专利查询
首页
专利评估
登录
注册
三星电子株式会社专利技术
三星电子株式会社共有64267项专利
半导体器件制造技术
一种半导体器件可以包括:衬底,包括由第一器件隔离层限定的第一有源区;位线接触,布置在衬底的第一有源区上;以及位线,在衬底上沿第一方向延伸。位线包括:下导电层,布置在衬底上以及在位线接触的侧壁上;以及金属线堆叠,布置在下导电层上。金属线堆...
有机金属化合物、包括其的有机发光器件、和包括有机发光器件的电子设备制造技术
公开有机金属化合物、包括其的有机发光器件、和包括有机发光器件的电子设备。所述有机金属化合物由式1表示,其中,在式1中,M<subgt;1</subgt;为过渡金属,L<subgt;1</subgt;为由式1A表示...
一种被配置为对具有浮点类型的数据执行累加的加速器及其操作方法技术
公开了一种对多个数据执行累加运算的加速器,每个数据是浮点类型。一种操作加速器的方法,包括:加载第一数据;找到第一指数,该第一指数是第一数据的指数中的最大值;通过基于第一指数对第一数据的第一尾数执行移位来生成对齐的第一尾数,并且通过对对齐...
包括相机模块的电子装置制造方法及图纸
一种电子装置包括:壳体;以及相机模块,相机模块包括:镜筒以及多个透镜,其中多个透镜包括至少一个其他透镜和最靠近开口设置并具有第一外径的第一透镜,其中第一透镜包括:透镜部分,其形成第一透镜的有效区域,透镜部分暴露于开口;连接部分,其形成第...
显示驱动电路、主机、包括其的显示系统及操作显示驱动电路的方法技术方案
公开了显示驱动电路、主机、包括其的显示系统及操作显示驱动电路的方法。所述显示驱动电路包括:接口,被配置为从外部源接收同步信号和与多个帧中的每个对应的图像数据;数据处理器,被配置为从接口接收图像数据并且将图像数据转换;以及时序控制器,被配...
半导体器件制造技术
提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括半导体图案、位于所述半导体图案上的电介质层和位于所述电介质层上的导电图案。所述半导体图案和所述电介质层中的每一者包括杂质。所述电介质层包括杂质的浓度分布,所述杂质的浓度分布包括第一变化区段和第二变...
用于在移动通信系统中发射数据的方法和设备技术方案
提供了一种无线通信系统中的数据发射方法和设备。更具体地,提供了一种由无线通信系统中的第一节点执行的方法。该方法包括:如果报头配置信息指示将包括网络管理信息和用户服务提供信息中的一个或多个的第一数据包含在报头中,则从第二节点接收报头配置信...
增强现实中获取图像的装置和方法制造方法及图纸
提供了一种在电子设备中向用户推荐用户定制功能的装置和方法。电子设备可以:获取通过与用户的交互而重复发生的用户手势;以及通过考虑用户手势,从多个可访问性功能之中确定要向用户建议的一个或多个定制功能。电子设备可以执行由用户从一个或多个定制功...
相机模块和包括该相机模块的移动电子装置制造方法及图纸
根据一个实施例的电子装置可以包括壳体、沿着光轴设置的透镜组件、以及AF致动器。AF致动器包括:第一AF磁体,设置在透镜组件的面向第一方向的第一表面上;第二AF磁体,设置在相对于透镜组件面向与第一方向相反的方向的第二表面上;第一AF线圈,...
包括电容器的半导体器件制造技术
一种半导体器件包括下部结构,所述下部结构包括导电区域。电容器电连接到所述下部结构的所述导电区域。所述电容器包括:第一电极结构、位于所述第一电极结构之间的至少一个支撑层、覆盖所述第一电极结构和所述至少一个支撑层的电介质层、以及位于所述电介...
半导体存储器件制造技术
半导体器件包括第一衬底以及在第一衬底上的沿第一方向间隔开的第一存储块和第二存储块,第一存储块包括:沿第二方向间隔开的第一位线、与第一位线的侧表面接触并且沿一个方向延伸的第一半导体图案、以及电连接到第一半导体图案的端部的第一电容器;第二存...
用于无线通信系统中多个用户之间空间复用的参考信号的发送和接收的方法和装置制造方法及图纸
本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。本公开涉及用户设备(UE)和基站的操作。具体地,本公开涉及一种用于在无线通信系统中发送或接收数据或参考信号的方法以及执行该方法的装置。
半导体装置制造方法及图纸
本公开提供了一种半导体装置。半导体装置包括:绝缘层,其包括第一表面、第二表面和元件隔离沟槽;绝缘图案,其位于绝缘层的第一表面上;有源图案,其位于绝缘图案上并且包括沟道图案;源极/漏极图案,其位于有源图案的至少一侧上;下布线结构,其位于绝...
通过使用用于输入笔画的手势来识别与笔画相对应的线的电子设备及方法技术
根据实施例,电子设备的处理器可以被配置为,响应于识别出在显示设备的显示器上被拖动的外部对象,基于外部对象被拖动所沿着的轨迹来显示笔画。处理器可以被配置为,响应于在外部对象被识别为被拖动时,识别出在第一时间间隔期间在显示器中的指定大小的区...
半导体装置制造方法及图纸
一种半导体装置包括位线、沟道、第一封盖图案、栅极绝缘图案、栅电极和电容器。位线位于衬底上,并且位线中的每一个在第一方向上延伸。位线在第二方向上彼此间隔开。沟道在第一方向上彼此间隔开。第一封盖图案位于沟道中的每一个的侧壁上。栅极绝缘图案位...
半导体器件制造技术
一种半导体器件包括:衬底;位线,所述位线在所述衬底上沿第一方向延伸;位于所述位线上的第一垂直沟道图案和第二垂直沟道图案;背栅电极,所述背栅电极位于所述第一垂直沟道图案与所述第二垂直沟道图案之间并且跨越所述位线在与所述第一方向垂直的第二方...
集成电路和制造该集成电路的方法技术
本发明公开一种集成电路及其制造方法,该集成电路包括:多个第一栅电极,在垂直于第一方向的第二方向上延伸,其中,所述多个第一栅电极在沿第一方向延伸的第一行中;第一有源图案组,包括在第一行中沿第一方向延伸并且与所述多个第一栅电极交叉的多个第一...
调整帧速率的显示设备和可穿戴设备及其操作方法技术
根据各种实施例的电子设备可以包括显示器、存储指令的存储器、以及可操作地连接到显示器和存储器的处理器。处理器可以被配置为:确定播放图像时的操作频率,并且基于所确定的操作频率来控制显示至少一个应用中的每一个的执行屏幕的帧的输出的操作。
一体式紧固结构和包括该一体式紧固结构的电子装置制造方法及图纸
电子装置可包括:第一结构,具有第一紧固结构;第二结构,设置在所述第一结构的顶部之上并具有第二紧固结构;第三结构,设置在所述第二结构的顶部上并具有第三紧固结构;以及一体式紧固结构,包括第一锁定部和第二锁定部,并且被构造为直接连接所述第一结...
使用来自非允许位置的卫星接入处理UE的NAS消息的方法技术
本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。一种在无线通信系统中由用户设备(UE)执行的方法,所述方法包括:从接入和移动性管理功能(AMF)接收包括关于拒绝服务的信息的第一消息;以及确定不向AMF发送任何预定数据类型的第二消...
首页
<<
190
191
192
193
194
195
196
>>
尾页
科研机构数量排行前10
华为技术有限公司
134485
珠海格力电器股份有限公司
99367
中国石油化工股份有限公司
87773
浙江大学
81467
三星电子株式会社
68335
中兴通讯股份有限公司
67403
国家电网公司
59735
清华大学
56623
腾讯科技深圳有限公司
54362
华南理工大学
51829
最新更新发明人
日铁化学材料株式会社
428
南京逐陆医药科技有限公司
40
北京卡尤迪生物科技股份有限公司
14
思齐乐私人有限公司
12
索尼互动娱乐股份有限公司
758
格莱科新诺威逊私人有限公司
2
青庭智能科技苏州有限公司
14
京东方科技集团股份有限公司
51232
联想北京有限公司
28609
微软技术许可有限责任公司
8923