温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种功率半导体器件包括：基底，包括第一导电类型的SiC；第一导电类型的漂移层，在基底上；第二导电类型的阱区域，在漂移层上；第一导电类型的源极区域，在阱区域上；多个栅电极，在穿过源极区域和阱区域的多个栅极沟槽中，并且在与基底的上表面平行的第一...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。