一种由被包括在电子装置中的至少一个处理器执行的卷积处理方法，包括：通过将二进制形式的多个输入特征值乘以二进制形式的多个权重值来获得多个部分和；对所述多个部分和之中的多个第一部分和进行反相，其中，所述多个第一部分和对应于通过将所述多个输入...

本公开提供了用于训练神经辐射场并从新视点利用视图相关效果产生3D场景的渲染的方法和设备。使用与多个未掩蔽区域相关联的第一损失来初始训练神经辐射场，多个未掩蔽区域与参考图像和多个目标图像相关联。还可使用与参考图像中的掩蔽区域的深度估计相关...

公开了一种设备。高速缓存处理器可以代表应用执行指令。存储介质可以存储指令。指令可以是与应用相关联的高速缓存程序的一部分。该设备可以至少部分地基于该指令与存储设备的第一存储和第二存储中的至少一个通信。

公开了一种控制执行人工智能计算的计算设备的主机的操作方法。该操作方法包括从计算设备接收配置信息，通过基于配置信息对权重数据执行轻量化来生成多个轻量化权重数据，通过基于配置信息对多个轻量化权重数据执行对准操作来生成多个文件，以及将多个文件...

公开了半导体器件。所述半导体器件包括：有源区域，在基底上在第一方向上延伸；多个沟道层，在垂直方向上彼此间隔开；栅极结构，包括栅电极、栅极间隔件和栅极覆盖层，栅电极与基底上的有源区域和所述多个沟道层交叉并且围绕所述多个沟道层中的沟道层延伸...

提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一沟道图案，在第一有源鳍上；第二沟道图案，在第二有源鳍上；下分隔件，位于第一沟道图案与第二沟道图案之间，其中，下分隔件包括：在竖直方向上从第一沟道图案与第二沟道图案之间的空间延伸到第一有源鳍与...

一种使用增强现实来显示附近兴趣点(POI)的方法及其电子装置。一种电子装置的操作方法，包括：获取预览视频；获取所述电子装置的位置信息；获取关于位于附近的至少一个POI的信息；在所述至少一个POI当中选择焦点POI；确定针对一般POI要向...

一种存储设备可以包括：监视模块，监视包括在非易失性存储器的单元阵列中的多个块的特性劣化速率；组管理模块，基于所述监视模块的监视结果将所述多个块指定为一个或更多个组；刷新周期管理模块，确定所述一个或更多个组中的每个组的刷新周期；以及处理器...

根据一实施例的电子装置包括：柔性显示器；第一壳体；第二壳体，能够相对于第一壳体旋转；铰链结构，包括第一铰链板和第二铰链板；加强构件；柔性印刷电路板；以及保护层，在展开状态下平行于第一壳体和第二壳体之间的边界并围绕铰链结构的一部分。第一铰...

本公开涉及一种用于支持更高数据发送速率的5G或6G通信系统。根据本公开的一种由无线通信系统中的网络开放功能（NEF）实体执行的方法可以包括以下步骤：从应用功能（AF）实体接收请求协商具有QoS的计划数据传送（PDTQ）策略的第一消息，基...

本公开涉及一种用于在无线通信系统中操作终端的方法和执行该方法的装置，该方法的特征在于包括以下步骤：从非陆地网络的基站接收由该基站操作的小区的参考位置信息；基于参考位置信息来确定是否满足用于执行用于节省功率的操作的触发条件；以及当满足触发...

本公开涉及一种用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。本文实施例公开了在无线网络(1000)中由UE(100)处理较低层触发移动性(LTM)的方法。该方法包括：从网络实体(200)接收包括LTM配置的RRC重配置，该LTM配置具有...

包括多个显示装置的模块化显示装置的显示装置，包括：通信接口；以及多个驱动器集成电路（IC），其中，该多个驱动器IC中的第一驱动器IC被配置为：基于通过通信接口接收到外部设备发送的第一信号，向与第一驱动器IC相邻的第二驱动器IC发送第一信...

一种功率半导体器件包括：基底，包括第一导电类型的SiC；第一导电类型的漂移层，在基底上；第二导电类型的阱区域，在漂移层上；第一导电类型的源极区域，在阱区域上；多个栅电极，在穿过源极区域和阱区域的多个栅极沟槽中，并且在与基底的上表面平行的...

根据本公开的实施例的用于Wi‑Fi感知通信的第一电子设备的方法包括以下操作：发送包括邻居感知网络（NAN）同步帧格式的蓝牙低能量（BLE）通告消息；向第二电子设备发送第一服务发现帧SDF消息，以在第一电子设备和第二电子设备之间进行服务发...

本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。具体地，本公开提供了无线通信系统中用于使用配置资源的SDT过程的方法和装置。根据本公开的各种实施例，可以为UE有效地增强使用配置资源（或配置授权资源）的SDT过程。

本发明涉及包含至少一种发光结构部分的组合物。

公开了一种半导体纳米颗粒、制备该半导体纳米颗粒的方法以及包括该半导体纳米颗粒的墨组合物、半导体纳米颗粒复合物、颜色转换结构和电子装置。半导体纳米颗粒包括银、铟、镓和硫，且镓与铟的摩尔比（Ga/In）大于或等于约0.8:1且小于或等于约2...

公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括：半导体基底，包括器件区域和围绕器件区域的边缘区域；互连结构，包括在竖直方向上堆叠在器件区域上的多个导电图案层；保护环结构，在水平方向上延伸以在边缘区域内围绕互连结构；裂缝阻挡结构，设置在保护环结...

更具体地，公开了防水支架和包括该防水支架的电子装置。本发明的包括至少一个电部件的电子装置可以包括暴露于电子装置的外部并配置为接收来自用户的输入的按钮、电连接到按钮并配置为传输来自按钮的输入信号的按钮线缆、以及具有位于暴露于从电子装置的外...