奇力光电科技股份有限公司专利技术

奇力光电科技股份有限公司共有54项专利

  • 本发明涉及一种发光二极管元件及应用其的背光模块、液晶显示器。此发光二极管元件至少包括:一封装结构具有出光区,其中封装结构具有最大封装体高度,且出光区具有最大出光区高度,最大出光区高度小于或等于最大封装体高度的70%。
  • 本发明涉及一种发光二极管(LED)及其制造方法。此发光二极管至少包含:一基板;一第一半导体层位于基板上;一发光层位于第一半导体层上;一第二半导体层位于发光层上,其中第二半导体层的一表面包含第一粗糙区以及第一平坦区,且第二半导体层与第一半...
  • 本发明涉及一种发光二极管(LED)灯泡结构及应用其的发光二极管照明装置。此发光二极管灯泡结构至少包含:一发光二极管光源模块;一基座部,其中发光二极管光源模块设置在基座部上;以及一驱动部,至少包含一旋转轴,其中驱动部通过旋转轴而与基座部连...
  • 本发明涉及一种发光二极管(LED)光源模块,至少包含:一导热基板,其中导热基板的一表面包含多个凹槽;多个发光二极管芯片分别设在前述凹槽中;至少一绝缘层设于前述凹槽外的导热基板的表面上;至少一导电层设于绝缘层上,其中这些发光二极管芯片与导...
  • 本发明涉及一种发光二极管灯具。此发光二极管灯具至少包含:一灯座;以及至少一发光二极管光源模块,其中此至少一发光二极管光源模块透过至少一旋转轴而与灯座枢接,且此至少一发光二极管光源模块通过前述至少一旋转轴可相对于灯座旋转。
  • 本发明是有关于一种发光二极管装置,至少包括依序堆叠在基板上的 缓冲层、未掺杂氮化铟铝镓(InAlGaN)层、第一导电型氮化铟铝镓层、活性 层、第二导电型氮化铟铝镓层、以及透光氮氧化物结构。透光氮氧化物结 构具有相对的第一表面与第二表面,...
  • 本发明涉及一种侧视型发光二极管(Side?View?Type?LED)封装结构及其制造方法与应用。侧视型发光二极管封装结构包含:一硅基座包含一凹槽,凹槽定义出侧视型发光二极管封装结构的出光面;一第一导电接脚位于至少部分的凹槽上,并延伸至...
  • 一种具有导热基座的发光二极管装置,包含发光二极管晶片、与发光二极管晶片连接的导热基座及提供电能的电极单元,发光二极管晶片具有底面形成有至少一个填充孔的基材及设置在基材上并在提供电能时产生光的动作膜,导热基座由高热传导系数的材料构成,具有...
  • 本发明公开一种发光二极管与其制造方法。此发光二极管的制造方法至少包括:依序形成折射介电层、接合层、磊晶结构及第一电极于透明基板上,其中磊晶结构依序形成第一电性半导体层、主动层及第二电性半导体层;形成第二电极于第二电性半导体层的部分表面上...
  • 本发明是有关于一种发光二极管封装结构及其制造方法。发光二极管封装结构至少包括:一金属基板;一金属粘着层设于金属基板上;一陶瓷层设于金属粘着层上;至少一发光二极管晶粒具有相对的第一侧与第二侧,其中发光二极管晶粒的第一侧嵌设于陶瓷层的一表面...
  • 本发明是有关于一种发光二极管元件(Light Emitting Diode;LED)、背光模组及液晶显示器,其中该发光二极管元件具垂直出光方向的截面,此垂直出光方向的截面具有第一高度。其中截面包含一出光区,此出光区具有垂直于出光方向的第...
  • 本发明是关于一种背光模组及具有该背光模组的液晶显示装置。此背光模组至少包含有光源和导光板。导光板是设置于光源的一侧,其中导光板具有导光缩减区,其形成于导光板的一侧,并靠近于光源,此导光缩减区的厚度是随着远离光源的距离的增加而缩减。此背光...
  • 本发明是关于一种背光模组,至少包括:一背板至少包括第一侧板、第二侧板以及第三侧板,其中第一侧板与第三侧板分别接合在第二侧板的相对二侧,且第一侧板与第三侧板相对;多个挟持结构至少凸设于第一侧板的内侧面,且邻近于第二侧板;一导光板设于背板之...
  • 本发明是有关于一种发光二极管的导电支架结构,其至少包含:一接合区,用以接合一发光二极管;二翅膀形反射面,分别形成于该接合区的两侧,其中每一该些翅膀形反射面与该接合区夹有一特定角度,用以使该发光二极管的侧向光朝一特定方向出光;一第一电极接...