三星电子株式会社专利技术

三星电子株式会社共有64267项专利

  • 公开了电子装置及其操作方法和操作无线通信系统的方法。所述电子装置包括:至少一个存储器;通信接口,包括天线阵列,天线阵列被配置为形成多个候选波束;以及至少一个处理器,可操作地连接到通信接口和所述至少一个存储器。所述至少一个处理器被配置为:...
  • 公开杂环化合物和包括其的有机发光器件,所述杂环化合物由式1表示。在式1中,X<subgt;1</subgt;为单键、O、S、Se、N(Ar<subgt;2</subgt;)、N(R<subgt;1</...
  • 一种集成电路,包括:标准单元,该标准单元包括第一晶体管和第二晶体管,第一晶体管和第二晶体管中的每一个设置在衬底的正面上;背面过孔,沿相对于衬底的竖直方向穿过衬底;背面布线层,包括背面电力轨,背面电力轨设置在衬底的背面上并且通过背面过孔与...
  • 提供了一种用于在FR2相控阵列发送器中进行负载阻抗感知有效各向同性辐射功率(EIRP)校准的方法和设备,其中,在天线路径的双向耦合器处接收第三信号。基于第四信号和第五信号测量递送到天线路径的天线的第三功率,其中,第四信号与从双向耦合器提...
  • 本公开提供了用于优化PCell和PSCell的同时条件重配置的系统和方法。一种用于针对用户设备(UE)优化主小区(PCell)和主辅小区(PSCell)的同时条件重配置的方法包括:从基站接收无线电资源控制(RRC)重配置消息,所述RRC...
  • 一种图像获得装置包括:图像传感器,包括微透镜和共享微透镜的多个相邻像素;以及处理器,被配置为:基于从图像传感器接收到的输入图像来产生具有相同视差的多个视差图像;将多个视差图像之中的具有相似图像特性的第一视差图像分为一组;对第一视差图像执...
  • 一种半导体存储器件,包括:衬底;模制结构,包括交替地堆叠在衬底上的多个栅电极和多个模制绝缘膜;沟道结构,在第一方向上延伸并穿透模制结构,该沟道结构包括半导体图案、以及在半导体图案与多个栅电极之间的铁电膜;沟道焊盘,在沟道结构上;以及位线...
  • 提供聚合物、包括所述聚合物的含聚合物的组合物、以及通过使用所述含聚合物的组合物形成图案的方法,所述聚合物包括由式1表示的第一重复单元且具有50℃或更低的玻璃化转变温度,其中,在式1中,L<subgt;11</subgt;至L...
  • 一种半导体器件包括:位于衬底上的着陆焊盘;下电极,下电极在着陆焊盘上沿垂直方向延伸,下电极连接到着陆焊盘;位于下电极上的电容器电介质层;位于下电极与电容器电介质层之间的掺杂层,掺杂层与下电极和电容器电介质层中的每一者接触,掺杂层掺杂有第...
  • 提供了存储器控制器、其操作方法及包括其的存储设备。存储器控制器包括健康等级确定电路和IO比率设置电路,该健康等级确定电路基于从存储块的至少一个页面读取的数据的错误检测结果和与所述存储块的劣化程度相关的块信息的组合来确定所述存储块的健康等...
  • 提供了半导体存储器装置和包括其的电子系统。所述半导体存储器装置包括单元阵列结构和外围电路结构。单元阵列结构包括第一堆叠结构、在第一堆叠结构上的第二堆叠结构和在第二堆叠结构上的第三堆叠结构,第一堆叠结构至第三堆叠结构中的每个包括多条字线、...
  • 一种装置包括通信接口和可操作地耦合到通信接口的处理器。处理器被配置为经由通信接口接收包括复杂度度量(CM)元数据的比特流。处理器被配置为针对多个CU大小中的每个CU大小,从比特流提取CM元数据中的信息,其中信息包括比特流中具有非零变换系...
  • 根据一个实施例,提供了一种包括显示面板的可穿戴装置,其包括显示面板,该显示面板可以包括多个发光器件、衬底、PDL堤以及胆甾相液晶(CLC)膜,衬底具有布置在其上的多个发光器件;PDL堤围绕并分隔多个发光器件中的每个并且因此限定多个子像素...
  • 实施例涉及一种用于在超宽带(UWB)系统中调度感测和测距的方法。该方法包括:确定包括多个循环的块,其中多个循环中的每一者包括多个时隙;以及确定是要在单个会话还是多个会话中调度感测和测距。此外,该方法包括通过以下方式来调度感测和测距:响应...
  • 一种半导体装置,包括:第一衬底,其掺杂有第一导电类型的杂质;第一阱区,其形成在第一衬底中并且掺杂有不同于第一导电类型的第二导电类型的杂质;第一保护带,其在平行于衬底的上表面的第一方向上延伸,位于第一阱区中,并且掺杂有第二导电类型的杂质;...
  • 提供了一种图像传感器,包括传感器基板和纳米光子透镜阵列,传感器基板包括被配置为感测光的多个像素,纳米光子透镜阵列被配置为基于颜色分离入射光并且将分离的入射光会聚到多个像素上,其中纳米光子透镜阵列包括二维设置的多个超级单元,并且包括第一单...
  • 公开有机金属化合物、包括有机金属化合物的有机发光器件和包括有机发光器件的电子设备。所述有机金属化合物由式1表示,其中M<subgt;1</subgt;为过渡金属,L<subgt;1</subgt;为由式1A表示的...
  • 充电电路可以包括降压‑升压电路和电压调节器电路,其中降压‑升压电路将在第一节点处接收的第一输入电压转换为第一输出电压并且基于第一输出电压对电池充电,并且将从电池提供的第二输入电压时分转换为提供给第一外部设备的第二输出电压和提供给第二外部...
  • 公开了半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统。该半导体器件包括第一半导体结构和在第一半导体结构上的第二半导体结构,第一半导体结构包括基板、电路元件和电路互连线。第二半导体结构包括:板层;第一栅电极,在第一方向上堆叠在板层上并彼此间隔...
  • 本公开涉及三维(3D)半导体存储器件和包括其的电子系统。示例3D半导体存储器件包括:外围电路结构,所述外围电路结构位于外围基板上;堆叠结构,所述堆叠结构包括堆叠在所述外围电路结构上的多个栅电极;n掺杂图案,所述n掺杂图案位于所述堆叠结构...