【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于在例如玻璃、半导体、电介质、金属及其复合材料、磁性大容量存储介质和集成电路的这些物品上生成光滑的超平坦表面的化学机械抛光。
技术介绍
化学机械抛光(CMP)已经被成功地用于使金属薄膜和电介质薄膜平面化。在平面化的一个似乎可能的机理中，认为抛光工艺涉及在浆液(slurry)的存在下在晶片(wafer)表面上的高点与抛光垫材料之间的紧密接触。在该情形中，由浆液与被抛光的晶片表面之间的反应产生的腐蚀的材料通过在抛光垫-晶片界面上的剪切而除去。抛光垫材料的弹性性能显著地影响最终的平面性和抛光速率。反过来，该弹性性能是内在的聚合物和其泡沫结构二者所起的作用。历史上，基于聚氨酯的抛光垫由于它们高的强度、硬度、模量和高的断裂伸长率而被用于CMP。尽管这类抛光垫可以实现良好的均匀性和有效的形貌减少，但它们迅速并且均匀地除去表面材料的能力却由于使用的作用而迅速降低。对于基于聚氨酯的抛光垫所观察到的作为时间函数的材料去除速率的降低归因于这类抛光垫在临界剪切条件下的力学响应的变化。通常认为基于聚氨酯的CMP垫的功能性损失是归因于由抛光垫与用于抛光的浆液之间的相互作用...
【技术保护点】
一种用于化学机械抛光的抛光垫，其包括：抛光体，该抛光体包括热塑性泡沫基材，该基材具有包含凹形孔的表面；和涂覆所述凹形孔内表面的抛光剂，其中所述抛光剂包括包含碳化物或氮化物的无机金属氧化物。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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