本发明公开了一种洗衣机，其具有改进的结构的控制面板组件，以使旋钮的振动和旋钮与其它周围部件的干扰所导致的问题最小化。该洗衣机的控制面板组件，包括：控制面板；在控制面板上安装的旋钮引导器；和旋钮，该旋钮可旋转地安装在旋钮引导器上并且包括通...

本发明公开了一种能够保持衣物的平衡状态以更平稳地执行旋转脱水操作的洗衣机及其控制方法。一种包括容纳衣物的滚筒和旋转滚筒的电机的洗衣机的、用于减小由于衣物的不均匀分布产生的不平衡的控制方法，所述方法包括：通过加速滚筒卷绕衣物，使得衣物附于...

本发明公开了一种滚筒型洗衣机及其门，用于利用自然对流消除门玻璃内的水气。该滚筒型洗衣机的门包括：门玻璃；内门，该内门包括与内门一体形成、用于支撑门玻璃的外部表面的夹持器；外门，该外门具有与外门一体形成的支撑肋，用于支撑门玻璃的内部表面；...

本发明在这里公开了一种包括平衡器的洗衣机，该洗衣机在水桶的过量振动发生的期间内逐步地增大旋转桶的速度，以无振动地经过该过量振动期间，本发明还公开了一种控制该洗衣机的方法。控制该洗衣机的方法包括在水桶的过量振动发生的期间内，逐步地增大旋转...

本发明公开了一种圆柱形旋转桶体以及具有该桶体的滚筒型洗衣机，其中通过轧制板件形成旋转桶体，以使得板件的两端相互连接。洗衣机包括圆柱形旋转桶体和多个升降器，该升降器在旋转桶体的内部周边表面上相互隔开。旋转桶体包括升降器安装部件，其上安装有...

本发明公开了一种具有排水过滤器的排水装置，该排水装置致使包含在洗涤水内的异物有效地通过过滤器室过滤掉，以防止异物流入泵室，并且允许洗涤水平滑地在过滤器室内流动，从而长时间的使用排水过滤器，以及一种具有该排水装置的洗衣机。该洗衣机包括设置...

本发明在此公开了一种提高洗涤效率的洗衣机，所述洗衣机能够防止由于旋转脱水孔造成衣物变形，增加洗涤桶的内表面和衣物之间的摩擦以提高洗涤效率，并减少洗涤水的消耗量。洗衣机包括水桶、安装在水桶中的洗涤桶、使洗涤桶旋转的驱动单元、以及将在水桶中...

在一种装载片子的方法中，一种舟使得能够减少垂直扩散炉内片子中产生的晶体缺陷并提高工艺均匀性。提供了一种舟，它包含一对用来支持片子面对面二边的侧面舟杆、一对彼此比侧面舟杆靠得更近且平行于侧面舟杆安装的用来支持片子边缘的后部舟杆、以及以相等...

一种硅锭按一拉晶速率分布下进行，其拉速要足够高以限制间隙凝聚，且还要足够低以便将空位凝聚限定在晶锭轴向上的富含空位区上。将晶锭切割成许多半纯晶片，每个晶片在中央具有富含空位区，包括空位凝聚，和在富含空位区与晶片边缘之间的纯度区，无空位凝...

本发明提供了一种薄膜制备方法。该方法通过在基片上致密化学吸附第一种反应剂和第二种反应剂，从而利用化学交换形成固态薄膜。根据本发明，由于该第一种反应剂和该第二种反应剂是致密化学吸附的并且通过清洗或抽气完全去除了杂质，故有可能制备膜密度高的...

提供了具有受控缺陷分布的硅晶片，其中具有离晶片表面向内足够深度的贫化区与晶片主体区内的高捕获效应相结合。在硅晶片中，充当本征捕获位的氧淀析物表现出垂直分布。从晶片顶面至底面的氧淀析物浓度分布包括：分别位于离晶片的顶面和底面第一和第二预定...

本发明提供了一种结晶无定形硅的方法。该方法包括，将纳米颗粒供给在无定形硅层的表面上；在供给纳米颗粒的同时间断地熔化到达无定形硅层表面的纳米颗粒；并冷却该无定形硅层以使用未熔的纳米颗粒作为晶种来生长晶体，这样形成多晶硅层。由于外部提供的纳...

一种用以生长单晶硅锭的Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ拉晶炉，其包括：　　　　封闭体；　　　　在封闭体中的坩埚；　　　　在封闭体中的拉晶轴，具有轴向轴和与坩埚相邻的轴端；　　　　用以将轴轴向拉离坩埚的装置；　　　　在封闭体中至少有一个加热器，其环...

本文公开了一种溶胶－凝胶过程。该过程包括以下步骤：将具有Ｓｉ－Ｏ骨架结构的有机粘接剂与热解法二氧化硅一起分散到去离子水中，以制备溶胶；将溶胶注入模具，以形成凝胶；干燥凝胶；除去凝胶中残留的有机物质；除去凝胶中残留的杂质和ＯＨ自由基；和在...

本发明公开了一种用于生长单晶硅锭的Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ拉晶设备，其包括加热室壳、加热室壳内用于装盛熔融硅的坩埚、加热室壳内坩埚附近用以夹持籽晶的籽晶夹具以及加热室壳内环绕坩埚的加热器。还在加热室壳内设置环形的热屏蔽护套，该护套包括彼此...

提供了一种用于生长单晶硅锭的丘克拉斯基提拉器，包括：腔封套；在该腔封套中装盛熔融硅的坩埚；在该腔封套中的籽晶夹具，它靠近坩埚用于夹持籽晶；在该腔封套中的加热器，它环绕坩埚；在该腔封套中的环形隔热罩，包括相互隔离的内和外隔热罩壁；连接内和...

本发明公开了一种具有受控缺陷分布的硅晶片，其中，具有从晶片表面向内的足够深度的脊区与晶片体区内的高吸除效应结合。硅晶片中，充当内部吸除位置的氧淀析具有垂直分布。从晶片顶面到底面的氧淀析浓度分布包括在距晶片顶面和底面第一和第二预定深度处的...

本发明公开了一种镀覆方法，所述方法包括：准备镀覆基板；在镀覆基板的镀覆表面上印刷镀覆图案；和镀覆该镀覆基板的镀覆表面。在镀覆过程中，镀覆层形成在没有印刷镀覆图案的部分。提供所述方法以有助于紧凑型装置例如便携终端的外观的多样化，所述方法能...

本发明提供了用于浓缩包含细胞或病毒的样品和溶解细胞或病毒的微观流体装置，该装置包括：容纳阳极的阳极室，容纳阴极的阴极室，分隔阳极室和阴极室的离子交换膜，阴极室包含固体载体；本发明还提供了制造所述微观流体装置的方法，及使用该微观流体装置浓...

本发明提供了使用凸点下金属层用蚀刻组合物形成凸点结构的方法。在用于凸点下金属（ＵＢＭ）层的蚀刻组合物和形成凸点结构的方法中，该蚀刻组合物包括：约４０重量％～约９０重量％的过氧化氢（Ｈ↓［２］Ｏ↓［２］），约１重量％～约２０重量％的包括氢...