本发明公开了用于减少氢氯硅烷生产设备中铁硅化物和/或铁磷化物结垢和/或腐蚀的实施方式。在四氯化硅工艺料流中包含充足的三氯硅烷以最小化氯化氢的形成，从而抑制铁(II)氯化物的形成并降低铁硅化物和/或铁磷化物结垢、过热器腐蚀或其组合。

本发明公开一种减少或减轻多晶硅金属污染的方法和系统。通过利用包含微孔状弹性体聚氨酯的保护层减轻粒状多晶硅因与流化床反应器单元的支撑型运输和辅助基础结构的组件的金属表面接触所致的金属污染。

本发明公开了用于在流化床反应器系统中使用的喷嘴组件和可关闭阀组件的实施例。该喷嘴组件包括向上延伸通过流化床反应腔室的底壁的第一部件，和第二部件。第一和第二部件经由在每一个部件上的螺纹而以可拆卸方式装配在一起。第二部件能够被移除和/或更换...

本公开涉及减少或减轻多晶硅在保存或存放置在至少部分由金属构造和/或具有至少部分为金属的多晶硅接触面的容器中时的金属污染。特别地，本公开涉及一种通过向表面提供包含微孔状弹性体聚氨酯的保护层而减轻多晶硅与容器的金属表面接触所致的金属污染的方法。

本发明公开一种减少或消除涂硅颗粒的污染的方法和流化床反应器。一个或多个流化床反应器组件的金属表面至少部分地涂布有包含650℃时极限拉伸强度为至少700MPa的材料的硬保护层。

本发明公开了通过反应蒸馏法制造超高纯度硅烷和通式HySiX4-y(y＝1、2或3)的氢卤硅烷的系统和方法。

本发明公开了一种用于流化床反应器的探头组件的实施方案。所述探头组件包含流化床反应器(FBR)构件和压力支管，所述压力支管包含限定通道的壁，所述FBR构件位于所述通道内。示例性FBR构件包括但不限于热电偶、种子管道、粒子取样管线、气体取样...

本发明公开了用于减少或减轻多晶硅的金属污染的方法的实施方式。具体来说，本公开涉及在流化床反应器单元中制备粒状多晶硅期间使用包含硅或含硅材料的保护涂层来减轻由与支撑输送和辅助基础设施的组件的金属表面相接触而产生的金属污染的方法。

本发明涉及一种多晶硅体系，其包含具有至少三种形式因素或形状的多晶硅，能够提高模具或坩埚的装载效率，该体系用在制造多晶硅或单晶硅的方法中。

本发明涉及化学气相沉积（CVD）反应器系统，其具有由反应室壁围住的反应室，所述反应室壁的内表面被布置为朝向所述室的内部。至少一部分所述壁为朝向所述室的热控层，并且所述热控层由材料例如电解沉积的镍构成，所述材料在300K下测得的发射系数为...

公开了一种用于产生高纯度涂硅颗粒的流化床反应器系统。容器具有：外壁、在该外壁内侧的绝热层、至少一个位于该绝热层内侧的加热器、在该加热器内侧的可拆卸同心衬里、中央进口喷嘴、多个流态化喷嘴、至少一个冷却气体喷嘴、以及至少一个产品出口。该系统...

本发明提供一种制造固体多晶硅锭或晶片的方法，所述方法包括：将含硅气体引入至反应室内，其中所述反应室包含反应室壁和产物出口，所述反应室壁具有（ｉ）面对反应空间的内表面和（ｉｉ）相反的外表面；在所述反应器空间内产生等离子体；通过使所述含硅气...

本发明公开一种制造硅或活性金属的方法，所述方法包括：将含硅进料或含活性金属的进料引入至反应室内，其中所述反应室包括反应室壁，所述反应室壁具有（ｉ）面对反应空间的内表面和（ｉｉ）相反的外表面；在所述反应空间内产生足以产生液体硅产物或液体活...

在流化床反应器中，在腔室内部通过在种子粒子上进行化学气相沉积生产硅粒。腔室含有阻挡构件或泡分裂器，阻挡构件或泡分裂器的尺寸和形状被设计成能限制腔室内部的气泡的生长，并且阻挡构件或泡分裂器具有内部通道，加热流体通过所述内部通道通过，以将热...

公开了用于使粉末转化为固体块的系统和方法。设置熔炉以熔化粉末且将所产生的熔融的材料的流输送到位于振动传送器上的珠床。冷却气体流过在传送器上方且沿传送器定位的喷嘴以冷却珠体和液体。液体固化并形成固体块，结合来自珠床的珠体。传送器可周期性地...

将多晶硅沉积到管状体或其它中空体上。所述中空体代替常规西门子型反应器的细长棒，并且可通过简单的电阻元件被内部加热。选择中空体的直径，以提供比硅细长棒大得多的表面积。选择中空体材料，使得在冷却后，由于收缩率不同，沉积的多晶硅易于与中空体分...

通过含硅气体的高温分解和硅沉积到流化的硅粒子上而形成多晶硅。公开了多淹没式喷动流化床反应器（１０）和具有二级孔（２０）的反应器。