掺杂型的半导体可饱和吸收镜、其制备方法以及激光器技术

本发明专利技术提供了一种掺杂型的半导体可饱和吸收镜、其制备方法以及激光器，其中，掺杂型的半导体可饱和吸收镜，包括：层叠设置的分布式布拉格反射镜以及至少一个周期的可饱和吸收体，其中，一个周期的可饱和吸收体包括：层叠设置的缓冲层、可饱和吸收层以及第一盖层，缓冲层位于分布式布拉格反射镜与可饱和吸收层之间；在半导体可饱和吸收镜包括多个周期的可饱和吸收体的情况下，其还包括：间隔层，任一相邻的两个周期的可饱和吸收体之间均设置有间隔层；缓冲层或第一盖层或间隔层内存在P型或N型掺杂区域A。应用本发明专利技术的技术方案能够有效地解决现有技术中半导体可饱和吸收镜的光学特性差以及基于元器件构成的超快激光器的性能和稳定性差的问题。和稳定性差的问题。和稳定性差的问题。

【技术实现步骤摘要】
掺杂型的半导体可饱和吸收镜、其制备方法以及激光器


[0001]本专利技术涉及超快激光领域 ，具体而言，涉及一种掺杂型的半导体可饱和吸收镜、其制备方法以及激光器。

技术介绍

[0002]超快激光是脉冲宽度在皮秒或飞秒量级的激光，随着激光技术的飞速发展，超快激光在材料加工、医疗、激光雷达和通讯等领域具有广泛的应用。半导体可饱和吸收镜（SESAM）是采用半导体材料和工艺制造而成的一种可饱和吸收镜（SAM），同时也是可饱和吸收体(SA)其中一种，除此之外还有新兴的碳纳米管、石墨烯和过渡金属硫化物等二维材料等。但由于二维材料稳定性差，所以应用很难进行推广。SESAM 经过数十年的发展，技术相对成熟，输出稳定，已实现商业化生产，并在固体激光器及光纤激光器中广泛使用。因此 SESAM 性能的提高对于超快激光系统的发展尤为重要。
[0003]目前，SESAM面临许多困难和挑战，主要问题在于低饱和通量和高调制深度相互制约。相对于三维体材料，二维的量子阱材料具有更加集中的态密度，使半导体材料中的载流子的限制进一步提升，并且理论上量子阱材料的器件性能也更好。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掺杂型的半导体可饱和吸收镜，包括：层叠设置的分布式布拉格反射镜（20）以及至少一个周期的可饱和吸收体（30），其中，一个周期的所述可饱和吸收体（30）包括：层叠设置的缓冲层（31）、可饱和吸收层（32）以及第一盖层（33），所述缓冲层（31）位于所述分布式布拉格反射镜（20）与所述可饱和吸收层（32）之间；在所述掺杂型的半导体可饱和吸收镜包括多个周期的所述可饱和吸收体（30）的情况下，所述掺杂型的半导体可饱和吸收镜还包括：间隔层（50），任一相邻的两个周期的所述可饱和吸收体（30）之间均设置有所述间隔层（50），其特征在于，任一个周期的所述可饱和吸收体（30）内的所述缓冲层（31）或所述第一盖层（33）内存在掺杂区域A，或者，所述间隔层（50）内存在掺杂区域A，所述掺杂区域A为P型掺杂区域或N型掺杂区域。2.根据权利要求1所述的掺杂型的半导体可饱和吸收镜，其特征在于，在所述缓冲层（31）或所述第一盖层（33）内存在所述掺杂区域A的情况下，所述掺杂区域A与所述可饱和吸收层（32）之间的距离在7
‑
15nm之间，所述掺杂区域A内的掺杂元素的掺杂浓度在10
16
‑
10
19
/cm3之间，所述掺杂区域A的厚度在5
‑
10nm之间；在所述间隔层（50）内存在所述掺杂区域A的情况下，所述掺杂区域A内的掺杂元素的掺杂浓度在10
16
‑
10
19
/cm3之间，所述掺杂区域A的厚度在5
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10nm之间。3.根据权利要求1所述的掺杂型的半导体可饱和吸收镜，其特征在于，所述掺杂型的半导体可饱和吸收镜还包括：衬底（10），设置于所述分布式布拉格反射镜（20）的远离所述可饱和吸收体（30）的一侧；和/或，第二盖层（40），设置于所述可饱和吸收体（30）的远离所述分布式布拉格反射镜（20）的一侧。4.根据权利要求3所述的掺杂型的半导体可饱和吸收镜，其特征在于，所述衬底（10）为GaAs衬底，所述第二盖层（40）为GaAs盖层。5.根据权利要求1所述的掺杂型的半导体可饱和吸收镜，其特征在于，所述第一盖层（33）为InGaAs盖层，所述缓冲层（31）为InGaAs缓冲层或GaAs缓冲层。6.根据权利要求1所述的掺杂型的半导体可饱和吸收镜，其特征在于，所述第一盖层（33）的厚度在10
‑
200nm之间，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张子旸，陈红梅，戴浩，蒋成，
申请(专利权)人：青岛翼晨镭硕科技有限公司，
类型：发明
国别省市：