本发明公开了一种电荷泵电容性ＤＣ－ＤＣ转换器（２００），其包括可重配置电荷泵电容器阵列。ＤＣ－ＤＣ转换器配置为通过使用形成可重配置阵列的至少一个电荷泵电容器（Ｃ２１，Ｃ２２）中的至少一个作为可变电容器，提供其输入电压（Ｖｉｎ）和其输出电...

一种制造ＭＥＭＳ器件的方法包括形成ＭＥＭＳ器件元件１４。在所述器件元件上提供牺牲层２０并在牺牲层上提供封装覆盖层２４。在牺牲层的上方形成分隔层１３，并被刻蚀来限定邻近牺牲层外侧壁的分隔部分。这些改进了覆盖层２４侧壁的密封。

一种ＭＥＭＳ电路，所述电路包括：带有温度依赖性输出的ＭＥＭＳ器件结构、电阻加热电路以及反馈控制系统，用于控制电阻加热电路来提供加热，以便维持ＭＥＭＳ器件处于恒定的温度。依赖于环境温度控制所述加热，使得ＭＥＭＳ器件温度被维持在多个依赖于环...

通过专用对等通信介质，在对等端设备之间传递诸如图像、声音或其他媒体内容之类的数据。根据示例实施例，在对等端设备之间传送数据，对等端端设备分别属于分别由设备类别标识（ＩＤ）标识的多个设备类别之一。存储用于对要在具有相应ＩＤ的设备之间执行的...

本发明提出了一种基于输入信号（Ｈｍ）来产生测量信号（Ｕａ）的传感器设备（２００）。输入信号优选地是磁场。传感器设备包括信号发生装置（２２０）和传感器装置（２３０）。信号发生装置（２２０）产生与输入信号（Ｈｍ）相同类型的周期信号（Ｈｅ）。...

本发明涉及一种电路装置，包括多个可重新配置电路单元，每一个可重新配置电路单元包括：多个节点；多个链接，与所述节点可连接；至少一个电路元件；其中所述可重新配置电路单元的每一个均配置用于形成所述电路装置的节点或链接。另外，本发明涉及一种涉及...

本发明涉及一种半导体器件，其用在该半导体器件和其他半导体器件的堆叠配置中。该半导体器件包括：基板（５），所述基板（５）包括在其第一侧面提供的电子电路（７）的至少一部分。所述基板（５）包括在第一侧面的钝化层（１９），以及从第一侧面延伸至过...

一种集成部件（１００），包括：基板（１０２），形成于基板（１０２）上与基板（１０２）的表面一起封闭空腔（１０６）的帽层（１０４），以及用于加固帽层（１０４）并从帽层（１０４）的中心部分沿着帽层（１０４）延伸的加固结构（１０８）。

一种使用高速缓存电路（１２）处理数据的处理器（１０）。处理器（２０）经过高速缓存电路（１２）耦合到功能上的可拆卸装置（１９）。当高速缓存行被载入高速缓存存储器（１２０）时，测试高速缓存行是否具有分配给可拆卸装置（１９）的可拆卸装置地址范...

提供了一种对流数据进行缓冲的方法，该流数据以服务器数据速率（Ｃｓ）来自服务器（Ｓ），经由网络（Ｎ），以终端接收数据速率（Ｃｒｅｃ）到达至少一个终端设备。由终端设备（Ｔ）向服务器（Ｓ）请求流会话。以服务器数据速率（Ｃｓ）从服务器（Ｓ）向网...

本发明涉及一种电部件，包括：至少一个第一ＭＩＭ电容器，具有第一电极材料的第一电容器电极与第二电极材料的第二电容器电极之间的介电常数至少为１００的铁电绝缘层。第一电极材料和第二电极材料被选择为使得第一ＭＩＭ电容器根据第一电极与第二电极之间...

一种微电子封装结构，包括引线框（１２）和微电子封装（１４），其中引线框（１２）具有固定条（１６）。微电子封装（１４）包括封装体（２２）和用于将封装体（２２）与引线框（１２）的固定条（１６）相连的连接元件（２４）。连接元件（２４）从封装体...

通过沉积填充金属３６并且将所述填充金属３６回蚀至周围绝缘体３０的表面来制造生物兼容电极。然后，另外的刻蚀在所述通孔３２的顶部处形成凹槽３８。然后沉积电极金属４０并且对其回蚀以填充凹槽３８，并且形成生物兼容电极４２。这样，实现了平面生物兼...

本发明涉及一种设置在半导体衬底１上的包括存取晶体管５和存储晶体管６的多晶体管例如双晶体管存储单元。所述存取晶体管５包括存取沟道区１４、第一注入和第二注入、第一扩散注入和第二扩散注入以及存取栅极２２，其中所述存取沟道区１４设置在第一注入和...

一种系统和方法提供了射频（ＲＦ）信号的自适应滤波。在预定ＲＦ频谱中接收到多个信号，所述信号包括期望信号和多个潜在干扰信号。将所述潜在干扰信号中的第一信号下转换至基带信号，并且确定基带信号的功率。当所述功率超过预定阈值功率时，激活与第一信...

一种半导体器件，例如ＭＯＳＦＥＴ（１），包括衬底（４０），所述衬底包括：第一区域（１８）和第一导电类型的第二区域（１６），以及位于所述第一区域和所述第二区域之间的、与第一导电类型相反类型的第三区域（４２），所述第三区域由电介质层（２０）...

本发明涉及低压自校准峰值检测器（１００）。使用两步校准处理，其补偿由相应的第一、第二和第三比较器（１２２、１２８、１３０）引入的偏移误差，峰值检测可以准确的进行，无论温度、处理或不匹配范围如何。它的输入带宽可以和单位增益的运算放大器的带...

描述了一种新型的Ｓｉ　ＭＥＭＳ压阻谐振器。所述谐振器具有框形，例如环形框或多边形框，具有两个或更多锚定点。使用位于谐振结构的外缘或内缘的电极，来将该结构静电激励为具有所需模式形状的谐振。将该结构上的一个或多个局部掺杂区用于信号的压阻读出...

一种用于具有Ｌ＝２Ｎ个电平的流水线ＡＤＣ的Ｎ比特级（１１０ｉ）的电路，所述电路包括：运算放大器（４２０）；第一反馈电容器（Ｃｆ１），第一反馈电容器的第一极板连接至运算放大器的输入，第一反馈电容器的第二极板可切换地：按照第一时钟信号（φ１...

描述了一种用于射频识别读取器模块（１４０）的天线电路（１２０）。天线电路（１２０）包括：第一天线部分（１２１），具有用于将第一天线部分（１２１）连接到射频识别读取器模块（１４０）的第一接触节点（１２１ａ）；第二天线部分（１２２），具有用...