【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及功率半导体器件。
技术介绍
1、功率半导体器件可以是在高电压和高电流环境中操作的半导体器件，并且可用于需要高功率切换的领域（诸如，功率转换、功率转换器和逆变器等）。功率半导体器件基本需要抗高电压的电压电阻特性，并且近来，附加地需要高速切换操作。因此，正在研究使用与硅（si）相比具有优异的电压电阻特性的碳化硅（sic）的功率半导体器件。
技术实现思路
1、专利技术构思的一些示例实施例提供一种具有改善的电特性的功率半导体器件。
2、专利技术构思的一些示例实施例提供一种功率半导体器件，所述功率半导体器件包括：基底，包括第一导电类型的sic；第一导电类型的漂移层，在基底上；第二导电类型的阱区域，在漂移层上；第一导电类型的源极区域，在阱区域上；栅电极，在穿过源极区域和阱区域的栅极沟槽中，栅电极在与基底的上表面平行的第一方向上延伸；栅极垫，电连接到栅电极；栅极总线，连接栅极垫和栅电极，栅极总线包括第一区域和第二区域，第一区域在第一方向上从栅极垫延伸，第二区域在第二方向上从...
【技术保护点】
1.一种功率半导体器件，包括：
2.如权利要求1所述的功率半导体器件，其中，第二区域在第一部分中具有第一宽度，并且在第二部分中具有大于第一宽度的第二宽度。
3.如权利要求1所述的功率半导体器件，其中，第二区域具有远离第一区域逐渐增大的宽度。
4.如权利要求1所述的功率半导体器件，其中，第一区域在第一区域的与栅极垫间隔开第三距离的部分中具有第一宽度，并且在第一区域的与栅极垫间隔开第四距离的部分中具有第二宽度，第二宽度大于第一宽度，第四距离大于第三距离。
5.如权利要求4所述的功率半导体器件，其中，第一区域具有远离栅极垫逐渐
...【技术特征摘要】
1.一种功率半导体器件，包括：
2.如权利要求1所述的功率半导体器件，其中，第二区域在第一部分中具有第一宽度，并且在第二部分中具有大于第一宽度的第二宽度。
3.如权利要求1所述的功率半导体器件，其中，第二区域具有远离第一区域逐渐增大的宽度。
4.如权利要求1所述的功率半导体器件，其中，第一区域在第一区域的与栅极垫间隔开第三距离的部分中具有第一宽度，并且在第一区域的与栅极垫间隔开第四距离的部分中具有第二宽度，第二宽度大于第一宽度，第四距离大于第三距离。
5.如权利要求4所述的功率半导体器件，其中，第一区域具有远离栅极垫逐渐增大的宽度。
6.如权利要求1所述的功率半导体器件，其中，栅极总线在所述多个栅电极之中的至少一个栅电极上，并且垂直地连接到所述至少一个栅电极。
7.如权利要求1所述的功率半导体器件，其中，栅极总线在延伸到漂移层中的连接沟槽中。
8.如权利要求1所述的功率半导体器件，其中，来自所述多个栅电极之中的至少一个栅电极在所述至少一个栅电极的与栅极总线间隔开第三距离的部分中具有第三剖面面积，并且在所述至少一个栅电极的与栅极总线间隔开第四距离的部分中具有第四剖面面积，第四剖面面积大于第三剖面面积，第四距离大于第三距离。
9.如权利要求8所述的功率半导体器件，其中，所述至少一个栅电极具有在第一方向上逐渐增大然后减小的宽度。
10.如权利要求1所述的功率半导体器件，还包括：多个栅极绝缘层，在所述多个栅极沟槽内的所述多个栅电极下方，
【专利技术属性】
技术研发人员：金台勋，高民求，金永哲，金锺燮，朴庆善，朴永焕，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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