瑞士半导体科技有限公司专利技术

瑞士半导体科技有限公司共有2项专利

  • 本发明涉及一种具有大电流的功率器件的制备方法及连接结构,具有大电流的功率器件的制备方法包括如下步骤:在基板上依次间隔铺设至少四个导电层,分别为第一导电层、第二导电层、第三导电层和第四导电层;其中,第二导电层上安装芯片,芯片上方安装有两个...
  • 本发明涉及一种高效散热的IGBT模块,包括下金属板,下金属板的上板面依次铺设绝缘层、上金属板,多个芯片分别通过烧结层与上金属板连接;还包括将绝缘层、上金属板、芯片包裹的罩体,罩体与下金属板固接于一体,下金属板的下板面置于罩体外,下金属板...
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