三菱瓦斯化学株式会社专利技术

三菱瓦斯化学株式会社共有2084项专利

  • 在本发明的抗蚀剂剥离方法中,在氧气比例为2%体积或更低的氛围中,使具有残留抗蚀剂层的布线基质与抗蚀剂剥离组合物接触。优选在用过氧化氢预处理残留的抗蚀剂层之后除去抗蚀剂。在本发明的抗蚀剂剥离方法中优选使用含胺化合物、溶剂、强碱和水的抗蚀剂...
  • 右式(1)表示的化合物,其中R↑[1]、R↑[2]、R↑[4]、R↑[5]、m0至m2、和n0至n2如说明书中所定义。还提供含有式(1)化合物作为固体组分的主要组分的辐射敏感组合物。该组合物敏感度、分辨率、耐热性、抗蚀性、和在溶剂中的溶...
  • 一种辐射敏感性组合物,该组合物含有抗蚀剂化合物A、酸生成剂B和酸交联剂C。抗蚀剂化合物A为(a)由C↓[5-45]芳族酮或芳族醛与具有1-3个酚性羟基的C↓[6-15]化合物缩合制得的多元酚化合物,(b)分子量为300-5000。该辐射...
  • 本发明的放射线敏感性组合物包含1~80重量%的固体成分和20~99重量%的溶剂。固体成分含有化合物(B),所述化合物(B)满足下述条件:(a)具有向多酚化合物(A)的至少一个酚性羟基导入酸解离性官能团的结构,所述多酚化合物(A)通过碳原...
  • 一种腐蚀剂组合物,其特征在于,所述组合物为制备包括高介电常数的绝缘材料、硅的氧化膜或氮化膜形成的绝缘材料、以及金属材料的半导体装置时,选择性地腐蚀金属材料时使用的腐蚀剂组合物;所述组合物为含有氟化物、和作为官能基在分子结构含有磷元素的含...
  • 本发明提供了半导体表面处理剂以及使用该半导体表面处理剂来蚀刻高介电常数绝缘材料的半导体设备的制造方法,其中,该半导体表面处理剂含有氟化合物、水溶性有机溶剂以及无机酸,剩余部分为水。根据本发明,能对在半导体设备制造的晶体管形成工序中使用的...
  • 本发明提供一种电极片,以及采用它的双电荷层电容器,其中,在金属箔等的集电体的表面上,容易且牢固地形成极化电极,即使在因通过反复的充放电而产生的气体或振动等,集电体与极化电极之间的粘接强度仍难于降低,可在内部电阻等的性能良好的状态长期地保...
  • 本发明提供了碳材料的制备方法,该碳材料的制备方法包括将选自碱金属化合物的活化剂添加到碳前体中并在惰性气体流通下进行加热的碱活化反应工序。该碱活化反应是将碳酸气在实质上不接触该碳前体和该活化剂的条件下,一边流通到该碱活化处理区域(3)的下...
  • 一种通过将共聚物中70%或更多的芳基双键氢化而制得的热塑性透明树脂。这种共聚物是通过聚合含至少一种(甲基)丙烯酸酯单体和至少一种芳香乙烯基单体的单体组合物制得的,且摩尔比(A/B)为1-4,其中A是源于(甲基)丙烯酸酯单体的结构单元的摩...
  • 本发明提供作为OPC感光体的粘合剂树脂使用时显示良好的耐摩耗性的树脂组合物及采用该组合物的电子照相感光体。该树脂组合物含有聚碳酸酯树脂,和用通式(1)表示的乙烯基单体与含有聚硅氧烷基单体形成的含有聚硅氧烷基共聚物链段A及用通式(1)表示...
  • 本发明的光致抗蚀剂脱除剂包含由摩尔比为0.8或0.8以下的甲醛与烷醇胺进行反应而得到的反应产物。该光致抗蚀剂脱除剂能在低温下,在短时间内迅速除去涂敷在各种基体上的光致抗蚀剂层、经蚀刻后留下的光致抗蚀剂层以及经蚀刻磨光后的光致抗蚀剂残留物...
  • 本发明提供一种不仅可以利用i线、g线等紫外线、而且也可以利用可见光、KrF等准分子激光、电子束、X射线、离子束等放射线,具有高灵敏度、高分辨率、高耐热性且溶剂可溶性的抗蚀剂组合物。本发明的抗蚀剂组合物的特征在于,其中含有一种以上的满足下...
  • 本发明提供一种能够低阶地制造薄、轻、难于破碎的平板显示装置,无色透明,耐热性、非着色性、粘附性良好,而且柔软的在由塑料构成的薄膜基板上良好地形成有滤色器部的滤色器基板。包含由具有特定的式子表示的重复单元的聚酰亚胺构成的薄膜基板和在该薄膜...
  • 以下述通式(1)所表示的、用作手性掺杂剂的光学活性化合物及其应用。式中,X和Y各自分别表示氢原子或氟原子,R是(C↓[2]H↓[5])↓[2]CHCH↓[2]C↑[*]H(CH↓[3])-或上述式a_A表示-Ph(W)-COO-Ph-、...
  • 本发明的蚀刻组合物通过在单次蚀刻操作中单独对其进行使用能够同时蚀刻包括最上面的由IZO等制成的无定形透明电极膜、中间的由铝等制成的反射电极膜以及最下面的由钼等制成的防电化腐蚀膜的三层叠合膜,或者包括上面的无定形透明电极膜和下面的反射电极...
  • 本发明涉及聚碳酸酯树脂组合物,该组合物通过以(100×(A))/((A)+(B))=1-99wt%的比率将聚碳酸酯树脂(A)和聚碳酸酯树脂(B)共混来获得,其中(A)通过由95-5mol%的用通式(1)表示的具有芴结构的二羟基化合物和5...
  • 本发明涉及固化性组合物,该固化性组合物含有:1-50重量份的具有硫原子和/或硒原子的无机化合物A;50-99重量份的由下述式1(m是0-4的整数,n是0-2的整数)表示的化合物B(其中,无机化合物A和化合物B的合计是100重量份);以及...
  • 本发明以提供工业上能够注射成型生产的具有高折射率、低阿贝值、低双折射、高透明性且高玻璃化转变温度的光学透镜为课题,作为其解决方法,使用使包含99~51摩尔%9,9-双(4-(2-羟基乙氧基)苯基)芴和1~49摩尔%双酚A的二羟基化合物成...
  • 本发明的环硫化物在一个分子中具有一个或多个由右式1代表的环硫结构,其中R#+[1]是C#-[1]-C#-[10]亚烃基;R#+[2]、R#+[3]和R#+[4]各自独立地是C#-[1]-C#-[10]烃基或氢;Y是S、O、Se或Te;n...
  • 用于光学材料的组合物,其特征在于含有至少一种由下列通式(1)表示的化合物[其中R#+[1]、R#+[2]和R#+[3]分别独立地为C#-[1]-C#-[10]烃基或氢;X#+[1]、X#+[2]和X#+[3]分别独立地为S、Se或Te;...