一种大批量制备超长碳纳米管阵列的方法及其装置，属于纳米材料制备领域。本发明通过在反应器内部增加适合碳纳米管阵列生长的表面，以化学气相沉积法大批量生成碳纳米管阵列。所增加的表面是平面或曲率半径绝对值大于１微米的曲面，原子级平整或非原子级平...

本发明公开了属于纳米材料制备技术领域的一种利用喷镀贵金属膜控制碳纳米管三维图形化生长的方法。以金或银等贵金属为靶材，在洁净的硅基底上覆盖适当形状和层数的掩膜，在真空镀膜机内，喷镀贵金属膜层，随后将按上述过程处理的硅片置于石英真空管式炉中...

本发明属于集成电路半导体薄膜外延生长技术及超晶格薄膜材料生长技术领域；其特征在于含有：磁传动轴、止推弹簧、止推挡板、档头、双定位转芯、两个内套筒、外套筒、换向轴、换向弹簧以及基于四连杆机构的张合式机械手夹臂；磁传动轴前进过程中，固定在外...

单片三腔衬片旋转式超高真空化学气相淀积（ＵＨＶ／ＣＶＤ）外延系统属于集成电路半导体薄膜外延生长技术和超晶格薄膜材料生长技术领域。其特征在于：在外延生长室的石英反应腔内有一个衬片旋转机构，该机构水平放置在上述反应腔内。该机构含有：提供旋转...

化学镀活化工艺和使用该工艺进行金属沉积的化学镀方法，属于化学镀技术领域。为了解决传统化学镀活化工艺中存在的锡离子干扰、酸性条件下活化、操作复杂等问题，本发明提供了一种化学镀活化工艺和使用该工艺进行金属沉积的化学镀方法，即对无催化活性的基...

本发明公开了属于材料涂覆技术领域的涉及在复杂形状基体上涂覆抗高温氧化的ＭＣｒＡｌＸ和Ａｌ混合涂层的一种电泳共沉积制备抗高温氧化混合涂层的方法。首先将ＭＣｒＡｌ和１０～７０ｗｔ％Ａｌ组成混合粉体，同时加入活性元素，在无水有机溶剂中通过球磨...

本发明公开了属于纳米材料制备技术领域的一种离子注入表面改性控制碳纳米管生长的方法。离子注入所用的粒子源为惰性气体。制备时，首先在洁净的硅基底上覆盖适当的掩膜，置于离子注入装置中，调节注入粒子种类、注入能量和注入粒子数后进行离子注入。随后...

一种分布式激光点状合金化方法，本发明涉及一种激光表面合金强化技术。该方法利用高功率密度激光作用在金属表面产生的小孔效应，使涂覆在金属基体表面的或通过送粉器加入的高性能合金粉与金属基体形成混合熔池，由随后的快速凝固形成包括合金化区与固态相...

一种基于激光诱发原位化学反应的表面改性装置，属于激光表面加工装置技术领域。激光束经反光镜反射后通过真空室面板上的石英窗被聚焦到真空室内的样品台上；运动控制装置固定在底座上带动样品台实现二维运动，样品台中埋有电阻丝；样品台上方有两块极板；...

本发明涉及一种用于蒸镀工艺中的模板，及其在制备ＲＧＢ方式的全色显示有机电致发光器件的使用方法。该模板包括限位模板基板和遮挡物，模板基板的材料选自玻璃、金属或陶瓷，遮挡物的材料选自金属、磁性物质。本发明的限位遮挡蒸镀模板构造简单，不易变形...

一种溅射离子泵，其包括：一真空容器，该真空容器壁上至少设置有一电子注入孔；两阳极电极杆设置于真空容器内，该两阳极电极杆相对于该真空容器的中心轴轴向对称；以及至少一冷阴极电子发射装置与电子注入孔对应，设置于真空容器筒壁上的电子注入孔外侧。

本发明公开了属于材料科学领域的一种具有室温铁磁性的氧化物基稀磁半导体薄膜及其制备方法。所述薄膜的组成用Ｌｉ↓［ｘ］Ｎｉ↓［１－ｘ－ｙ］Ｍ↓［ｙ］Ｏ来表示，ｏ≤ｘ≤０．１，ｏ＜ｙ≤０．１。采用溶胶一凝胶法，在Ｓｉ衬底上用旋涂甩胶的方法制备...

一种ＮｂＴｉＡｌ系叠层结构金属间化合物复合材料及其制备方法，属于金属间化合物材料领域。该叠层结构Ｎｂ系金属间化合物复合材料由一层Ｎｂ系韧性金属合金层、其上叠加一层Ｎｂ系金属间化合物材料，其上再叠加一层Ｎｂ系韧性金属合金层，如此交替叠加形...

一种碳纳米管阵列／层状材料复合物及其制备方法，该复合物由碳纳米管阵列和层状材料组成，碳纳米管阵列分布在层状材料的片层之间。其制备方法是以层状材料为催化剂载体，在其片层之间负载催化剂活性组分形成催化剂，通过化学气相沉积过程，在片层之间生长...

一种具有铁电性的Ｖ掺杂ＺｎＯ薄膜及其制备方法，属于存储器材料制备领域，特别涉及铁电体薄膜材料的制备。其组成中，Ｖ含量为０．２～２．０ａｔ．％，Ｚｎ和Ｖ的总含量为５０ａｔ．％，其余为Ｏ；该薄膜可用反应溅射的方式制备，所用靶材为纯锌和纯钒的...

本发明涉及一种线路板或电路板粉碎刀具专用涂层的制备方法，属于粉碎设备技术领域。该方法以碳化钨为基体，以碳化钛和含铬化合物为耐磨相，以钴、铁为添加剂。刀具的涂层为梯度涂层，涂层分内外两层。上述组分按比例均匀混合成粉体后，采用热喷涂的方式直...

一种碳纳米管阵列的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；在上述基底一表面形成一催化剂层；通入碳源气与载气的混合气体流经上述催化剂层表面；以及提供一半导体激光器系统发出激光束聚焦照射在上述基底上从而生长碳纳米管阵列。

本发明属于半导体制造装备和加工技术领域的一种多反应腔的原子层沉积装置和方法。该原子层沉积装置为Ａ、Ｂ两相反应的反应腔通过一个过渡腔并联在一组真空泵组上，Ａ、Ｂ两反应室各自通过通道阀门将反应腔和过渡腔连通，反应腔再通过真空阀、贮存室隔板和...

本发明涉及一种在二氧化硅（ＳｉＯ↓［２］）上化学镀Ｎｉ－Ｍｏ－Ｐ的方法，属于化学镀应用领域。本方法首先对基板（ＳｉＯ↓［２］／Ｓｉ）进行清洗、偶联、活化等前期处理，然后将基板置于水浴加热的化学镀液中，镀液中发生氧化还原反应，在二氧化硅（...

控制ＭＯＣＶＤ淀积ＰＺＴ的先驱体溶液配置方法属于ＰＺＴ薄膜制备技术领域，具体特征在于，以溶质摩尔浓度为０．１４ｍｏｌ／Ｌ，四氢呋喃３０ｍｌ，四－乙二醇二甲醚４ｍｌ，Ｐｂ为２７％，Ｚｒ为５５％，Ｔｉ为１８％，制成总溶剂体积为０．０３４Ｌ的...