本发明提供一种干式蚀刻器的残留气体去除装置及方法。在具有真空预备室及蚀刻室的、将晶片装入室内在其表面蚀刻薄膜的同时能将室内的反应气体向外抽吸及排出的干式蚀刻器中，设有加热装置或清洗装置，加热装置对蚀刻室进行加热使气体分子活性化、清洗装置...

一种蚀刻系统及方法，利用一个单一定量的蚀刻剂蚀刻多个基板上的涂层而形成预定的图案时，根据基板的累积处理数目变化而采用不同的蚀刻时间。此系统包括：一蚀刻设备，其包括为了利用一个单一定量的蚀刻剂蚀刻多个基板上的涂层，从而形成预定的图案的蚀刻...

本发明提供了一种包括去离子水和有机酸的蚀刻剂溶液，该有机酸具有羧基和氢氧基。还公开了用于形成磁存储器件的方法。

一种用于除去铟氧化物层的蚀刻剂，包括主氧化剂硫酸，诸如Ｈ↓［３］ＰＯ↓［４］、ＨＮＯ↓［３］、ＣＨ↓［３］ＣＯＯＨ、ＨＣｌＯ↓［４］、Ｈ↓［２］Ｏ↓［２］和混合物Ａ的辅助氧化剂，含有铵－基材料的蚀刻抑制剂及水，其中所述混合物Ａ由过一硫酸...

提供一种使用真空系统的半导体器件制造设备。在通入气体进气口的预定部分里安装加热源。在排气管的预定部分里安装通气速度控制阀，用于通过控制其开口度控制气体从装料预真空室向泵流动的速度。排气管具有不同直径的主管以降低通气速度。由于避免在装料预...

一种薄膜沉积装置包括：电弧蒸发部分，在该部分通过阴极弧光放电而产生一沉积材料的带电粒子；等离子体导管，该导管具有一个弯度且能把所述带电粒子从所述电弧蒸发部分导向一个基底；和励磁器，该励磁器用于产生一磁场以引导带电粒子从电弧蒸发部分向基底...

一种生产二氧化硅薄膜的设备，该设备包括一含有一装载多片晶片的装载部件用于移动传输所装载的晶片的传送器、一设于传送器之上用以产生火焰在多片晶片上淀积二氧化硅烟灰的溶积部件、一邻近淀积部件用于从二氧化硅烟灰中去除水分的煅烧部件、以及一邻近煅...

本发明提供制造半导体器件的化学汽相淀积（ＣＶＤ）装置，包括：处理室；为处理室供应处理气体的处理气体供应管线；废气排放管，用于在处理后将处理室内的废气排放出去；清洗气体供应管线，用于向处理室内供应ＣｌＦ↓［３］气体；取样歧管，用于利用压力...

本发明提供了一种去除在具有或者没有铁电覆底层的硅器件内氢原子的方法。在该氢原子去除方法中，为了防止器件特性因氢原子所造成的劣化，在铁电材料上形成Ｐｔ上电极并且然后在其上淀积一个氧化硅膜。另外，进行一种高密度氧等离子体处理，从而提高该Ｐｔ...

一种利用原子层沉积（ＡＬＤ）方法形成薄膜的方法，在这种方法中，在一周期内在基底上形成薄膜，这个周期包括：向装有基底的反应室注入第一反应物，该第一反应物包括形成薄膜的原子和配体；清除第一反应物，向反应室注入第二反应物；清除第二反应物。通过...

在用于减轻和／或消除基于二氯甲硅烷基的ＣＶＤ多晶硅硅化物ＷＳｉ↓［Ｘ］膜中底层多晶硅的异常生长的工艺中，第一种技术是在基本上能够避免底层多晶硅结晶的温度进行底层多晶硅层的淀积。第二种方法是减小甲硅烷ＳｉＨ↓［４］后冲洗暴露（例如持续时间...

本发明提供一种形成含硅固体薄膜层的原子层沉积方法。将基底置入腔体，此后，将含Ｓｉ和氨基硅烷的第一反应物注入腔体。该第一反应物的第一部分化学吸附于基底上，第一反应物的第二部分物理吸附于基底上。一个优选方案中，通过吹洗和冲洗腔体，将第一反应...

一种溅射装置，包括溅射室，放置在溅射室中的靶极，以及在靶极前面产生旋转磁场的磁场发生器。该磁场发生器包括朝向该靶极背面的主磁场产生部件，并且相对于穿过该靶极中心的垂直线水平偏移。主磁场产生部件的磁环形成一面向靶极中心部分和边缘部分的位置...

本发明提供了一种金属氧化物薄膜的制备方法，其中通过第一反应物和第二反应物之间的化学反应产生的金属氧化物以薄膜形式沉积在基底的表面上。该方法包括将含有金属－有机化合物的第一反应物引入包括基底的反应室；以及引入含醇的第二反应物。由于将不含氧...

本发明提供一种利用碳纳米管（ＣＮ＿Ｔ）作为模板制备无机纳米管的方法。该方法包括制备其上形成ＣＮ＿Ｔ或ＣＮ＿Ｔ阵列的模板；利用原子层沉积法（ＡＬＤ）通过在模板上沉积无机材料，于ＣＮ＿Ｔ上形成无机薄膜；及除去ＣＮ＿Ｔ，得到无机纳米管或无机纳...

本发明公开了一种原子层沉积（ＡＬＤ）反应设备。该提供的设备包括：真空室，其具有进气口、出气口、以及连接进气口和出气口的气流通道；位于真空室内的反应器，其包括反应室和气体分配器，在反应室中，通过气流通道输入的气体与位于反应室内的样品进行反...

一种磁控管溅镀装置，包括：　　　　真空室，所述真空室中形成有放电气体入口和放电气体出口；　　　　设置在所述真空室内部的基板支撑器；　　　　磁路单元，所述磁路单元包括设置在基板对面的靶电极和安装在靶电极背部的磁控管，　　　　其特征在于，磁...

一种用于溅射沉积而安装在溅射室上的溅射导体靶，该靶包括：　　　　中心部分；　　　　围绕中心部分并且具有比中心部分更大厚度的边缘部分；和　　　　位于中心部分和边缘部分之间的倾斜部分，并且倾斜部分与垂直于边缘部分顶表面的方向成大约３０°－７...

本发明提供一种化学汽相淀积装置，其包括：箱体；基座，位于该箱体内，安装玻璃面板；扩散器，将该箱体内部分割成上部空间和下部空间，具有连接上部空间和下部空间的多个喷射孔；气体注入管，通过扩散器的喷射孔，向箱体内注入气体；以及陶瓷结构，安装在...

一种等离子体增强的化学气相淀积设备包括处理室和在处理室内延伸的至少一个注气导管。每个注气导管具有注射区，来自注射区的源气体通过导管的侧壁引入处理室中。为此，在注射区中设置多个槽。槽最小化注气导管内源气体将变为等离子体的可能性。由此，可以...