本发明属于半导体技术领域，具体公开了耗尽型GaN器件及其制备方法、HEMT级联型器件，耗尽型GaN器件包括源电极、漏电极、栅电极、金属连接条以及由下至上依次设置的第一介电层、衬底、叠层结构和第二介电层，源电极和漏电极均位于叠层结构和第二...

本发明公开了一种器件，所述器件含可变电势多场板结构，包括漏电极、源电极、栅电极、多个电阻和多个场板，所述电阻的数量与所述场板的数量相等，多个场板包括第一场板和剩余场板，所述第一场板与栅电极连接，其余为所述剩余场板；所述剩余场板通过所述电...

本发明公开了一种含可变电势多场板结构的器件的制备方法，包括如下步骤：在叠层结构的势垒层上，进行图形化处理，并注入离子材料，形成电性隔离区域，所述电性隔离区域外保留用于形成电阻的导电区域；所述电性隔离区域位于相邻电阻之间和电阻与未连接的电...

本发明公开了一种半导体器件，包括外延结构，所述外延结构包括高阻层、沟道层和势垒层，所述沟道层和高阻层之间设置有多层的掺杂有Mg的新增p‑GaN层，所述沟道层和高阻层之间设置有多层的新增沟道层，所述新增p‑GaN层和所述新增沟道层交替设置...

本发明公开了一种半导体器件的外延结构，包括高阻层、沟道层和势垒层，所述沟道层和高阻层之间设置有多层的掺杂有Mg的新增p‑GaN层，所述沟道层和高阻层之间设置有多层的新增沟道层；所述新增p‑GaN层和所述新增沟道层交替设置；最靠近所述沟道...

本发明公开了一种含半导体场板的器件，包括漏电极、源电极、栅电极和场板，所述场板的两端分别连接所述源电极和漏电极或所述栅电极和漏电极，所述场板为半导体材质。本发明的含半导体场板的器件，含有半导体材质的场板，其一端连接漏电极，另一端与栅电极...

本发明公开了一种半导体器件外延结构的制备方法，包括如下步骤：在衬底上依次生长AlN层、过渡层、高阻层、掺杂有Mg的新增p‑GaN层、新增沟道层、沟道层、势垒层和p‑GaN层；多层所述新增p‑GaN层和多层所述新增沟道层交替设置；生长所述...

本发明属于半导体技术领域，具体公开了一种耗尽型GaN器件及其制备方法、HEMT级联型器件，耗尽型GaN器件包括源电极、漏电极、栅电极、独立电极及由下至上依次设置的衬底、叠层结构和介电层，源电极、漏电极和独立电极均位于叠层结构和介电层中，...

本发明公开了一种氮化镓气体传感器及其制备方法、应用，制备方法包括：对衬底进行镀膜形成非晶氮化镓薄膜，得到含有非晶氮化镓薄膜的衬底；对含有非晶氮化镓薄膜的衬底进行热退火，使非晶氮化镓薄膜转变为多晶氮化镓薄膜，得到含有多晶氮化镓薄膜的衬底；...

本发明公开了一种含可变电势多场板结构的器件及其制备方法，其中器件包括漏电极、源电极、栅电极、多个电阻、多个场板以及由下至上依次设置的衬底、叠层结构和介电层，所述漏电极、源电极位于所述叠层结构和介电层中，所述栅电极位于所述介电层中，所述电...

本发明涉及领域，公开了一种抑制低阈值功率半导体管误导通的电路，包括功率半导体管、第一二极管、第二二极管和RC网络，所述功率半导体管的源极接地，其漏极与外部电路连接，其栅极被配置为接入一驱动信号，其栅极还被配置为与第一二极管的正极电连接；...

本发明涉及半导体技术领域，公开了一种GaN HEMT级联型器件多层叠封结构及其制备方法，GaN HEMT级联型器件多层叠封结构包括GaN芯片、基板和MOS芯片；基板的中间为绝缘层，其正反两面均设有导电层；GaN芯片上设置有一源极窗口，源...

本发明公开了一种半导体器件的外延结构及其制备方法和半导体器件，所述外延结构依次包括衬底、AlN层、过渡层、高阻层、沟道层、势垒层和p‑GaN层，所述沟道层和高阻层之间设置有一层或多层的掺杂有Mg的新增p‑GaN层，所述沟道层和高阻层之间...

本发明涉及一种GaN晶体管漏源极间瞬变电压测试电路和方法。电路包括用于提供测试瞬变电压信号的测试电源、与被测GaN晶体管串联构成测试单元且用于调节尖峰电压值的尖峰调节电阻、连接在测试电源与测试单元之间而用于控制电路通断的开关模块。电路还...

本发明公开了一种级联式GaN减小电流采样电阻的电流源补偿电路，包括电流源模块、电流采样芯片及GaN级联模块，其中，级联模块包括GaN功率开关管和功率电阻；电流源模块包括串联设置的第一开关二极管、第一三极管、第一电阻和输出器件，电流源模块...

本实用新型涉及一种MOCVD尾气粉尘收集装置，包括粉尘过滤器，粉尘过滤器包括依次设置的冷却室、过滤室和洁净室，冷却室和过滤室相连通，过滤室和洁净室彼此独立，粉尘过滤器还包括设置在过滤室内的第一滤芯，尾气由进气接口进入冷却室冷却后，然后经...