提供制造ＣＭＰ垫中的原位凹槽的方法。一般地说，制造原位凹槽的方法包括以下步骤：构图硅树脂衬层（２０６）；将所述硅树脂衬层（２０６）设置在模具（２００）中或模具（２００）上；将所述ＣＭＰ垫材料添加到所述硅树脂衬层（２０６）；以及使所述ＣＭ...

ＣＭＰ工艺的材料去除速率、缺陷率、腐蚀性和凹陷以及有效平整化长度取决于抛光垫材料的局部摩擦学特性（硬度、顺应性）和物理性质（孔尺寸和密度以及粗糙度）。分级垫表现出对适应于平整化的不同材料／摩擦学性质的空间调节：（ｉ）具有最小凹陷、腐蚀、...

本发明涉及用于衬底的化学机械平整化（ＣＭＰ）的抛光垫、该抛光垫的制造方法及其应用。本发明描述的垫针对抛光规范被定制，其中规范包括（但不局限于）被抛光的材料、芯片设计和结构、芯片密度和图案密度、设备平台以及使用的浆料类型。这些垫可设计成具...