供体基底及利用其制造有机发光二极管显示器的方法技术

本发明专利技术公开了一种用于平板显示器的供体基底，该基底包括：基膜；光－热转化层，位于基膜上；第一缓冲层，位于光－热转化层上，第一缓冲层包含发射主体材料；转印层，位于第一缓冲层上；第二缓冲层，位于转印层上，第二缓冲层包含与第一缓冲层的发射主体材料相同的发射主体材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于平板显示器的供体基底和利用其制造有机发光二极管显示器的方法。更具体得讲，本专利技术涉及一种供体基底，该供体基底具有能够防止由于失败的层转印(layer transfer)导致的装置基底图案化缺陷或将这种缺陷最小化的结构。
技术介绍
通常，有机发光二极管(OLED)显示器指具有阳极、阴极和置于阳极和阴极之间的多个有机层的平板显示器。有机层可包括发射层、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层。发射层所使用的材料可决定OLED显示器的类型，即聚合物OLED显示器或小分子量OLED显示器。对发射层的处理可决定OLED显示器的功能性，比如对发射层进行的图案化可有助于实现全彩有机发光二极管显示器。传统的对OLED显示器进行的图案化可通过精细金属掩模(fine metalmask)、喷墨印刷和激光转写(laser induced thermal imaging，LITI)等来实现。例如，LITI方法可有助于对OLED显示器进行的精细图案化，并提供与湿式工艺(比如喷墨印刷)相对的OLED显示器图案化的干式工艺。传统的用于形成OLED显示器的图案化的发射层的LITI方法会需要形成供体基底，该供体基底具有基膜、光-热转化层和由有机材料形成的转印层，使得可通过利用至少一个光源(比如激光)将转印层从供体基底转印到装置基底。更具体地说，光可从光源发射至供体基底的光-热转化层的预定部分中，并在该预定部分中转化为热能。接下来，热能可使光-热转化层的预定部分(即光源照射的部分)中的粘合剂发生改变，使得转印层可与光-热转化层的预定部分分离并附着到装置基底上。因此，转印层的一部分可附着到装置基底，而转印层的另一部分可还保持与光-热转化层附着。因此，转印层能否成功进行转印会取决于所用材料的粘附性和内聚性，比如供体基底的光-热转化层和转印层之间的粘附力、转印层内的内聚力以及转印层和装置基底之间的粘附力。例如，如果光-热转化层和转印层之间的粘附力弱，则转印层可与光-热转化层非常容易地分离，即转印层中意图与光-热转化层保持附着的部分也会与光-热转化层分离，由此，在OLED显示器中造成缺陷。尤其是当转印层由表现出不足的内聚力的小分子量材料形成时，则缺陷更经常发生。另一方面，如果转印层和装置基底之间的粘附力太强，则转印层在转印过程中不会被转印或会被撕破。因此，需要一种能够以提高的效率将转印层转印到装置基底上的供体基底。
技术实现思路
因此本专利技术提出了一种供体基底和一种利用其制造OLED显示器的方法，本专利技术基本上克服了相关领域的一个或更多缺点。因此本专利技术的特征在于提供了一种用于平板显示器的供体基底，该供体基底能够防止转印层转印至装置基底的缺陷或使这种缺陷基本上最小化。本专利技术的实施例的另一特征在于提供了通过利用供体基底来制造OLED显示器的方法，其中，该供体基底能够防止通过LITI方法将转印层转印至装置基底的缺陷或使这种缺陷基本上最小化。本专利技术的上述和其他特征和优点中的至少一个可通过提供一种用于平板显示器的供体基底来实现，其中，该供体基底包括基膜、位于基膜上的光-热转化(LTHC)层、位于LTHC层上并包含发射主体材料(an emission hostmaterial)的第一缓冲层、位于第一缓冲层上的转印层、位于转印层上并包含与第一缓冲层的发射主体材料相同的发射主体材料的第二缓冲层。该供体基底还可包括位于LTHC层和第一缓冲层之间的夹层。第一缓冲层可包含CBP、CBP衍生物、mCP、mCP衍生物或者螺类衍生物。第一缓冲层可包含磷光主体材料。第一缓冲层可具有大约1nm至大约3nm的厚度。转印层可包括发射层、空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层和电子阻挡层中的至少一个。转印层可包括至少一个含有小分子量材料的层。转印层可包含发射主体材料和掺杂剂，发射主体材料可与第一缓冲层和第二缓冲层的发射主体材料相同。第二缓冲层可包含CBP、CBP衍生物、mCP、mCP衍生物或者螺类衍生物。第二缓冲层可包含磷光主体材料。第二缓冲层可具有大约1nm至大约3nm的厚度。在本专利技术的另一方面，提供了一种制造有机发光二极管显示器的方法，该方法包括提供具有下电极的装置基底；顺序地沉积基膜、光-热转化层、包含发射主体材料的第一缓冲层、转印层、包含与第一缓冲层的发射主体材料相同的发射主体材料的第二缓冲层以形成供体基底；在装置基底上方设置供体基底，使得第二缓冲层直接在装置基底的对面；将激光照射到供体基底的预定区域以将部分第一缓冲层、部分转印层和部分第二缓冲层转印到下电极上以形成有机层图案。转印层可包括发射层、空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层和电子阻挡层中的至少一个有机层。转印层可包含小分子量材料。转印层可包含发射主体材料和掺杂剂，发射主体材料可与第一缓冲层和第二缓冲层的发射主体材料相同。沉积第一缓冲层的步骤可包括旋转涂覆、滚动涂覆、浸渍涂覆、凹版涂覆或沉积。相似的，沉积第二缓冲层的步骤可包括旋转涂覆、滚动涂覆、浸渍涂覆、凹版涂覆或沉积。沉积第一缓冲层、转印层和第二缓冲层的步骤可包括沉积相同的发射主体材料。附图说明对于本领域普通技术人员来说，通过参照附图详细地描述本专利技术的示例性实施例，可将使本专利技术的上述特征和优点和其它特征和优点变得更加明了，在附图中图1示出了根据本专利技术的示例性实施例的用于平板显示器的供体基底的剖面图。图2示出了根据本专利技术的示例性实施例的OLED显示器制造方法的剖面图。具体实施例方式2006年5月3号在韩国知识产权局提交的标题为“用于平板显示器的供体基底和利用其制造OLED的方法”的第10-2006-0040152号韩国专利申请通过引用而被完整地包含于此。现在，在下文中将参照附图对本专利技术进行更加充分的描述，本专利技术的示例性实施例示出在这些附图中。然而，本专利技术可以不同的形式来实施，且不应被理解为局限于在此提出的实施例。相反，提供这些实施例将使本公开彻底和完全，并将本专利技术的范围充分地传达给本领域的技术人员。在图中，为了示出清晰，会夸大层和区域的尺寸。还应该理解的是，当层或元件被称作在另一层或基底“上”时，该层或元件可直接在另一层或基底上，或者也可存在中间层。另外，应该理解的是，当层被称作在另一层“下”时，该层可直接在另一层下，或者也可存在一个或多个中间层。另外，还应该理解的是，当层被称作在两个层“之间”时，该层可为这两个层之间的唯一的层，或者也可存在一个或多个中间层。相同的标号始终表示相同的元件。在下文中，将参照图1更详细地描述根据本专利技术的用于平板显示器的供体基底及其制造方法的示例性实施例。如图1所示，供体基底80可包括基膜50、光-热转化(LTHC)层55、夹层60、第一缓冲层65、转印层70和第二缓冲层75。基膜50可由透明聚合物材料形成，例如由聚酯(比如聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET))、聚丙烯酰化物(polyacryl)、聚环氧化物(polyepoxy)、聚乙烯(polyethylene)和聚苯乙烯(polystyrene)等形成，并形成至厚度为大约10μm至大约500μm。基膜50可作为供体基底80的支持膜(a support film)，使得可将本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于平板显示器的供体基底，包括：　　　　基膜；　　　　光－热转化层，位于所述基膜上；　　　　第一缓冲层，位于所述光－热转化层上，所述第一缓冲层包含发射主体材料；　　　　转印层，位于所述第一缓冲层上；　　　　第二缓冲层，位于所述转印层上，所述第二缓冲层包含与所述第一缓冲层的发射主体材料相同的发射主体材料。

【技术特征摘要】
KR 2006-5-3 10-2006-00401521.一种用于平板显示器的供体基底，包括基膜；光-热转化层，位于所述基膜上；第一缓冲层，位于所述光-热转化层上，所述第一缓冲层包含发射主体材料；转印层，位于所述第一缓冲层上；第二缓冲层，位于所述转印层上，所述第二缓冲层包含与所述第一缓冲层的发射主体材料相同的发射主体材料。2.如权利要求1所述的供体基底，其中，所述转印层包含发射主体材料和掺杂剂。3.如权利要求2所述的供体基底，其中，所述转印层的发射主体材料与所述第一缓冲层和所述第二缓冲层的发射主体材料相同。4.如权利要求1所述的供体基底，其中，所述第一缓冲层包含CBP、CBP衍生物、mCP、mCP衍生物或者螺类衍生物。5.如权利要求1所述的供体基底，其中，所述第一缓冲层包含磷光主体材料。6.如权利要求1所述的供体基底，其中，所述第一缓冲层具有大约1nm至大约3nm的厚度。7.如权利要求1所述的供体基底，其中，所述转印层包括发射层、空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层和电子阻挡层中的至少一个。8.如权利要求7所述的供体基底，其中，所述转印层包括至少一个含有小分子量材料的层。9.如权利要求1所述的供体基底，还包括位于所述光-热转化层和所述第一缓冲层之间的夹层。10.如权利要求1所述的供体基底，其中，所述第二缓冲层包含CBP、CBP衍生物、mCP、mCP衍生物或螺类衍生物...

【专利技术属性】
技术研发人员：权宁吉，李善姬，李在濠，金茂显，李城宅，杨南喆，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]