本发明公开了一种用于硅部件的环形硅棒生长方法，该方法采用环形籽晶，在单晶炉内依次执行以下步骤：装料熔化硅料；将环形籽晶固定于籽晶绳并下降与熔融硅液熔接；直接进行等径生长形成环形硅棒；生长完成后通过副室取出；更换环形籽晶或补充硅料后，在同...

本发明提供一种环形结构的硅锭的生产工艺，属于硅锭铸造技术领域。包括以下步骤：S1、选取内壁涂覆有脱模涂层的圆形或方形坩埚；S2、在坩埚中心放置预设直径的耐高温圆柱形块，所述圆柱形块熔点＞1600℃，材质选自陶瓷石英、石墨、氧化铝、碳化硅...

本发明提供一种低成本生产单个大尺寸圆形单晶工艺，属于半导体加工技术领域。包括以下步骤：步骤一，选取圆形坩埚，在圆形坩埚内表面制备一层涂层，烘干后待用；步骤二，在圆形坩埚中心铺设一块圆形籽晶；步骤三，在圆形坩埚内壁与圆形籽晶之间放置陶瓷石...

本发明提供一种铸造多晶硅部件用的涂层制备方法，属于多晶硅铸造技术领域。包括以下步骤：S1、选取一个待喷涂的陶瓷坩埚；S2、配置氮化硅喷涂溶液，所述溶液包含精确称量的氮化硅、去离子水、硅溶胶和聚乙烯醇粘结剂，S3、在所述氮化硅喷涂溶液中加...

本发明涉及晶体生长设备的技术领域，公开了一种硅部件用的晶体生长铸锭炉护板结构，包括上层圆形块、分离式卡接板、下层圆形块和坩埚，所述上层圆形块为整体圆形结构。本发明通过采用上层圆形块和下层圆形块分瓣式，既符合硅部件圆形的形状要求，又通过分...

本发明公开了一种免氮坩埚涂层制备的方法，属于半导体加工技术领域。包括以下步骤：步骤一，原料准备：准备好一个坩埚、高纯硅粉、高纯石英粉、硅溶胶和酒精；步骤二，混合：将高纯硅粉、高纯石英粉、硅溶胶和酒精倒入桶内，搅拌，使其混合均匀；步骤三，...

本发明涉及铸锭炉的技术领域，公开了一种硅部件用的晶体生长铸锭炉，包括炉体，所述炉体的内部设置有具备旋转功能的陶瓷石英坩埚，所述陶瓷石英坩埚的外表面设置有护板，所述陶瓷石英坩埚的外表面设置有用于加热的加热器，所述陶瓷石英坩埚的底部设置有坩...