制造化学机械平面化(CMP)垫中的原位凹槽的方法以及新颖的CMP垫设计技术

提供制造ＣＭＰ垫中的原位凹槽的方法。一般地说，制造原位凹槽的方法包括以下步骤：构图硅树脂衬层（２０６）；将所述硅树脂衬层（２０６）设置在模具（２００）中或模具（２００）上；将所述ＣＭＰ垫材料添加到所述硅树脂衬层（２０６）；以及使所述ＣＭＰ垫固化。还描述了包括新颖凹槽设计的ＣＭＰ垫。例如，在此描述的是包括同心圆凹槽和轴向弯曲凹槽、反向对数凹槽、重叠圆凹槽、利萨如凹槽、双螺旋凹槽以及多重重叠轴向弯曲凹槽的ＣＭＰ垫。所述ＣＭＰ垫可以由聚氨酯制成，并且在其中制造的凹槽可由选自硅树脂加衬、激光直写、水射流切割、３－Ｄ印刷（ｐｒｉｎｔｉｎｇ）、热压成形、真空成形、微接触印刷、热压印及其混合中的方法制造。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
一般地说，这里描述的方法和设计属于用于化学机械平面化(CMP)的抛光垫领域。更具体地，这里描述的方法和设计涉及用于CMP垫的原位凹槽以及新颖的CMP垫设计。
技术介绍
通常，在半导体晶片上的集成电路(IC)制造期间将CMP用于平面化单个层(例如，介电或金属层)。CMP去除晶片上不需要的IC形貌特征。例如，CMP去除金属镶嵌工艺后的金属沉积物，以及来自浅沟槽隔离步骤的过量氧化物。类似地，CMP也可用于平面化金属间电介质(IMD)，或具有复杂结构，如芯片上系统(SoC)设计和具有变化的图形密度的垂直栅结构(例如，FinFET)的器件。CMP利用一般被称作浆料的反应液体介质，以及抛光垫以提供化学和机械控制从而实现平面化。液体或抛光垫都包含纳米尺寸的无机颗粒以增强CMP工艺的化学反应性和/或机械活性。典型地该垫由能够执行包括浆料传输、在整个晶片内施加的压力分配、以及反应产物的去除这几种功能的硬质微孔聚氨酯材料构成。在CMP期间，浆料的化学相互作用在抛光表面形成化学改性层。同时，浆料中的磨料与化学改性层机械地相互作用，导致材料去除。CMP工艺中的材料去除速率与浆料的磨料浓度以及垫/浆料/晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造ＣＭＰ垫中的原位凹槽的方法，包括以下步骤：　　　　构图硅树脂衬层；　　　　将所述硅树脂衬层设置在模具中或模具上；　　　　将ＣＭＰ垫材料添加到所述硅树脂衬层；　　　　使所述ＣＭＰ垫固化。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：M德奥普拉，HM瓦伊迪亚，PK罗伊，
申请(专利权)人：尼欧派德技术公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]