青岛翼晨镭硕科技有限公司专利技术

青岛翼晨镭硕科技有限公司共有19项专利

  • 本技术公开了一种复合结构的半导体可饱和吸收镜,包括衬底、覆盖在所述衬底上的分布式布拉格反射镜层、位于所述分布式布拉格反射镜层上的半导体吸收层,半导体吸收层上还设有空腔层,空腔层包括若干均匀排列的内腔,内腔包括上空腔和下空腔,上空腔为半球...
  • 本技术公开了一种新型结构的可饱和吸收镜,涉及可饱和吸收镜技术领域,包括从下到上依次设置的衬底、反射镜、缓冲层、吸收层以及减反层,减反层为复合增透膜,复合增透膜包括层叠设置的折射率不同的多层增透膜,各层增透膜的折射率从下往上依次递增,相邻...
  • 本实用新型公开了一种新型可饱和吸收镜,包括衬底、覆盖在所述衬底上的金属反射层,金属反射层上覆盖有空腔吸收层,空腔吸收层上设有介质膜增透层,介质膜增透层包括若干层叠放置的增透层,相邻增透层间设有第二增透层,第一增透层材料与第二增透层材料折...
  • 本发明涉及微纳米制备技术领域,具体涉及一种纳米压印模版的制备方法。包括制备聚苯乙烯微球分散液、将聚苯乙烯微球转移到石英衬底上形成自组装阵列、采用反应离子刻蚀法对附着有聚苯乙烯微球自组装阵列的石英衬底进行刻蚀、清洗等步骤。本发明工艺简单且...
  • 本发明涉及一种制备倾斜端面超辐射发光管的方法,包括如下步骤:s1、制备外延片,s2、制备波导结构,s3、制备倾斜端面,s4、制备电极窗口,s5、制备P面电极,s6、减薄和抛光,s7、制备N面电极,s8、退火,获得倾斜端面超辐射发光管。该...
  • 本发明公开了一种多级的微纳米台阶结构的加工方法,包括:在所需加工的晶圆表面涂覆光刻胶;采用掩膜版对光刻胶进行光刻处理;掩膜版包括多个圆孔阵列,圆孔阵列的圆孔直径和周期依据微纳米台阶深度设计,所述圆孔直径越大台阶深度越深;对晶圆进行一次刻...
  • 本实用新型涉及一种MBE半自动化对准系统,前腔室和后腔室通过气动闸板阀分隔,带升降功能的取料装置设置在后腔室内部上方,步进马达连接传动杆推动载物平台进行取料装置方向的线型往返运动,通过扣合方式将物料花篮平稳放置在载物平台固定位置上,基板...
  • 本实用新型涉及一种洗涤塔水循环使用系统,洗涤塔出水口通过第三逆止阀连通到过滤系统,过滤系统通过第四逆止阀连通储水罐,储水罐通过第七球阀开关连通纯净水罐,储水罐的顶部安装压力表,储水罐的底部连通带第八球阀开关的排污管,储水罐通过PH值检测...
  • 本发明涉及光学器件技术领域,具体提供了一种半导体可饱和吸收镜、其制备方法以及激光器,其中,半导体可饱和吸收镜包括:层叠设置的分布式布拉格反射镜、可饱和吸收体结构、盖层以及金属光栅。应用本发明的技术方案能够有效地解决现有技术中半导体可饱和...
  • 本发明提供了一种掺杂型的半导体可饱和吸收镜、其制备方法以及激光器,其中,掺杂型的半导体可饱和吸收镜,包括:层叠设置的分布式布拉格反射镜以及至少一个周期的可饱和吸收体,其中,一个周期的可饱和吸收体包括:层叠设置的缓冲层、可饱和吸收层以及第...
  • 本实用新型涉及一种中红外辐射发光二极管,其技术方案的要点是包括管体,所述管体上部设置有脊型波导,所述脊型波导包括依次相连的竖直波导、斜向波导以及J型弯曲波导;所述竖直波导长度方向与腔面法线方向平行设置;所述J型弯曲波导包括长度方向与腔面...
  • 本实用新型涉及一种中红外激光器增益介质结构,其技术方案的要点是包括两个电极以及若干层设置在两个电极之间的增益层,所述增益层包括从上到下依次设置的上布拉格反射器、黑磷半导体层以及下布拉格反射器;本实用新型通过应用黑磷替代现有的量子点/量子...
  • 本发明公开了一种激光诱导原位生长周期性纳米结构的方法,包括如下步骤:步骤一:在衬底上进行首次生长形成缓冲层对衬底表面进行平整;步骤二:在衬底上利用多道激光光束照射的同时进行继续生长,其中多道激光光束在衬底上形成干涉,继续生长1
  • 本发明涉及一种三态发光量子点超辐射发光二极管及其制造方法,其技术方案的要点是超辐射发光二极管包括巴条,所述巴条包括从下到上依次设置的N
  • 本实用新型涉及一种短腔高重频激光器,其技术方案的要点是包括泵浦源以及谐振腔,所述谐振腔包括波分复用器、半导体可饱和吸收镜以及增益介质,所述波分复用器与泵浦源相连,所述波分复用器分别与半导体可饱和吸收镜以及增益介质相连,所述增益介质包括介...
  • 本实用新型涉及一种带有功率放大器的单纵模沟槽F
  • 本实用新型涉及一种高阶光栅单纵模沟槽激光器,包括基片,所述基片的顶部设置有脊型波导,所述基片中设置有沟槽,所述沟槽设置于所述脊型波导的正下方,所述沟槽的排布方向与所述脊型波导延伸的方向倾斜布置;所述脊型波导的两侧垂直于所述脊型波导均匀设...
  • 本实用新型涉及一种单纵模F
  • 本发明公开了一种异质结的处理方法,包括如下步骤:步骤一:对异质结材料表面的二维材料进行飞秒激光照射,使二维材料与半导体材料进行掺杂;步骤二:对经过飞秒激光照射的区域采用纳秒激光照射处理后,完成异质结材料中异质结的处理。使用本方法的飞秒激...
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