本发明涉及一种SiC结势垒肖特基二极管及其制造方法，其中，所述SiC结势垒肖特基二极管包括：第一导电类型SiC衬底层、低掺杂第一导电类型外延层、高掺杂第一导电类型外延层、多个第二导电类型掺杂区，所述第二导电类型掺杂区的深度大于所述高掺杂...

本发明涉及一种无注入型终结端结构的SiC肖特基二极管及其制备方法，制备方法包括以下步骤：在4H‑SiC衬底上面形成4H‑SiC漂移层；在4H‑SiC漂移层上形成SiO2掺硼乳胶源层；刻蚀SiO2掺硼乳胶源层，在4H‑SiC漂移层上保留部...

本发明提出了一种碳化硅器件制造方法，包括如下步骤：步骤1：在SiC外延片上生长SiO2掩膜层；步骤2：将带有SiO2掩膜层的SiC外延片放入SiC刻蚀机中进行刻蚀，得到SiC沟槽；步骤3：对带有SiC沟槽的SiC外延片进行退火。本发明通...

本发明涉及一种SiC MOSFET栅氧化层退火方法，包括：制备SiC外延片；在所述SiC外延片上生长SiO2栅氧化层；在惰性气体与Cl2混合气体环境条件下，对所述SiO2栅氧化层进行退火处理。本发明使用惰性气体与Cl2混合气体退火SiC...

本发明涉及一种抗浪涌能力增强型的4H‑SiC肖特基二极管及其制备方法，制备方法包括以下步骤：在4H‑SiC衬底上面生长4H‑SiC漂移层；在4H‑SiC漂移层内形成P型金刚石外延层以及P型金刚石终端保护区；在P型金刚石外延层、P型金刚石...

本发明涉及一种SiC沟槽MOS器件，包括：从下到上依次层叠设置的漏极、SiC衬底层层、N型掺杂外延层、P型掺杂外延层、N型掺杂外延层；P型掺杂外延层，设置在N型掺杂外延层、P型掺杂外延层中间，且延伸至N型掺杂外延层，延伸深度不超过N型掺...

本发明涉及一种SiC MOSFET栅氧化层退火方法，包括：制备SiC外延片；在所述SiC外延片上生长SiO2栅氧化层；在SiH2Cl2气体环境条件下，对所述SiO2栅氧化层进行退火处理。本发明使用SiH2Cl2退火SiC MOSFET器...

本发明涉及一种碳化硅沟槽刻蚀方法，包括以下步骤：步骤1：在SiC外延片上生长SiO2掩膜层；步骤2：利用所述SiO2掩膜层对所述SiC外延片进行第一刻蚀；步骤3：在所述SiC外延片上沉积Ni掩膜层；步骤4：剥离所述SiO2掩膜层及其表面...

本发明涉及一种碳化硅MOSFET器件，由下向上依次层叠设置的漏极、N型SiC衬底层、N型漂移层；JFET区、沟道、P阱，依次位于N型漂移层上，且另一边关于JFET区对称，P阱的厚度小于所述沟道的厚度；P型接触区、N型接触区，均位于P阱上...

本发明涉及一种SiC肖特基二极管的制备方法及其结构，该制备方法包括：选取SiC衬底层，在所述SiC衬底层上表面生长SiC外延层，在所述SiC外延层内形成P+区域，在所述SiC外延层上表面生长隔离介质层，刻蚀所述隔离介质层形成隔离窗口，并...

本发明涉及一种高可靠性的SiC MOSFET器件的制备方法及其结构，包括以下步骤：在SiC衬底上生长N‑漂移层；在所述N‑漂移层内制备P阱；在所述P阱内制备N+源区和P+接触区；在包括所述N+源区和所述P+接触区的所述P阱以及所述N‑漂...

本发明涉及一种耐高温低功耗的SiC MOSFET功率器件的制备方法及其结构，包括以下步骤：在SiC衬底上生长N‑漂移层；在所述N‑漂移层内制备P阱；在所述P阱内制备N+源区和P+接触区；依次制备第一隔离介质层、栅极和第二隔离介质层；在所...