本发明涉及晶片保持器和温度调节装置和制造晶片的方法。晶片保持器和温度控制布置具有覆盖加热器隔室的金属圆形晶片载板。在加热器隔室中，布置多个加热器灯管，其直接作用于圆形晶片载板上。圆形晶片载板可绕中心轴线被驱动旋转。利用重量环来将晶片保持...

基板中的具有至少大约1:1的深宽比的通孔用呈现热驱动非晶\结晶相变的材料填充。这在真空制程室（50a）内执行。在第一时间跨度期间，通过DC溅射由材料靶材（60）溅射沉积材料。在后续的时间跨度中，在通过提出的溅射进行材料覆盖时可保持在通孔...

本申请涉及具有多个溅射源的反应溅射。用于通过反应溅射来涂覆衬底(14)的设备(1)包括轴(8)；关于所述轴(8)成对称布置的至少两个目标(11,12)，以及连接到目标(11,12)的电源，其中目标能交替地作为阴极和阳极工作。该方法为制造...

为了在靶材的使用寿命内并且在HIPIMS操作下控制溅射靶材（9）的操作，在靶材（9）的使用寿命内，与靶材（9）相关联的磁体结构的部分I相对于靶材（9）收缩，而磁体结构的第二部分II，如果会发生的话，相对于所述后侧（7）收缩较少。由此，部...

一种基底加工布置，其表现为热空腔，该热空腔带有两个反射表面和碳加热器，该碳加热器用于将基底有效地加热至750℃或更高的温度。已经显示，即使是带有在光谱的红外线部分中的低吸收特性的基底(玻璃、硅、蓝宝石)，也可通过在两个反射表面之间“夹入...

本发明提供了包含常规电化学电容器结构的改进的超级电容器式电子电池。第一纳米复合电极和第二电极以及电解质放置在所述常规电化学电容器结构内。电解质使所述纳米复合电极和所述第二电极分离。所述第一纳米复合电极具有在第一电解质基质中的第一导电核-...

本发明指的是触摸屏和制造触摸屏的方法，该触摸屏具有基板和图案化的透明导体层，其中关于反射率和透射率两者的在有和没有被透明导体层覆盖的情况下的基板区域之间的颜色差通过下述被减小：●中间层堆叠（IL），其被布置在基板和透明导体层之间，●其中...

本发明涉及一种真空适配器，其用于将真空隔绝的冷却剂管路(11、12、22、23)从周围大气环境穿引到真空加工设备中，所述真空适配器具有中间容腔(2)，所述中间容腔(2)一方面与真空隔绝的导入管路的至少一个隔绝中间腔(32、33)连接并且...

本发明涉及用物理气相沉积（PVD）技术的定向材料沉积。尤其，本发明涉及PVD设备，其包括：-容纳材料源的真空密闭外部容器，-至少两个衬底，其被布置成定义与所述材料源间隔开的衬底平面，-所述衬底以要被处理的表面面对材料源。这个材料源的直径...

一种用于盘形基片的传送和移交机构，其包括：承载器(3)和接管机构(15)。二者相对于彼此可移动。通过接管机构(15)处的永磁体(17)的远距离控制，可磁化材料制成的相对较重的基片承载器(7)由接管机构(15)进行接管或者从其返回到承载器...

本发明涉及脉冲双极溅射的方法，所述方法包括以下步骤：-在第一时间段（T-）期间应用溅射脉冲（-）/和-在随后的第二时间段（T+）期间应用反转电压脉冲。应用反转电压脉冲的步骤包括控制、特别是调整反转电压脉冲的定时（T+）。这样，实现了高质...

在贮存器中提供了涂层物质和溶剂的液体前体材料。在一个变型中，液体前体材料被蒸馏，所得的液体涂层物质被汽化并且通过蒸气分配喷嘴组件(7)喷射到真空容器(3)中且喷射到待涂布的基底(5)上。备选地，液体前体材料被直接汽化。从两组分蒸气，涂层...

晶片保持器和温度控制布置具有覆盖加热器隔室的金属圆形晶片载板。在加热器隔室中，布置多个加热器灯管，其直接作用于圆形晶片载板上。圆形晶片载板可绕中心轴线被驱动旋转。利用重量环来将晶片保持在圆形晶片载板上，重量环安放于在晶片载板上所淀积的晶...