本发明提供具有改善的抛光特性和寿命的用于抛光半导体晶片的化学机械抛光垫。该抛光垫包括热塑性背衬膜和结合到该热塑性背衬膜上的压敏粘合剂。设置压敏粘合剂以将化学机械抛光垫结合到抛光压板上。还设置压敏粘合剂以提供在暴露于具有约４或更高的ｐＨ的...

一种用不含聚氨酯的热塑性泡沫抛光体化学机械抛光（ＣＭＰ）半导体基片上的金属表面用的浆液，该浆液包含：　　　　酸性缓冲剂，在抛光半导体基片上的金属表面的过程中，所述酸性缓冲剂维持所述浆液处在约２．５至约４．０的ｐＨ下；和　　　　磨料颗粒稳...

本发明一般涉及打磨基体如半导体晶片上的表面的方法，具体地，涉及一种用于此目的的打磨垫。该打磨垫包括一个由交联聚合物制成的打磨体，可装入打磨装置中。打磨包括将包括至少一层的基体定位在打磨体上并打磨该层。

本发明提供具有改进的抛光性能和耐久性的抛光垫片。该垫片包括热塑性泡沫基质，该热塑性泡沫基质的表面由凹面泡孔组成。用抛光剂涂布凹面泡孔的内表面。本发明包括制备抛光垫片的方法，和含抛光垫片的抛光装置。

本发明提供一种使用非接触超声反射法检测抛光垫表面性质的系统和方法。超声探头位于抛光表面的上方并在不与抛光的表面相接触的情况下被配置成既将超声信号传送到抛光的表面又从抛光的表面接收改变了的超声信号。耦合到超声探头的子系统被配置成从改变后的...

本发明在一个实施方案中提供了一种用于化学机械抛光的抛光垫（１００）。该抛光垫包括抛光体（１１０）。该抛光体包括热塑性泡沫基材（１１５），该基材具有包含凹形孔（１２５）的表面（１２０）。抛光剂（１３０）涂覆该凹形孔的内表面（１３５）。该抛...