本技术公开了一种安全可控尾气吸收塔，具体涉及尾气吸收塔技术领域，包括外壳体，所述外壳体的内部固定设有过滤机构一；所述过滤机构一包括风机，所述风机的一侧固定设有入风管，所述风机的另一侧固定设有排风管，所述风机的底部固定设有风机箱，所述风机...

本技术公开了一种石墨高度纯化装置，具体涉及石墨提纯技术领域，包括箱体，所述箱体的顶部开设有输料口，所述输料口内部固定设有输料管，所述输料管的一侧固定设有截止阀一，所述输料管一端固定设有储料仓，所述储料仓的内壁两侧设置有多个挡板槽，所述储...

本发明提供一种利用硅烷气制备单晶硅的方法，该方法包括以下步骤：步骤S1、将硅烷加热分解为硅，并熔化为液体硅；步骤S2、开启单晶炉，使其加热至1400～1425℃；步骤S3、在保温情况下，将液体硅通入单晶炉的石英坩埚中，同时加入掺杂剂，所...

本技术公开了一种碳化硅沉积炉进气装置，具体涉及沉积炉领域，包括进气管，进气管底端连接有螺杆，螺杆上套接有第一螺母，第一螺母顶端设置有第二螺母，第一螺母和第二螺母之间夹持有分气锥，进气管上开设有三组螺孔，各螺孔内均旋插有螺杆，螺孔之间呈扇...

本技术公开了一种新型尾气缓冲罐，具体涉及缓冲罐领域，包括安装座，安装座一侧内部开设有收纳仓，收纳仓内部开设有滑槽，滑槽内部设有固定块，固定块外侧套设有活动块，活动块一侧设置内部有活动轴，活动轴两端与活动块一端活动连接，活动轴外侧活动套设...

本发明公开了一种三代半导体用碳化硅涂层工艺，具体涉及半导体涂层技术领域，包括S1、表面准备，S2、预处理，S3、显微检测，S4、涂料制备选取，S5、涂布过程，S6、成模定型，S7、固化，S8、表面处理，涂层固化后，利用抛光液加磨粒混合液...

本发明公开了一种利用热

本发明公开了一种连续式石墨纯化装置，具体涉及石墨纯化技术领域，包括定量纯化箱，所述定量纯化箱的内部转动连接有定量下排筒，所述定量下排筒的外壁呈圆环等距分布嵌入开设有多个定量承装槽，所述定量承装槽的内壁安装有定量下料机构；所述定量下料机构...