专利查询
首页
专利评估
登录
注册
清华大学专利技术
清华大学共有54941项专利
压电谐振式力传感器制造技术
本发明涉及一种压电谐振式力传感器。本发明采用套装插式结构连接和定位,将许多部件做成一体,减少分离部件数量,从而使本发明装配工艺简单,结构紧凑,体积小,性能价格比高。
一种单向差动压电谐振式力传感器制造技术
本发明属于传感器技术领域,用于集中力的测量本发明所涉及的传感器利用两个压电石英谐振器作为敏感元件,两个敏感谐振器同时受压,特殊设计的加载方式使得其中一个谐振器受压后产生正向的频率改变而另一个谐振器受压后产生负向的频率改变,经混频后获得一...
具有极低吸放气率的高真空微电离规制造技术
本发明涉及一种具有极低吸放气率的高真空微电离规,该电离规由金属外壳、陶瓷芯柱离子收集极、阳极环和电子发射体组成。金属外壳的一端与陶瓷芯柱相熔封,外壳的另一端与待测器件相接,离子收集极与电子发射体组件相对阳极环同轴非对称安装于金属外壳内。...
激光丝弦张力测量仪制造技术
本发明涉及一种激光丝弦张力测量仪,该测量仪由测量机构和光电信号处理系统二部分组成。测量机构由机架、激光器和光电传感器组成,激光器和光电传感器固定在机架的滑杆上,并使滑杆与被测丝相垂直。信号处理系统由前置放大器、模数变换器和寄存器等组成。...
一种高稳定度石英谐振式力传感器制造技术
本发明涉及一种压电谐振式力传感器,本传感器针对现有技术稳定性差,蠕变大,寿命短的缺陷,采用双膜片支撑结构和玻璃化转变温度较高的胶作为构件与构件粘接的粘接剂,从而使压电谐振式力传感器稳定性好,蠕变小,且寿命得到了大大的提高。
石英谐振式力/称重传感器制造技术
本发明属于测量仪器技术领域,包括测量力用的石英谐振器和作为温度补偿的参考谐振器,还包括由四个双面圆弧组成的柔性铰链构成的平行四边形框架,该框架还设有两个平行的压梁和支撑梁;参考谐振器置于框架内不受力处,测量石英谐振器安装在两个平行梁中间...
应力式玻璃膨胀仪制造技术
本发明属于物性参数测量技术领域,包括发出单色光束的光源,与所说的光束同轴设置的偏光仪、控温电炉,还包括同轴设置的光电转换器及对其输出的信号进行判读的数字条纹判读仪以及圆光栅数字测角仪。并采用半峰值平均法,即选取光强极小值相邻的二个半峰值...
具有极低吸放气率的极高真空微电离规制造技术
本发明涉及一种具有极低吸放气率的极高真空微电离规,包括玻璃外壳、电子发射体、阳极、离子收集极和偏置电极;电子发射体和离子收集极相对阳极等距、同轴安装于玻璃外壳内,偏置电极为玻璃外壳内的金膜,阳极为圆环通过支撑引线从玻璃外壳一侧的支脚引出...
一种量程设计可变的石英谐振式力传感器制造技术
本发明涉及一种量程设计可变的石英谐振式力传感器,包括弹性体、敏感谐振器、承载杆和紧固螺母。承载杆置于弹性体的上梁上,弹性体为整体的平行双梁结构,六个柔性铰链分别构成上下两个平行梁的弹性支撑,传感器为对称结构,敏感谐振器置于平行梁之间,上...
利用光电传感对传动轴的扭矩进行测量的方法技术
本发明属于物理量测试领域,该方法为:在轴上设置两个测量点,把一束垂直于轴线方向的光线照射在两个点上,计数器设置为收到第一个信号后开始计数,再接到一个信号后停止计数,计数值就代表了两个信号的时间差。在发生扭转后,两个反射镜相对位置发生变化...
基于全内反射原理的足底压力分布检测装置制造方法及图纸
本发明涉及一种基于全内反射原理的足底压力分布检测装置,包括透明薄膜、透明刚性平板、成像系统、光接收器和图像处理系统。透明薄膜置于透明刚性平板之上,成像透镜置于透明刚性平板下方,在透镜下方的光接收器接收通过透镜所成的图像,图像处理系统接收...
应力分布的磁检测方法技术
本发明涉及一种应力分布的磁检测方法,首先将待测铁磁性材料置于地磁场中,测得离材料表面距离为h的平面m上各点的磁场强度P↓[h],再测得离材料表面距离为H的平面M上各点的磁场强度P↓[H],将上面两步得到的各对应点处磁场强度值相减,得到消...
一种车用光电式转矩传感器制造技术
一种车用光电式转矩传感器,属于运输车辆专用电子设备技术领域,是一种非接触式光电转矩传感器。本发明主要由两个光电池、一个带有透光孔的透光臂和一个带有导光孔的挡光臂、发光二极管、扭杆和导线线束组成。所述的透光臂和挡光臂分别固定在扭杆的两端;...
脉冲力的测量方法技术
一种脉冲力测量方法。属于精密测量领域。本方法依据的测量原理是牛顿第二定律,令待测力F推动一个质量为m的滑块,测量出滑块的质量m和滑块的加速度α,再由牛顿第二定律公式算出相应的力。加速度α的测量是通过测量滑块的位移X随时间t的变化关系X(...
碳纳米管压力传感器及其压力感测方法技术
本发明提供一种碳纳米管压力传感器,其可包括一碳纳米管、一碳纳米管束或一有不同尺寸/类型的碳纳米管阵列,每个碳纳米管都与测量电路中的导电元件电性连接。当碳纳米管承受使它横截面变形的压力时,发生形变的碳纳米管的形状将影响电路中的电流,而待测...
一种基于微纳组合结构的力传感器制造技术
本发明公开了一种基于微纳组合结构的力传感器,包括桥式梁、质量块、基体和设置在基体上的多个电极,电极和基体之间具有一绝缘层,桥式梁的两端固定在电极上,质量块悬空固定在桥式梁的中间;其中,桥式梁为半导体氧化物纳米带,还包括一个用于测量桥式梁...
宽应力区硅压力传感器制造技术
本发明属于半导体压力传感器技术领域,其特征在于:所述传感器包括应力区展宽了的感压膜和其周围的支撑部分,压敏电阻制作在跨越感压膜边界的大应力区内,组成惠斯通电桥,把压力变化转换成电信号输出;所述压敏电阻其垂直于感压膜边界的折数要大于平行于...
超薄柔顺导电高分子敏感膜及其制备方法技术
本发明涉及超薄柔顺导电高分子敏感膜的制备方法,属于力传感器技术领域,该方法包括:将平均直径小于1μm的导电炭黑粉末、10-50nm的SiO↓[2]分散剂粉末和液态单组份硅橡胶在浓度为95%以上丙酮有机溶剂中混合;在超声振荡下进行机械搅拌...
基于阵列式超薄柔顺力传感器的曲面层间挤压力监测系统技术方案
本发明涉及基于阵列式超薄柔顺力传感器的曲面层间挤压力监测系统,属于精密测试技术领域,该系统包括由阵列式超薄柔顺力传感探头及前置电路组成的阵列式传感器,基准源,采集模块,含有接口卡和数据处理单元的计算机以及电源模块;电源模块与传感器和采集...
阵列式超薄柔顺力传感器及其制备方法技术
本发明涉及阵列式超薄柔顺力传感器及其制备方法,属于力传感器技术领域,该传感器包括封装成一体的上下层电极及压于其间的导电高分子敏感膜,还包括通过信号线与该上下层电极相连的前置电路,导电高分子敏感膜采用主要以作为导电相的导电炭黑、以作为绝缘...
首页
<<
2571
2572
2573
2574
2575
2576
2577
>>
尾页
科研机构数量排行前10
华为技术有限公司
134485
珠海格力电器股份有限公司
99367
中国石油化工股份有限公司
87773
浙江大学
81467
三星电子株式会社
68335
中兴通讯股份有限公司
67403
国家电网公司
59735
清华大学
56623
腾讯科技深圳有限公司
54362
华南理工大学
51829
最新更新发明人
日铁化学材料株式会社
428
南京逐陆医药科技有限公司
40
思齐乐私人有限公司
12
索尼互动娱乐股份有限公司
758
青庭智能科技苏州有限公司
14
格莱科新诺威逊私人有限公司
2
北京卡尤迪生物科技股份有限公司
14
京东方科技集团股份有限公司
51232
联想北京有限公司
28609
微软技术许可有限责任公司
8923