本发明提供一种能够同时实现高荧光强度和高颜色均质性的光波长转换部件及发光装置。发光装置(1)具备容器(3)、发光元件(5)及光波长转换部件(9)。光波长转换部件(9)是由以Al2O3结晶粒子和用化学式A3B5O12：Ce表示成分的结晶粒...

本发明抑制主体金属件的强度降低和生产率降低。火花塞的主体金属件含有作为主成分的铁、0.20wt％以上且0.30wt％以下的碳、0.30wt％以上且0.45wt％以下的锰及0.005wt％以上且0.009wt％以下的硫。锰的含有率(wt％...

本发明的课题在于改善陶瓷组合物的特性，其为含有氧化铝(Al2O3)和碳化钨(WC)的陶瓷组合物，其特征在于，由选自属于周期表的4～6族的过渡金属、钇(Y)、钪(Sc)和镧系元素中的至少1种元素形成的原子层存在于氧化铝(Al2O3)晶体颗...

本发明提供一种能够提高以在火花塞的内部产生的火焰核为原因的早燃的检测精度的火花塞。端子配置成比主体配件的螺纹部靠后端侧。探测电极配置在被夹在绝缘体的外周与主体配件的内周之间的空间中的比缩径部与托架部、或者缩径部与密封件的接触部分的前端靠...

本发明提供能够同时实现高荧光强度和高颜色均质性的光波长转换部件及发光装置。在光波长转换部件(1)中，A3B5O12中的A和B是从下述元素组中选择的至少一种元素，A：Sc、Y、除Ce以外的镧系元素，B：Al、Ga，并且，陶瓷烧结体的剖面的...

本发明提供一种火花塞的制造方法，能够提高端头的焊接位置的良好与否判定的精度。火花塞的制造方法包括：焊接金属检测步骤，检测在端头的周围形成的焊接金属的边缘；中心计算步骤，基于通过焊接金属检测步骤检测到的焊接金属的边缘来算出焊接金属的轮廓的...

本发明公开一种能够抑制Si(硅)的飞散的技术。本发明提供一种云母制构件，其特征在于，该云母制构件具有结晶构造，该结晶构造在X射线结晶构造解析(XRD)中包括KMg3(Si3Al)O10(OH)2的强度峰值和Mg2SiO4的强度峰值。由于...

一种火花塞的制造方法，目的在于提高判断放电间隙的距离是否在允许范围内的精度。通过使用拍摄装置拍摄包含形成缝隙的缝隙形成部的基准器，生成表示包含缝隙的图像即基准图像的基准图像数据，所述缝隙包含预先决定的宽度的基准部分。通过解析基准图像数据...

本发明提供一种火花塞，能够提高电阻的耐久性。火花塞具备：绝缘体，具有沿着轴线延伸的轴孔；中心电极，配置于轴孔的前端侧；端子配件，配置于轴孔的后端侧；及电阻，配置于轴孔内的端子配件与中心电极之间，与端子配件及中心电极电连接，电阻与绝缘体的...

本发明提供一种传感器控制装置和传感器单元。传感器控制装置控制气体传感器，气体传感器具备传感器元件和加热器，检测被测定气体中含有的特定气体的浓度。传感器控制装置具备：温度检测部，检测固体电解质体的温度；控制部，基于反馈条件对加热器的发热量...

提供能适合安装于导体部的布线基板和其制造方法。以覆盖金属化层7的表面的方式，通过镀覆，形成初始镀Cu层19后，将该初始镀Cu层19加热并使其软化或熔融，因此，该软化或熔融了的初始镀Cu层19的铜掺入至金属化层7的开气孔部9。另外，该加热...

本发明能够提高火花塞的耐久性。火花塞包括：绝缘体，其具有沿着轴线方向延伸的轴孔；中心电极，其沿着轴线方向延伸，该中心电极的后端位于轴孔内；端子金属壳体，其沿着轴线方向延伸，该端子金属壳体的前端位于轴孔内的比中心电极的后端靠后端侧的位置；...

本发明涉及一种火花塞，其包括：绝缘体，其为筒状，具有沿轴线方向延伸的轴孔；主体金属壳体，其配置于绝缘体的外周；中心电极，其配置于绝缘体的轴孔；以及接地电极，其与主体金属壳体的前端相连接，并与中心电极相对。主体金属壳体具有螺纹部，该螺纹部...

本发明公开一种能够抑制空气极的活化极化的上升的技术。电化学反应单体电池包括：电解质层，其包含固体氧化物；空气极和燃料极，该空气极和燃料极隔着电解质层在第1方向上互相相对；以及中间层，其配置在电解质层与空气极之间，该中间层包含第1铈系氧化...

本发明提供布线基板和平面变压器。本发明提供一种能够抑制布线层相对于绝缘层的错位的布线基板。本公开是包括至少1个绝缘层和至少1个布线层的布线基板。至少1个布线层与至少1个绝缘层叠合地配置。至少1个绝缘层具有配置1个布线层的配置部和在面方向...

本发明提供布线基板和平面变压器。本发明提供一种能够抑制由布线层对绝缘层造成的损伤的布线基板。本公开是包括多个绝缘层和至少1个布线层的布线基板。至少1个布线层配置在多个绝缘层之间。此外，至少1个布线层的在与厚度方向平行的截面中的至少1个角...

本发明提供布线基板和平面变压器。提供一种能够抑制厚壁化了的布线层之间的沿面放电的布线基板。本公开是包括多个绝缘层、至少两个布线层以及侧面绝缘部的布线基板。多个绝缘层包含第1绝缘层、与第1绝缘层相对的第2绝缘层以及配置在第1绝缘层和第2绝...

本发明提供能够判定高浓度的氢气环境的气体传感器。本公开是检测被检测气氛中的氢气的气体传感器。气体传感器具备：第一气体检测元件以及第二气体检测元件；第一容纳部，具有第一内部空间；第二容纳部，具有存储有第二气体检测元件的第二内部空间；电流检...

本说明书中，公开了能抑制第1陶瓷构件与第2陶瓷构件的接合强度的降低的技术。半导体制造装置用部件具备：第1陶瓷构件，其由以AlN为主成分的材料形成；第2陶瓷构件，其由以AlN为主成分的材料形成；和，接合层，其配置于第1陶瓷构件与第2陶瓷构...

降低接合温度、且抑制第1陶瓷构件与第2陶瓷构件的接合强度的降低。半导体制造装置用部件的制造方法包括如下工序：准备由以AlN为主成分的材料形成的第1陶瓷构件的工序；准备由以AlN为主成分的材料形成的第2陶瓷构件的工序；和，在第1陶瓷构件与...