未取代的C3-C60杂环基,或包括与铱结合的氮的取代或未取代的C3-C60杂芳基;CyC是包括与铱结合的碳的取代或未取代的C4-C60环状基团,包括与铱结合的碳的取代或未取代的C3-C60杂环基,包括与铱结合的碳的取代或未取代的C6-C60芳基,或包括与铱结合的碳的取代或未取代的C3-C60杂芳基;以及CyN-CyC表示通过氮(N)和碳(C)与铱结合的环金属化配体。2.由下式2表示的杂核铜(I)-铱(III)络合物式2其中A-X-B是含有杂原子X的单负电双配位基辅助配体;X是N、P、S或O;CyN是包括与铱(III)结合的氮的取代或未取代的C3-C60杂环基,或包括与铱结合的氮的取代或未取代的C3-C60杂芳基;CyC是包括与铱结合的碳的取代或未取代的C4-C60环状基团,包括与铱结合的碳的取代或未取代的C3-C60杂环基,包括与铱结合的碳的取代或未取代的C6-C60芳基,或包括与铱结合的碳的取代或未取代的C3-C60杂芳基;以及CyN-CyC表示通过氮(N)和碳(C)与铱结合的环金属化配体。3.由下式3表示的杂核铜(I)-铱(III)络合物式3其中A-X-B是含有杂原子X的单负电双配位基辅助配体;X是N、P、S或O;CyN是包括与铱(III)结合的氮的取代或未取代的C3-C60杂环基,或包括与铱结合的氮的取代或未取代的C3-C60杂芳基;CyC是包括与铱结合的碳的取代或未取代的C4-C60环状基团,包括与铱结合的碳的取代或未取代的C3-C60杂环基,包括与铱结合的碳的取代或未取代的C6-C60芳基,或包括与铱结合的碳的取代或未取代的C3-C60杂芳基;以及CyN-CyC表示通过氮(N)和碳(C)与铱结合的环金属化配体。4.权利要求3的杂核铜(I)-铱(III)络合物,为下式4表示的化合物式4其中X是N、P、S或O;CyN是包括与铱(III)结合的氮的取代或未取代的C3-C60杂环基,或包括与铱结合的氮的取代或未取代的C3-C60杂芳基;CyC是包括与铱结合的碳的取代或未取代的C4-C60环状基团,包括与铱结合的碳的取代或未取代的C3-C60杂环基,包括与铱结合的碳的取代或未取代的C6-C60芳基,或包括与铱结合的碳的取代或未取代的C3-C60杂芳基;CCy是包括与铱结合的碳的取代或未取代的C4-C60环状基团,包括与铱结合的碳的取代或未取代的C3-C60杂环基,包括与铱结合的碳的取代或未取代的C6-C60芳基,或包括与铱结合的碳的取代或未取代的C3-C60杂芳基;NCyX是包括与铱(III)结合的氮和杂原子X的取代或未取代的C3-C60杂环基或包括与铱(III)结合的氮和杂原子X的取代或未取代的C3-C60杂芳基;以及CyN-CyC和NCyX-CCy是通过氮和碳与铱结合的环金属化配体。5.权利要求3的杂核铜(I)-铱(III)络合物,为下式5表示的化合物式5其中X是N、P、S或O;CyN是包括与铱(III)结合的氮的取代或未取代的C3-C60杂环基,或包括与铱结合的氮的取代或未取代的C3-C60杂芳基;CyC是包括与铱结合的碳的取代或未取代的C4-C60环状基团,包括与铱结合的碳的取代或未取代的C3-C60杂环基,包括与铱结合的碳的取代或未取代的C6-C60芳基,或包括与铱结合的碳的取代或未取代的C3-C60杂芳基;以及NCy是包括与铱(III)结合的碳的取代或未取代的C4-C60环状基团,包括与铱结合的碳的取代或未取代的C3-C60杂环基,包括与铱结合的碳的取代或未取代的C6-C60芳基,或包括与铱结合的碳的取代或未取代的C3-C60杂芳基;CCyX是包括与铱(III)结合的碳和杂原子X的取代的或未取代的C3-C60杂环基或包括与铱结合的碳和杂原子X的取代或未取代的C3-C60杂芳基;以及CyN-CyC和NCy-CCyX表示通过氮和碳与铱结合的环金属化配体。6.权利要求1到3中任一项的杂核铜(I)-铱(III)络合物,其中环金属化配体CyN-CyC具有下式之一 其中R11、R12、R13、R14和R15各自独立地为选自氢、卤原子、-OR、-N(R)2、-P(R)2、-POR、-PO2R、-PO3R、-SR、-Si(R)3、-B(R)2、-B(OR)2、-C(O)R、-C(O)OR、-C(O)N(R)、-CN、-NO2、-SO2、-SOR、-SO2R、-SO3R、C1-C20烷基、和C6-C20芳基的单-取代或多-取代的官能团;R选自氢、卤原子、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C1-C10烷氧基、取代或未取代的C2-C20烯基、取代或未取代的C2...
【专利技术属性】
技术研发人员:达斯·R·瑞基尼,金禧暻,崔炳基,柳利烈,边煐勋,权五炫,梁綵恩,宋正培,
申请(专利权)人:三星SDI株式会社,
类型:发明
国别省市:KR
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