【技术实现步骤摘要】
一种纳米压印模版的制备方法
[0001]本专利技术涉及微纳米制备
,具体涉及一种纳米压印模版的制备方法。
技术介绍
[0002]纳米压印(Nano
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imprint Lithography,NIL)技术作为近年来迅速发展的一种新颖的微纳加工技术,突破了传统光刻在特征尺寸上减小的困难,具有低成本、分辨率高、高产率的优势。纳米压印的基本原理就是将模板上制备好的图案结构通过光刻胶等材料以热压或者光刻等工艺转移到所需的基底上。最初的纳米压印技术是使用热固性材料作为转印介质填充在模板与待加工材料之间,转移时需要加高压并加热来使其固化。后来人们使用光刻胶代替热固性材料,采用注入式代替压印式加工,避免了高压和加热对加工器件的损坏,也有效防止了气泡对加工精度的影响。而模板的选择也更加多样化。原来的刚性模板虽然能获得较高的加工精度,但仅能应用于平面加工。研究者们提出了使用弹性模量较高的PDMS(聚二甲基硅氧烷)作为模板材料,开发了软压印技术。这种柔性材料制成的模板能够贴合不同形貌的表面,使得加工不再局限于平面,对颗粒、 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种纳米压印模版的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一:制备聚苯乙烯微球;将聚苯乙烯微球与分散剂混合形成微球分散液;步骤二;将微球分散液中的聚苯乙烯微球转移到石英衬底上,在石英衬底上形成聚苯乙烯微球自组装阵列;步骤三:采用反应离子刻蚀法对附着有聚苯乙烯微球自组装阵列的石英衬底进行刻蚀,削减聚苯乙烯微球尺寸的同时对石英衬底的上表面进行刻蚀,使石英衬底的上表面形成与聚苯乙烯微球自组装阵列相对应的有序结构阵列;步骤四:清洗并去除石英衬底上的残留物获得所述纳米压印模版。2.根据权利要求1所述的纳米压印模版的制备方法,其特征在于,所述反应离子刻蚀法的射频功率为160
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480W,所述刻蚀反应气体包括刻蚀气体保护气体,其中所述刻蚀气体为SF6,通量为15
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75sccm,所述保护气体为C4F8,通量为5
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15sccm;刻蚀时间为10
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200s。3.根据权利要求2所述的纳米压印模版的制备方法,其特征在于,所述反应离子刻蚀法的射频功率为160W,所述刻蚀气体为SF6,通量为15sccm,所述保护气体为C4F8,通量为5sccm;刻蚀时间为10
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200s。4.根据权利要求1所述的纳米压印模版的制备方法,其特征在于,所述反应离子刻蚀法的射频功率为160
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480W,所述刻蚀反应气体为SF6和O2,其中的SF6通量为15
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75sccm、O2的通量为5
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15sccm;刻蚀时间为100
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130s。5....
【专利技术属性】
技术研发人员:王星,张子旸,陈红梅,
申请(专利权)人:青岛翼晨镭硕科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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