【技术实现步骤摘要】
专利技术构思的实施例涉及一种半导体装置和制造该半导体装置的方法，并且更具体地，涉及一种包括场效应晶体管的半导体装置和制造该半导体装置的方法。
技术介绍
1、半导体装置可包括包含金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet）的集成电路。由于半导体装置的尺寸和设计规则已经逐渐减小，mosfet的尺寸减小（按比例缩小）也已经加速。mosfet的尺寸减小会使半导体装置的操作特性劣化。因此，已经研究了各种方法以形成具有更好性能的半导体装置，同时克服由于半导体装置的高集成度导致的限制。
技术实现思路
1、专利技术构思的实施例提供了一种具有改善的电性能和可靠性的半导体装置。
2、专利技术构思的实施例也提供了一种制造具有改善的电性能和可靠性的半导体装置的方法。
3、专利技术构思要解决的问题不限于上面提到的问题，并且如本领域技术人员从下面的描述中理解的，未提到的其他问题可通过专利技术构思的实施例来解决。
4、根据专利技术构思的一方面，提供了一种半导体装置，包括：基底，包括第...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在第三方向上，第一部分的上表面的高度比第一沟道图案的上表面的高度低，基底的上表面提供基础参照平面。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，从第一部分的上表面到第一沟道图案的上表面在第三方向上的距离是0nm至35nm。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，还包括
5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，第一栅电极和第二栅电极在第一沟道图案与第一部分之间延伸。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一部分与第一沟道图案的在第二方向上
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在第三方向上，第一部分的上表面的高度比第一沟道图案的上表面的高度低，基底的上表面提供基础参照平面。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，从第一部分的上表面到第一沟道图案的上表面在第三方向上的距离是0nm至35nm。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，还包括
5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，第一栅电极和第二栅电极在第一沟道图案与第一部分之间延伸。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一部分与第一沟道图案的在第二方向上的侧壁接触。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括
8.根据权利要求7所述的半导体装置，还包括：
9.根据权利要求7所述的半导体装置，还包括
10.根据权利要求1所述的半导体装...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴雨锡，姜明一，朴奎南，杨永鎭，李南玹，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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