化学机械抛光铜表面用的腐蚀延迟抛光浆液制造技术

一种用不含聚氨酯的热塑性泡沫抛光体化学机械抛光（ＣＭＰ）半导体基片上的金属表面用的浆液，该浆液包含：　　　　酸性缓冲剂，在抛光半导体基片上的金属表面的过程中，所述酸性缓冲剂维持所述浆液处在约２．５至约４．０的ｐＨ下；和　　　　磨料颗粒稳定剂。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在诸如玻璃、半导体、介电/金属复合材料、磁质量存储介质和集成电路之类的物体上产生光滑、超平表面所使用的抛光垫。更具体地说，本专利技术涉及具有腐蚀延迟性能的用于金属表面的抛光浆液。
技术介绍
在VLSI集成电路的制备中，化学机械抛光(CMP)广泛用作平面化技术。在IC加工中，它具有平面化各种物质的潜力，但最广泛用于平面化在半导体晶片上的金属化层和层间电介质，和用于平面化用于浅槽隔离的基底。特别地，现在使用铜基半导体的趋势对CMP技术提出了挑战。抛光垫和浆液的结合是确定表面可被抛光的速度与均匀度的重要参数。CMP包括结合使用抛光垫和化学蚀刻剂浆液，以便从具有高度平面度的半导体晶片表面上快速除去不想要的物质，如过量的金属。浆液内的化学蚀刻剂在金属表面上形成腐蚀副产物，随后通过抛光垫除去所述腐蚀副产物。然而，腐蚀副产物也可腐蚀或者改变抛光垫的表面。特别地，对于具有高粘弹性的软抛光垫来说，金属表面的腐蚀副产物可与抛光垫表面相互作用且有害地改变垫的抛光性能，结果降低金属抛光的速度或均匀度。此外，抛光垫可能太软，以致于在正常的抛光过程中不能除去腐蚀副产物，若例如副产物包埋在垫的表本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用不含聚氨酯的热塑性泡沫抛光体化学机械抛光(CMP)半导体基片上的金属表面用的浆液，该浆液包含酸性缓冲剂，在抛光半导体基片上的金属表面的过程中，所述酸性缓冲剂维持所述浆液处在约2.5至约4.0的pH下；和磨料颗粒稳定剂。2.权利要求1的浆液，其中所述pH为约2.7至约3.2。3.权利要求1的浆液，其中所述pH为约3.5至约4.0。4.权利要求1的浆液，其中所述磨料颗粒稳定剂包括相当于聚合物重复单元的分子，所述聚合物构成在所述浆液内的磨料颗粒。5.权利要求4的浆液，其中所述磨料颗粒包括胶态二氧化硅颗粒和所述磨料颗粒稳定剂包括硅酸和硅酸盐。6.权利要求5的浆液，其中所述硅酸与所述硅酸盐之比为约100∶1至1∶100。7.权利要求4的浆液，其中所述磨料颗粒包括氧化铝和所述磨料颗粒稳定剂包括铝酸盐。8.权利要求1的浆液，进一步包括氧化剂和钝化剂。9.权利要求8的浆液，其中所述钝化剂由所述金属表面与所述氧化剂之间的反应就地生成。10.权利要求9的浆液，其中所述氧化剂是碘酸钾(KIO3)，所述钝化剂是碘(I2)，和所述金属表面包括铜。11.权利要求9的浆液，其中进一步包括非就地生成的第二钝化剂，其中所述钝化剂和所述第二钝化剂与所述金属表面协同相互作用，以延迟所述金属表面的腐蚀。12.一种化学机械抛光(CMP)体系，它包括含酸性缓冲剂的浆液，其中在抛光半导体基片上的金属表面的过...

【专利技术属性】
技术研发人员：Y·S·欧本格，
申请(专利权)人：皮斯洛奎斯特公司，
类型：发明
国别省市：