专利查询
首页
专利评估
登录
注册
三星电子株式会社专利技术
三星电子株式会社共有64267项专利
确定无线通信系统中网络切片优先级的方法和装置制造方法及图纸
本公开涉及支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。根据实施方式,本公开提出了一种在无线通信系统中确定网络切片优先级的方法及装置。所述方法包括:从第二节点接收请求切片优先级相关信息的第一消息;获取与网络切片接入层组(NSAG)对应的切片...
用于在无线通信系统中提供AI和ML媒体服务的方法和设备技术方案
本公开涉及用于支持更高数据速率的5G或6G通信系统。根据本公开的各种实施例,一种由无线通信系统中的用户设备UE执行的方法,所述方法包括:从第一网络实体接收关于至少一个人工智能AI模型的信息;基于关于至少一个AI模型的信息确定AI模型;确...
存储器件和存储系统技术方案
本公开涉及存储器件和存储系统。一种示例存储器件包括沿第一方向堆叠的第一核裸片、第二核裸片和基体裸片。所述基体裸片被配置为:通过贯通通路基于模式信号以不同的突发长度输出由所述第一核裸片和所述第二核裸片提供的存储单元的数据。所述贯通通路在所...
半导体器件和包括该半导体器件的电子系统技术方案
一种半导体器件包括:电路区域,包括衬底上的外围电路;以及单元区域,与电路区域相邻。单元区域包括单元阵列区域和连接区域。单元区域还包括:栅极堆叠,包括交替地堆叠在衬底上的层间绝缘层和栅电极;沟道,在单元阵列区域中,该沟道延伸穿过栅极堆叠;...
动态电压频率调节控制器、操作其的方法和集成电路技术
提供了一种动态电压频率调节控制器、操作其的方法和集成电路。所述集成电路包括:至少一个子块电路,被配置为处理指令;以及DVFS控制器,被配置为:基于从由包括电源管理单元(PMU)、电力输送网络(PDN)和子块电路的整个电源系统的动态特性产...
半导体器件制造技术
本发明公开了一种半导体器件,该半导体器件可以包括在基板上的下布线结构,该下布线结构包括多条布线。所述多条布线包括:第一布线组,具有第一堆叠结构,第一堆叠结构包括构成接触插塞和导电图案的金属图案和阻挡金属图案,并且阻挡金属图案围绕金属图案...
图像传感器、其操作方法和电子装置制造方法及图纸
提供了一种图像传感器、其操作方法和电子装置。所述图像传感器包括:第一光电元件;第二光电元件,具有比第一光电元件的接收面积大的接收面积;第一浮置扩散区,由第一光电元件生成的电荷存储在第一浮置扩散区中;第二浮置扩散区,由第二光电元件生成的电...
图像获取装置以及获取图像的方法制造方法及图纸
提供了一种图像获取装置,包括:多光谱图像传感器,被配置为通过通道之间的重叠最小的八个或更多个通道获取存在至少一个照明源的环境中的至少一个对象的图像;以及处理器,被配置为通过使用与八个或更多个通道相对应的通道信号来估计获取的图像的照明光谱...
半导体装置及其制造方法制造方法及图纸
公开了半导体装置和制造半导体装置的方法。该半导体装置包括电容器包括第一电极、第二电极、以及第一电极与第二电极之间的电介质层,其中,第一电极和第二电极中的至少一个包括纳米层叠电极,纳米层叠电极包括多个第一材料层和多个第二材料层,多个第一材...
光学存储器模块和包括该光学存储器模块的光学计算系统技术方案
本申请涉及光学存储器模块和包括该光学存储器模块的光学计算系统。光学存储器模块包括衬底、衬底上的第一存储器控制器以及衬底上的多个第一存储器设备。第一存储器控制器包括第一收发器。第一收发器通过第一光学互连接收第一光学输入信号或通过第一光学互...
接收器和包括该接收器的半导体存储器装置制造方法及图纸
提供了一种接收器和半导体存储器装置。接收器中包括判决反馈均衡器。包括其中具有第一多个加法器的第一级和其中具有第二多个加法器的第二级的级联布置的均衡器被配置为:(i)响应于多个选择信号,通过将数据信号的当前值与多个反馈信号相加来生成补偿数...
用于流量紧急性指示的方法和装置制造方法及图纸
用于支持流量紧急性指示的方法和装置。一种由包括第一站(STA)的非接入点(AP)设备执行的无线通信方法,包括:形成与第一AP的链路;向第一AP发送与流量传输相关联的信息,该信息包括被配置为帮助第一AP做出调度决策的调度参数;从第一AP接...
使用双向预测的图像编码和解码方法及发送比特流的方法技术
公开了一种使用双向预测的图像编码和解码方法及发送比特流的方法,所述图像解码方法包括以下步骤:获得用于对当前块进行双向预测的第一参考块和第二参考块;从比特流获得用于将第一参考块与第二参考块组合的权重信息;对所述权重信息执行熵解码以获得权重...
使用双向预测的图像编码和解码方法及发送比特流的方法技术
公开了一种使用双向预测的图像编码和解码方法及发送比特流的方法,所述图像解码方法包括以下步骤:获得用于对当前块进行双向预测的第一参考块和第二参考块;从比特流获得用于将第一参考块与第二参考块组合的权重信息;对所述权重信息执行熵解码以获得权重...
蚀刻组合物、使用其蚀刻含金属的膜的方法和使用其制造半导体器件的方法技术
提供蚀刻组合物、使用其蚀刻含金属的膜的方法和使用其制造半导体器件的方法。所述蚀刻组合物包括氧化剂、酸和选择性蚀刻抑制剂,其中所述氧化剂为不含金属的,所述选择性蚀刻抑制剂包括包含第一重复单元和第二重复单元的共聚物,所述第一重复单元不同于所...
半导体器件制造技术
一种半导体器件包括:位线,位于衬底的单元区域上;接触插塞,位于所述位线之间;着陆焊盘,位于所述接触插塞上;外围栅极,位于所述衬底的外围电路区域上;下层间绝缘层,覆盖所述外围栅极的侧表面;外围接触插塞,穿透所述下层间绝缘层;外围互连层,位...
集成电路器件制造技术
一种集成电路器件包括:衬底、在衬底的第一表面上在第一水平方向上延伸的鳍型有源区、在鳍型有源区上的源极/漏极区、在源极/漏极区上并电连接到源极/漏极区的有源接触、在比源极/漏极区高的垂直水平处延伸的布线、穿透源极/漏极区上的绝缘层并用作有...
具有减少串扰效应的通路结构的装置制造方法及图纸
提供了一种具有减少串扰效应的通路结构的装置。所述装置包括:印刷电路板(PCB),所述PCB包括顺序堆叠的多层;第一通路结构,所述第一通路结构部分穿透所述PCB的所述多层并且连接到位于所述多层中的第一层上的第一金属板;以及第二通路结构,所...
包括固定结构的半导体存储器模块制造技术
公开了一种半导体存储器模块。该半导体存储器模块包括:第一基板,其包括第一拐角部;第一半导体封装件,其安装在第一基板的下表面上;第二基板,其设置在第一基板上方,并包括与第一拐角部相对应的第二拐角部;第二半导体封装件,其安装在第二基板的上表...
气体混合装置制造方法及图纸
一种气体混合装置可包括主管道和连接到主管道的气体传输装置。气体传输装置可包括围绕主管道的分配装置、连接到分配装置并限定供应路径的供应管道、以及将分配装置连接到主管道的多个连接管道。分配装置可包括顺序地设置为围绕主管道并且在径向上与主管道...
首页
<<
234
235
236
237
238
239
240
>>
尾页
科研机构数量排行前10
华为技术有限公司
134485
珠海格力电器股份有限公司
99367
中国石油化工股份有限公司
87773
浙江大学
81467
三星电子株式会社
68335
中兴通讯股份有限公司
67403
国家电网公司
59735
清华大学
56623
腾讯科技深圳有限公司
54362
华南理工大学
51829
最新更新发明人
同济大学
28613
京东方科技集团股份有限公司
51234
LG电子株式会社
27726
交互数字专利控股公司
2505
日铁化学材料株式会社
428
南京逐陆医药科技有限公司
40
青庭智能科技苏州有限公司
14
思齐乐私人有限公司
12
索尼互动娱乐股份有限公司
758
北京卡尤迪生物科技股份有限公司
14