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三星电子株式会社专利技术
三星电子株式会社共有64267项专利
包括高带宽存储器的存储设备、CXL存储设备、系统级封装和片上系统技术方案
一种计算快速链路(CXL)存储设备可以包括高带宽存储器(HBM),该HBM包括CXL基管芯以及依次堆叠在CXL基管芯上的多个核管芯。CXL基管芯可以包括HBM接口知识产权(IP)核,该HBM接口IP核被配置为按照CXL规范转换该多个核管...
使用数据选通信号的存储器设备及其方法技术
本公开涉及使用数据选通信号的存储器设备和用于补偿其数据选通信号的偏斜的方法。存储器设备包括核心管芯及缓冲器管芯,核心管芯包括存储器单元阵列,缓冲器管芯通过一个或多个硅通孔电连接到核心管芯。缓冲器管芯包括DQS生成电路、DQS校准电路和系...
具有多个储存区的储存装置和控制储存装置的方法制造方法及图纸
一种储存装置和控制储存装置的方法。该储存装置包括非易失性存储器和储存控制器。非易失性存储器包括多个储存区,并且多个储存区包括具有不同类型的第一储存区和第二储存区。储存控制器基于主机装置的安全等级信息和非易失性存储器的其余储存区信息在第一...
半导体器件制造技术
一种半导体器件包括:衬底,该衬底包括单元区域和外围区域;第一下绝缘层,设置在单元区域上并延伸到外围区域上;第二下绝缘层,设置在单元区域上的第一下绝缘层上并延伸到外围区域上的第一下绝缘层上;数据存储图案,设置在单元区域上的第二下绝缘层上;...
用于设备更改的电子设备及其操作方法技术
根据本公开的一个实施例,一种IoT设备的操作方法可以包括以下操作:从IoT服务器接收设备更改请求;响应于接收到设备更改请求,将第一设备断开连接;响应于将第一设备断开连接,切换到用于建立与另一设备的无线通信链路的配对模式;在保持配对模式的...
半导体器件制造技术
提供了一种半导体器件。半导体器件包括在衬底上彼此相邻的第一逻辑单元和第二逻辑单元、以及在第一逻辑单元与第二逻辑单元之间在第一方向上延伸的混合分离结构。每个逻辑单元包括:第一有源图案和第二有源图案,第一有源图案和第二有源图案在与第一方向相...
包括衬底结构的半导体器件制造技术
一种半导体器件可包括:第一半导体结构,其包括第一衬底结构的上表面上的第一器件层,第一器件层包括半导体器件的第一区域;以及第二半导体结构,其包括第二衬底结构的下表面上的第二器件层,第二器件层连接到第一器件层并且包括半导体器件的第二区域。第...
包括电磁传感器的电子装置制造方法及图纸
根据本公开一个实施例的电子装置可以包括:壳体,包括第一壳体和第二壳体,第二壳体围绕折叠轴相对于第一壳体旋转;电磁构件,布置在第一壳体和第二壳体中的一个中,并生成电磁场;电磁传感器,布置在第一壳体和第二壳体中的另一个中,并检测电磁场;以及...
半导体器件制造技术
提供了一种半导体器件。半导体器件包括在衬底上彼此相邻的第一逻辑单元和第二逻辑单元、以及在第一逻辑单元与第二逻辑单元之间在第一方向上延伸的混合分离结构。每个逻辑单元包括:第一有源图案和第二有源图案,第一有源图案和第二有源图案在与第一方向相...
包括背面供电网络的半导体器件制造技术
提供了包括背面供电网络(BSPDN)的半导体器件。该半导体器件包括:基板;第一有源图案,在基板的顶表面上在第一方向上延伸;第二有源图案,在基板的顶表面上在第一方向上延伸并在与第一方向交叉的第二方向上与第一有源图案间隔开;栅极结构,在第一...
用于调整数据和时钟之间的偏斜的装置和方法制造方法及图纸
提供了一种装置和一种用于调整数据与时钟之间的偏斜的方法。由电源电压驱动的装置包括调整数据与时钟之间的偏斜的时钟电路。时钟电路基于数据与时钟之间的相位差执行经过第一环路的第一环路操作以及经过第二环路的第二环路操作。执行第一环路操作,直到数...
包括金属层的显示器结构和包括所述显示器结构的电子装置制造方法及图纸
根据本公开的实施例的电子装置可包括壳体和显示单元,所述显示单元包括显示面板、保护层、金属层和多个粘合层,并且所述显示单元的至少一部分在弯曲区段处是可弯曲的,其中,所述金属层包括第一金属层和第二金属层,其中,所述第一金属层包括设置在所述显...
用于供电的电子装置及其控制方法制造方法及图纸
该电子装置包括:电磁干扰(EMI)滤波器;桥式二极管,连接到EMI滤波器的输出端子;以及功率因数校正(PFC),连接到桥式二极管的输出端子,并且包括PFC IC,其中,PFC IC控制PFC中包括的电感器中流动的电感器电流,以使其保持在...
电子设备和电子设备的控制方法技术
公开了一种电子设备和用于控制电子设备的方法。具体地,根据本公开的电子设备包括:通信单元;存储器,所述存储器包括与神经网络模型有关的信息,所述神经网络模型用于预测广告内容的每个时间槽的目标设备;以及处理器。此外,处理器可以:从多个外部设备...
互连结构体、其制造方法、以及包括其的电子设备技术
本发明涉及互连结构体、其制造方法、以及包括其的电子设备。公开了互连结构体,所述互连结构体包括基底、在所述基底上的导电层、以及与所述导电层接触的钝化层,其中所述钝化层包括:包括具有六方晶体结构的氮化硼(h‑BN)的第一层和包括非晶氮化硼(...
包括散热构件的电子装置制造方法及图纸
根据本公开的实施例的一种电子装置可以包括:第一壳体;第二壳体;铰链结构,连接到第一壳体和第二壳体,以当电子装置在展开状态和折叠状态之间改变其状态时使第一壳体和第二壳体能够旋转;柔性显示器,容纳在第一壳体和第二壳体中并定位为当电子装置的状...
包括绝缘材料的半导体封装件制造技术
一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:再分布结构,所述再分布结构包括包含铜(Cu)的再分布层和围绕所述再分布层的绝缘层;半导体芯片,所述半导体芯片安装在所述再分布结构上并包括连接焊盘;内部连接端子,所述内部连接端子位于所述再分布结构和...
半导体存储器装置制造方法及图纸
提供了一种半导体存储器装置,所述半导体存储器装置包括:器件隔离图案,在半导体基底中并限定在第一方向上延伸的有源图案;位线,与半导体基底上的有源图案交叉并且在与第一方向形成锐角的第二方向上延伸;字线,在与第二方向交叉的第三方向上横跨有源图...
电子装置及其方法及非暂时性计算机可读记录介质制造方法及图纸
本公开提供了一种电子装置及其方法及非暂时性计算机可读记录介质,根据各种实施例,该电子装置可包括:显示器,多个相机,存储指令的存储器,以及与显示器、多个相机及存储器可操作性地耦接的至少一个处理器。该至少一个处理器在运行指令时,基于正在从多...
存储器设备、存储器系统和存储器设备的操作方法技术方案
一种存储器设备,包括包含存储器单元行的存储器单元阵列、基于第一种子和第一程度而生成n位第一伪随机位序列信号的第一随机数发生器、第一存储器单元行选取电路和第二存储器单元行选取电路、以及刷新控制电路。第一存储器单元行选取电路以第一周期随机地...
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