三星电子株式会社专利技术

三星电子株式会社共有64087项专利

  • 提供电容器和包括其的电子设备。电容器包括第一电极、面向第一电极的第二电极、以及在第一电极和第二电极之间的介电层。介电层包括在介电层内的中间层,并且中间层包括氧化铝和氧化镓。
  • 提供滤波装置和雷达传感器。所述滤波装置包括:放大电路,被配置为基于输入信号、第一反馈信号和第二反馈信号来生成放大信号;滤波器电路,被配置为通过使放大信号中的在第二截止频率之上的频率分量通过来生成输出信号,并且基于与放大电路的增益对应的第...
  • 提供了信号处理器和包括信号处理器的雷达传感器。所述信号处理器包括:第一滤波器电路,被配置为基于输入信号和反馈信号来生成输出信号,第一滤波器电路包括第一电阻器和第一电容器,所述信号处理器的滤波频率范围基于第一电阻器的第一电阻和第一电容器的...
  • 提供了脉动阵列、包括脉动阵列的处理电路、电子装置和操作脉动阵列的方法。所述脉动阵列包括:多个子处理元件(PE)阵列,其中,所述多个子PE阵列中的每个被配置为接收输入信号,并且基于接收的输入信号来生成输出信号;以及多个输出直接路径(ODP...
  • 一种半导体器件包括外围电路结构和贯穿电极区域,外围电路结构包括电路衬底和在电路衬底上的电路,贯穿电极区域在垂直方向上与外围电路结构重叠,其中贯穿电极区域包括绝缘结构、覆盖绝缘结构的上表面的层间电介质、以及贯穿电极,绝缘结构包括第一绝缘膜...
  • 本公开的实施例提供了共享存储设备和包括其的汽车设备。汽车设备包括电子控制单元、共享存储设备和系统存储器设备。电子控制单元发送代码请求。共享存储设备包括非易失性存储器件和存储控制器,非易失性存储器件存储形成与代码请求相对应的整个代码的代码...
  • 一种半导体封装件,包括:封装件衬底,其包括在其上部的第一导电焊盘;下半导体芯片堆叠结构,其包括在竖直方向上堆叠在封装件衬底上并且通过贯通电极彼此电连接的动态随机存取存储器芯片;上半导体芯片堆叠结构,其包括闪速存储器芯片,闪速存储器芯片中...
  • 公开了一种半导体装置,该半导体装置包括:下电介质层,其包括单元阵列区和连接区;竖直沟道图案,其在单元阵列区上在第一方向和第二方向上彼此间隔开;栅极线,其在单元阵列区上在第一方向上彼此间隔开并且在第二方向上延伸,其中,竖直沟道图案中的至少...
  • 提供叉片堆叠式场效应晶体管(FET)器件。一种叉片堆叠式FET器件包括具有第一下FET和第一上FET的第一堆叠式FET。叉片堆叠式FET器件包括与第一堆叠式FET相邻的第二堆叠式FET。第二堆叠式FET具有第二下FET和第二上FET。叉...
  • 一种半导体存储器件包括:衬底;位线,所述位线在所述衬底上沿第一方向延伸;第一沟道图案,所述第一沟道图案设置在所述位线上;第二沟道图案,所述第二沟道图案设置在所述位线上并且在所述第一方向上与所述第一沟道图案间隔开;第一字线,所述第一字线设...
  • 电致发光器件、其制造方法和包括其的显示装置。电致发光器件包括:彼此间隔开的第一电极和第二电极;设置在第一电极和第二电极之间的发光层;以及在发光层和第二电极之间的电子传输层。发光层包括半导体纳米颗粒,电子传输层包括具有1nm或更大至15n...
  • 公开蚀刻组合物、通过使用其蚀刻含金属的层的方法、和通过使用蚀刻组合物制造半导体器件的方法。所述蚀刻组合物可包括氧化剂、促进剂、铵盐、和水性溶剂,其中所述促进剂可包括一种或多种由式1表示的化合物,并且所述铵盐可包括至少一种具有如下结构的化...
  • 提供了一种包括贯穿过孔的图像传感器和半导体装置。所述图像传感器包括:第一半导体芯片,第一半导体芯片包括第一基底、覆盖第一基底的第一层间绝缘层以及设置在第一层间绝缘层中的第一布线和第一着陆布线;第一贯穿过孔,穿透第一基底并接触第一着陆布线...
  • 本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。根据本公开的一个实施例,提供了一种用于无线通信系统中的边缘配置服务器(ECS)的方法,并且所述方法包括以下操作:从边缘使能服务器(EES)接收包括可用通知管理服务器(NMS)信息的...
  • 一种电容器装置包括:基板;在基板上的第一下布线层和第二下布线层;在基板上的多个第一电极;在基板上并且与多个第一电极交替地布置的多个第二电极;以及在与第一下布线层和第二下布线层的竖直水平不同的竖直水平处的第一上布线层和第二上布线层,第一上...
  • 一种衬底处理设备,包括:上容器;包括容纳空间的下容器;填充件,其位于容纳空间中并且被构造为支撑衬底;以及在填充件下方的垫体,以防止填充件改变位置,其中,容纳空间包括具有第一宽度的第一凹槽和在第一凹槽下方的具有小于第一宽度的第二宽度的第二...
  • 本公开涉及用于支持超过第四代(4G)通信系统(诸如长期演进(LTE))的更高数据速率的第五代(5G)通信系统或第六代(6G)通信系统。提供了一种用于休眠模式控制的基站(BS)的方法。该方法包括:向用户设备(UE)发送调度的下行链路(DL...
  • 提供了一种半导体器件及制造半导体器件的方法。该半导体器件包括:第一源极/漏极图案;第二源极/漏极图案;在第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案之间的隔离壁;在第一源极/漏极图案上的第一有源接触;以及在第二源极/漏极图案上的第二有源接触,...
  • 公开了一种用于对放置在顶板上的加热对象进行感应加热的感应加热炊具。感应加热炊具包括:基板,位于顶板的后表面上;加热线圈,设置在基板上并且配置为对加热对象进行感应加热,加热线圈为片状;以及传感器线圈,以集成到加热线圈中的方式设置在基板上,...
  • 提供一种用于学习任务的方法。所述方法包括获得与由电子装置执行的至少一个应用程序相关联的第一信息;记录关于所述至少一个应用程序的用户界面交互的序列;从所述用户界面交互的序列中提取第二信息;对所述第一信息中所包括的每个元素执行辨别;以及基于...