磷光杂核铜(Ⅰ)-铱(Ⅲ)络合物以及采用其的有机电致发光器件制造技术

技术编号:3181698 阅读:181 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
提供一种高效的光致发光杂核铜(I)-铱(III)络合物和采用该络合物的有 机电致发光器件。该光致发光杂核铜(I)-铱(III)络合物可用于形成有机电致 发光器件的有机层,可作为高效率的光致发光材料发射590-630nm的光, 且提供高亮度和低接通电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种磷光杂核铜(I)-铱(III)络合物以及采用该络合物的有机电致发光(EL)器件,且更具体地,涉及在红光波长区域(590-630nm)内发光的发光杂核铜(I)-铱(III)络合物以及包括该杂核铜(I)-铱(III)络合物作为有机层形成材料的有机电致发光器件。
技术介绍
有机电致发光(EL)器件重量轻,包括较简单和较少的部件,具有可通过简单工艺制造的结构,产生高质量图像,且具有宽视角,该有机电致发光器件是利用当将电流施加到有机层时由于在荧光或磷光有机化合物薄层(此后,有机层)中电子和空穴的复合产生的发光现象的有源显示器件。该有机电致发光器件也可产生完美的、高色纯度的活动图像,且具有低功率消耗和低驱动电压。换句话说,该有机电致发光器件具有适于便携式电子器件的电特性。通常,有机电致发光器件具有包括阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极的结构,其在基底上依次堆叠。该空穴传输层、发光层和电子传输层是由有机化合物形成的有机层。具有如上述结构的有机电致发光器件的工作原理如下述。当在阳极和阴极之间施加电压时,从阳极注入的空穴通过空穴-传输层移动到发光层。电子通过电子-传输层从阴极注入到发光层。由于在发光层中载流子的复合产生激子。该激子经历辐射衰减,发射具有对应于材料的能带隙的波长的光。将用于形成有机电致发光器件的发光层的材料根据发光机理分为采用单重态激子的荧光材料和采用三重态激子的磷光材料。发光层通过直接掺杂荧光材料或磷光材料或与合适的基质材料掺杂形成。作为电子激发的结果,在基质中产生单重态激子和三重态激子。在此,在单重态激子和三重态激子之间的统计生成比为1∶3(Baldo等,Phys.Rev.B,1999,60,14422)。在采用荧光材料作为形成发光层的材料的有机电致发光器件中,不能使用基质中生成的三重态激子。然而,在采用磷光材料作为形成发光层的材料的有机电致发光器件中,可采用单重态激子和三重态激子两者,且因此,可获得100%的内量子效率(Baldo等,Nature,Vol.395,151-154,1998)。因此,使用磷光材料产生比使用荧光材料高的发光效率。当在有机分子中包含重金属如Ir、Pt、Rh或Pd时,由于重原子效应发生自旋-轨道偶合,且因此,混合单重态激子和三重态激子,由此能发生跃迁,且这样即使在室温下也可获得有效的磷光。已报道采用含有过渡金属如铱(Ir)、铂(Pt)等的过渡金属化合物的各种材料作为显示磷光的高效发光材料。然而,对于高效、全色显示器件仍需要在红色波长区域(590-630nm)内发光的磷光材料。在货币合金(coin metal)化学中吡唑盐(pyrazolate)配体是重要的。吡唑盐配体通过以外-双配位基的形式配位金属离子如Cu(I)、Ag(I)、Au(I)等形成多核络合物。根据反应条件和吡唑盐部分的取代基,货币合金吡唑盐可形成三聚物,四聚物,六聚物和直到聚合物。吡唑盐配体通过起到有助于电子注入的电子传输部分的作用而改善有机EL器件的性能。在该货币合金吡唑盐中,具有氟化的吡唑盐配体的多核货币合金具有非常令人感兴趣的发光特性。氟化通过帮助挥发而促进薄膜形成,改善热稳定性和氧化稳定性,且导致发射浓缩猝灭(emission concentrationquenching)的降低。Mohammad等(Mohammad A.Omary,Inorg Chem.,2003,42,8612)公开了具有2,4,6-三甲基吡啶取代基的铜吡唑盐络合物。该络合物发射亮蓝色光。此外,不断需要在非蓝光波长区域内具有优异的发光特性的具有各种配体和金属原子的氟化金属吡唑盐络合物化合物。
技术实现思路
本专利技术提供一种杂核铜(I)-铱(III)络合物,其在590-630nm的红光波长区域内可有效地发光。本专利技术还提供一种采用该杂核铜(I)-铱(III)络合物的有机电致发光(EL)器件。根据本专利技术的一方面,提供式1表示的杂核铜(I)-铱(III)络合物。式1 其中A-X-B是含有杂原子X的单负电双配位基辅助配体;X是N、P、S或O;CyN是包括与铱(III)结合的氮的取代或未取代的C3-C60杂环基,或包括与铱结合的氮的取代或未取代的C3-C60杂芳基;CyC是包括与铱结合的碳的取代或未取代的C4-C60环状基团,包括与铱结合的碳的取代或未取代的C3-C60杂环基,包括与铱结合的碳的取代或未取代的C3-C60芳基,或包括与铱结合的碳的取代或未取代的C3-C60杂芳基;以及CyN-CyC表示通过氮(N)和碳(C)与铱结合的环金属化(cyclometalating)配体。本专利技术还提供式2表示的杂核铜(I)-铱(III)络合物。式2 其中X、A-X-B、CyC、CyN和CyN-CyC与上述限定相同。根据另一方面,本专利技术提供式3表示的杂核铜(I)-铱(III)络合物。式3其中X、A-X-B、CyN、CyC和CyN-CyC与上述限定相同。式3的化合物可以是式4表示的化合物或式5表示的化合物。式4其中X、CyN和CyC与上述限定相同;CCy是包括与铱结合的碳的取代或未取代的C4-C60状基团,包括与铱结合的碳的取代或未取代的C3-C60杂环基,包括与铱结合的碳的取代或未取代的C3-C60芳基,或包括与铱结合的碳的取代或未取代的C3-C60杂芳基;NCyX是包括可与铱(III)结合的氮和杂原子X的取代或未取代的C3-C60杂环基或包括与铱结合的氮和杂原子X的取代或未取代的C3-C60杂芳基;且CyN-CyC和NCyX-CCy是通过氮和碳与铱配合的环金属化配体。式5其中X、CyN和CyC与上述限定相同;NCy是包括与铱(III)结合的碳的取代或未取代的C4-C60环状基团,包括与铱结合的碳的取代或未取代的C3-C60杂环基,包括与铱结合的碳的取代或未取代的C3-C60芳基,或包括与铱结合的碳的取代或未取代的C3-C60杂芳基;CCyX是包括与铱(III)结合的碳和杂原子X的取代或未取代的C3-C60杂环基或包括与铱结合的碳和杂原子X的取代或未取代的C3-C60杂芳基;且CyN-CyC和NCy-CCyX表示通过氮和碳与铱结合的环金属化配体。在式1到3中的配体A-X-B的实例如下 其中,R1、R2、R3和R4各自独立地为选自氢、卤原子、-OR、-N(R)2、-P(R)2、-POR-PO2R、-PO3R、-SR、-Si(R)3、-B(R)2、-B(OR)2、-C(O)R、-C(O)OR、-C(O)N(R)、-CN、-NO2、-SO2、-SOR、-SO2R、-SO3R、C1-C20烷基和C6-C20芳基的单-取代或多-取代的官能团;且R选自氢、卤原子、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C1-C10烷氧基、取代或未取代的C2-C20烯基、取代或未取代的C2-C20炔基、取代或未取代的C1-C20杂烷基、取代或未取代的C6-C40芳基、取代或未取代的C7-C40芳烷基、取代或未取代的C7-C40烷基芳基、取代或未取代的C2-C40杂芳基和取代或未取代的C3-C40杂芳烷基。根据本专利技术的另一方面,提供在一对电极之间具有有机层的有机EL器件,该有机层含有上述的杂核铜(I)-铱(III)络合物。附图说明通过参本文档来自技高网
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【技术保护点】
由下式1表示的杂核铜(Ⅰ)-铱(Ⅲ)络合物:    【式1】    ***    其中A-X-B是含有杂原子X的单负电双配位基辅助配体;    X是N、P、S或O;    CyN是包括与铱(Ⅲ)结合的氮的取代或未取代的C↓[3]-C↓[60]杂环基,或包括与铱结合的氮的取代或未取代的C↓[3]-C↓[60]杂芳基;    CyC是包括与铱结合的碳的取代或未取代的C↓[4]-C↓[60]环状基团,包括与铱结合的碳的取代或未取代的C↓[3]-C↓[60]杂环基,包括与铱结合的碳的取代或未取代的C↓[6]-C↓[60]芳基,或包括与铱结合的碳的取代或未取代的C↓[3]-C↓[60]杂芳基;以及    CyN-CyC表示通过氮(N)和碳(C)与铱结合的环金属化配体。

【技术特征摘要】
2006.5.19 KR 45340/061.由下式1表示的杂核铜(I)-铱(III)络合物式1其中A-X-B是含有杂原子X的单负电双配位基辅助配体;X是N、P、S或O;CyN是包括与铱(III)结合的氮的取代或未取代的C3-C60杂环基,或包括与铱结合的氮的取代或未取代的C3-C60杂芳基;CyC是包括与铱结合的碳的取代或未取代的C4-C60环状基团,包括与铱结合的碳的取代或未取代的C3-C60杂环基,包括与铱结合的碳的取代或未取代的C6-C60芳基,或包括与铱结合的碳的取代或未取代的C3-C60杂芳基;以及CyN-CyC表示通过氮(N)和碳(C)与铱结合的环金属化配体。2.由下式2表示的杂核铜(I)-铱(III)络合物式2其中A-X-B是含有杂原子X的单负电双配位基辅助配体;X是N、P、S或O;CyN是包括与铱(III)结合的氮的取代或未取代的C3-C60杂环基,或包括与铱结合的氮的取代或未取代的C3-C60杂芳基;CyC是包括与铱结合的碳的取代或未取代的C4-C60环状基团,包括与铱结合的碳的取代或未取代的C3-C60杂环基,包括与铱结合的碳的取代或未取代的C6-C60芳基,或包括与铱结合的碳的取代或未取代的C3-C60杂芳基;以及CyN-CyC表示通过氮(N)和碳(C)与铱结合的环金属化配体。3.由下式3表示的杂核铜(I)-铱(III)络合物式3其中A-X-B是含有杂原子X的单负电双配位基辅助配体;X是N、P、S或O;CyN是包括与铱(III)结合的氮的取代或未取代的C3-C60杂环基,或包括与铱结合的氮的取代或未取代的C3-C60杂芳基;CyC是包括与铱结合的碳的取代或未取代的C4-C60环状基团,包括与铱结合的碳的取代或未取代的C3-C60杂环基,包括与铱结合的碳的取代或未取代的C6-C60芳基,或包括与铱结合的碳的取代或未取代的C3-C60杂芳基;以及CyN-CyC表示通过氮(N)和碳(C)与铱结合的环金属化配体。4.权利要求3的杂核铜(I)-铱(III)络合物,为下式4表示的化合物式4其中X是N、P、S或O;CyN是包括与铱(III)结合的氮的取代或未取代的C3-C60杂环基,或包括与铱结合的氮的取代或未取代的C3-C60杂芳基;CyC是包括与铱结合的碳的取代或未取代的C4-C60环状基团,包括与铱结合的碳的取代或未取代的C3-C60杂环基,包括与铱结合的碳的取代或未取代的C6-C60芳基,或包括与铱结合的碳的取代或未取代的C3-C60杂芳基;CCy是包括与铱结合的碳的取代或未取代的C4-C60环状基团,包括与铱结合的碳的取代或未取代的C3-C60杂环基,包括与铱结合的碳的取代或未取代的C6-C60芳基,或包括与铱结合的碳的取代或未取代的C3-C60杂芳基;NCyX是包括与铱(III)结合的氮和杂原子X的取代或未取代的C3-C60杂环基或包括与铱(III)结合的氮和杂原子X的取代或未取代的C3-C60杂芳基;以及CyN-CyC和NCyX-CCy是通过氮和碳与铱结合的环金属化配体。5.权利要求3的杂核铜(I)-铱(III)络合物,为下式5表示的化合物式5其中X是N、P、S或O;CyN是包括与铱(III)结合的氮的取代或未取代的C3-C60杂环基,或包括与铱结合的氮的取代或未取代的C3-C60杂芳基;CyC是包括与铱结合的碳的取代或未取代的C4-C60环状基团,包括与铱结合的碳的取代或未取代的C3-C60杂环基,包括与铱结合的碳的取代或未取代的C6-C60芳基,或包括与铱结合的碳的取代或未取代的C3-C60杂芳基;以及NCy是包括与铱(III)结合的碳的取代或未取代的C4-C60环状基团,包括与铱结合的碳的取代或未取代的C3-C60杂环基,包括与铱结合的碳的取代或未取代的C6-C60芳基,或包括与铱结合的碳的取代或未取代的C3-C60杂芳基;CCyX是包括与铱(III)结合的碳和杂原子X的取代的或未取代的C3-C60杂环基或包括与铱结合的碳和杂原子X的取代或未取代的C3-C60杂芳基;以及CyN-CyC和NCy-CCyX表示通过氮和碳与铱结合的环金属化配体。6.权利要求1到3中任一项的杂核铜(I)-铱(III)络合物,其中环金属化配体CyN-CyC具有下式之一 其中R11、R12、R13、R14和R15各自独立地为选自氢、卤原子、-OR、-N(R)2、-P(R)2、-POR、-PO2R、-PO3R、-SR、-Si(R)3、-B(R)2、-B(OR)2、-C(O)R、-C(O)OR、-C(O)N(R)、-CN、-NO2、-SO2、-SOR、-SO2R、-SO3R、C1-C20烷基、和C6-C20芳基的单-取代或多-取代的官能团;R选自氢、卤原子、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C1-C10烷氧基、取代或未取代的C2-C20烯基、取代或未取代的C2...

【专利技术属性】
技术研发人员:达斯·R·瑞基尼金禧暻崔炳基柳利烈边煐勋权五炫梁綵恩宋正培
申请(专利权)人:三星SDI株式会社
类型:发明
国别省市:KR

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