本实用新型涉及一种硅圆酸洗工装，包括框体和至少一组支撑组件，框体包括前侧壁、左侧壁、后侧壁和右侧壁，每一组支撑组件包括四个支撑件，每一个支撑件的一端设置在前侧壁上，每一个支撑件的另一端设置在后侧壁上，每两个支撑件位于同一高度，下层的两个...

一种硅质保温桶，包括：桶体，呈圆柱状，内腔中空，无底；桶体的上表面中心设置连接台；所述连接台和桶体一体成型；连接台沿轴向开设通孔，所述通孔与桶体的内腔连通；桶体的上表面绕圆周方向对称设置两个横向定位孔；桶体的上表面绕圆周方向对称设置四个...

本发明涉及一种用于具有高深宽比小孔硅产品的刻蚀设备，其包括滚筒，滚筒设置固定同一硅产品的固定槽倾斜设置，滚筒内安装硅产品后浸入酸液中对硅环等硅产品进行刻蚀，使设置在硅产品高深宽比的小孔孔径延伸方向和酸液液面形成一定的倾斜角度，使酸液能够...

该发明提供一种石英坩埚壁厚全方位测量装置，包括支撑平台、旋转平台和测量机构，旋转平台平行设置在支撑平台的上端面上，用于承载石英坩埚并带动石英坩埚圆周旋转，测量机构设置在支撑平台上，对旋转的石英坩埚壁厚进行环向测量，测量机构包括内部测距部...

本发明提供一种硅质瓦片舟的加工方法，涉及硅舟制备方法技术领域，将毛坯料截断，并将毛坯料平磨，得到外观尺寸合格的待加工胚料，再将待加工胚料粘接在石英板上，将粘接好毛坯料的石英板装夹至机床工作台面，得到已装夹胚料，在已装夹胚料上设置加工坐标...

本发明涉及一种硅环表面打孔方法，采用第一钻头对硅环的打孔位置加工预设深度及宽度的凹坑，完成全部的凹坑加工后，利用第二钻头在每一个凹坑上进行打孔，并在第二钻头打孔的过程中间歇性打孔，即每次完成预设的打孔深度后将第二钻头抬起进行冷却和冲洗后...

本发明公开一种硅加工擦拭装置，包括壳体、无尘布夹紧组件、无尘布按压组件、第一动力组件和第二动力组件，壳体的底部设置压力传感器，无尘布夹紧组件安装在壳体上通过第一动力组件驱动后将无尘布的第一端夹紧，无尘布按压组件安装在壳体上通过第二动力组...

本发明涉及一种拉晶过程中便于测量大直径晶棒的主炉室炉盖，包括盖体，盖体上设置喉口、第一观察窗和第二观察窗，第一观察窗、第二观察窗和喉口成品字状设置在炉体上，第一观察窗上设置第一刻度尺和第一支架，第一目镜以滑动方式设置在第一支架上并能够通...

一种硅片煮沸工装，包括盖板、底板，所述盖板的一侧与底板的一侧转动连接，所述底板包括第一凸起、第二凸起、第一液体流通孔，所述第一凸起为“十”字形，多个所述第一凸起在底板上沿着横向排成数列，沿着纵向排成数行，相邻两个第一凸起之间间隔一段距离...

本实用新型提供一种硅环承载花篮，包括支撑架和滚轮，支撑架的底部安装两个滚轮，两个滚轮之间预设间距，每个滚轮上设置凹槽，凹槽沿着滚轮的周侧环绕设置，支撑架的两端各设置一个第一U型槽，两个第一U型槽均位于凹槽的上方，两个凹槽和两个第一U型槽...

本实用新型提供的硅片退火用工装，属于半导体退火装置技术领域，用于安装硅片，包括架体、调节杆组件，架体包括第一固定板、第二固定板、底板，底板的一侧与第一固定板连接，底板的另一侧与第二固定板连接，第一固定板的一侧开设第一水平调节槽，第二固定...

本实用新型提供的硅环单面刻蚀用工装，属于硅环固定装置的技术领域，包括承载组件，所述承载组件包括底板、卡接圆台，所述卡接圆台与所述底板连接，所述硅环能够卡接在所述卡接圆台上，所述硅环不需返修的一面与所述底板相对，然后将所述硅环卡接在所述卡...

本发明提供石英坩埚熔制前底部合成砂扬砂装置及扬砂方法，涉及石英坩埚熔制装置技术领域，包括储料组件、散砂器，所述散砂器包括连接件、锥形分布板，所述连接件的一端与所述储料组件连接，所述连接件的另一端与所述锥形分布板固定连接，所述锥形分布板距...

本发明涉及一种晶硅提拉用增氧石英坩埚，包括透明层和气泡层，透明层位于气泡层内侧，气泡层外侧设置多个相间的凸起部。在高温下拉制晶硅过程中，石英坩埚的凸起部与单晶炉内的石墨坩埚内壁相接触，当石英坩埚的温度达到1100

本发明提供一种多晶硅筒加工装置，包括机床、刀具基座、圆筒型刀具、导向润滑降温装置，刀具基座安装在机床上，圆筒型刀具的上端安装在刀具基座上，导向润滑降温装置的上端面上预设圆环开槽，圆环开槽的大小和圆筒型刀具的下端口大小相适应，导向润滑降温...

本发明涉及一种多晶硅环的化学机械抛光方法，依次包括将硅环和无纺布抛光垫安装在抛光机上、粗抛、精抛步骤；粗抛中的粗抛液的成分为氧化铝（0.23

本发明提供一种抛光机用重力供液系统，属于供液系统技术领域，包括桶体、出液管、鼓泡组件，鼓泡组件包括进气管、单向透气板，单向透气板开设数个通孔，单向透气板与桶体的内环壁连接，单向透气板与桶体的底部形成气体空腔，单向透气板与桶体的上部形成溶...

一种快速找圆心的装置，包括环形座、抱紧块、同步驱动机构，所述抱紧块设于环形座的上表面，所述抱紧块可沿环形座的径向直线往复滑动，所述抱紧块为数个，数个抱紧块沿环形座周向均布，所述抱紧块面对环形座圆心的一端为弧形端面，数个抱紧块的弧形端面的...

本发明公开一种提高直拉单晶硅棒尾部氧含量的石英坩埚的制备装置及方法和石英坩埚，所述装置包括模具和成型棒，成型棒包括棒体和顶针，棒体包括直臂、底臂、连接直臂和底臂的圆弧臂，顶针安装在底臂的端部，模具移动至成型工位处用顶针的下端与模具内部底...

本发明公开一种提高石英坩埚品质的制备装置及方法，所述装置包括熔制室、熔制模具、起弧遮挡组件和石墨电极，起弧遮挡组件以转动的方式安装在熔制室上，熔制模具安装在熔制室内，石墨电极安装在熔制室上方并以升降的方式可伸入或退出熔制模具，起弧遮挡组...