本发明的盘型处理装置(100)的特征在于包括：壳体(120)，具有在上部形成有开口部的壳体主体(122)和开闭所述开口部的开闭盖部件(126)；盘旋转体，配置在所述壳体(120)内且能够绕轴线(O1)旋转；和壳体倾斜移动机构(160)，...

本实用新型提供一种能够高精度地研磨衬垫原料的衬垫原料研磨装置。一种衬垫原料研磨装置(100)，具备：衬垫原料送出部(110)，用于送出衬垫原料(S)；橡胶辊(122)，形成为圆筒形状且绕第一轴线(O1)旋转；研磨辊(125)，绕第二轴线...

本实用新型提供二次电池材料振动干燥装置及二次电池材料振动干燥系统，其能制备粉粒体发生金属污染的现象得到抑制且高性能及质量优良的二次电池材料。二次电池材料振动干燥装置具备：干燥容器(10)，具有容器主体(20)和外侧容器(30)，容器主体...

本实用新型提供一种二次电池材料振动干燥机及二次电池材料振动干燥系统，该二次电池材料振动干燥机及该二次电池材料振动干燥系统能够制备粉粒体中发生金属污染的现象得到抑制且高性能及质量优良的二次电池材料。二次电池材料振动干燥机具备：金属制的内容...

本发明的目的在于单晶硅生长的过程中的炉内碳零件的劣化的防止、生长结晶中的碳浓度降低、以及单晶的多晶化比例的改善。再者，系为解决炉开放时，水分会吸附于炉内零件、烧结金属材料、或半导体结晶原料所致的炉的随时间变化或结晶的差排等问题。本发明的...

本发明的粉末成形装置（1）具备：冲模（11），下凸模（21），上凸模（31），使上述上冲模（31）进退的上凸模驱动部（72），以加压连结部（76）与上述上凸模（31）相连的多个加压用DDV型伺服驱动装置（75），在上述上凸模驱动部（72...

本发明提供使石英坩埚的较长期使用成为可能而且能够改善工作效率的晶体生长装置及晶体生长方法。本发明的晶体生长装置包括具有石英坩埚的晶体生长炉、原料熔融炉、从所述原料熔融炉向所述石英坩埚重复供给熔融原料的供给单元。所述晶体生长炉具有供给所述...