本发明公开了一种校准芯片组，用于校准待测芯片的误差因子，所述校准芯片组包括短路校准芯片、开路校准芯片、匹配负载校准芯片和直通校准芯片，所述校准芯片组中的任一校准芯片与所述待测芯片的尺寸相同，其中，所述短路校准芯片的测试管脚和自身接地金属...

本技术提供了一种放大电路以及一种幅相多功能芯片，包括若干级级联的放大晶体管，每一放大晶体管包括漏极偏置电路和栅极偏置电路，漏极偏置电路包括串联于供电端和漏极之间的电感单元，栅极偏置电路包括串联于供电端和栅极之间的电感单元，至少一个电感单...

本实用新型提供了一种功率检测电路

本实用新型提供了一种功率检测电路，包括：

本发明提供了一种二极管等效电路模型的构建方法及装置，该方法包括以下步骤：基于ASM模型搭建二极管的等效电路，等效电路至少包括二极管模型和ASM模型，二极管模型与ASM模型并联；以及利用实测数据对等效电路进行拟合，以确定等效电路中的各个等...

本发明公开了一种毫米波双音信号生成装置，以及利用该装置的毫米波器件三阶交调测试系统和测试方法。其中毫米波双音信号生成装置包括：第一驱动放大器、第二驱动放大器、第一倍频器、第二倍频器、功率合成器。两路频率不同且独立的低频信号分别经过第一驱...

本发明涉及一种超宽带模拟移相器，属于集成电路的技术领域，包括滤波式移相网络，滤波式移相网络的输入端和输出端一侧分别连接有至少两个依次级联的全通网络；位于输入端一侧最末端的全通网络处连接有N个磁耦合子单元；位于输出端一侧最末端的全通网络处...

本实用新型公开一种8x8巴特勒矩阵馈电网络，包括：第一3dB90

本实用新型公开一种4x4巴特勒矩阵馈电网络，包括第一3dB90

本发明公开了一种用于芯片测试的直接校准方法及装置，方法包括以下步骤：(1)根据待测芯片确定与待测芯片匹配的校准芯片和测试用具；(2)将所述校准芯片安装在测试用具中，并接入矢量网络分析仪进行校准，以确定所述测试用具引入的误差因子；(3)拆...

本发明公开了一种无源超宽带和差器，包括90

本发明公开了一种宽带移相电路，包括：第一通路和第二通路，第二通路中包括接地电感，在第二通路的三阶全通网络的基础上增设接地电感。采用上述技术方案，提供了更大的超前相位，补偿低频端的相位非线性，展宽带宽，在降低网络的损耗的同时，结构简单体积...

本实用新型公开了一种便于返修的模组封装结构，包括第一电路板、金属层和第二电路板，所述第一电路板的第二表面与所述金属层的第一表面面连接，所述第二电路板的第二表面与所述金属层的第二表面面连接，所述第二电路板上具有过孔，所述过孔内设置导电物质...

本发明公开了一种芯片检测装置，包括测试装置，测试装置包括固定座，固定座的顶端固定设置用于检测待测芯片性能的PCB板，PCB板的顶端固定设置定位块，定位块上开设用于放置待测芯片的通口，定位块的上方设置与通口相适配的压柱，压柱底部用于插入通...

本发明提供一种表贴元器件的测试装置、测试组件及测试方法。所述测试装置包括底座、覆盖于底座上的PCB测试板、压合件；所述底座有向内凹陷的收容腔，PCB测试板上设有开槽；表贴元器件的主体自开槽插入至收容腔中，管脚自开槽边缘延伸出并与电连接导...

本发明公开了一种超宽带模拟移相器，包括：射频输入端、射频输出端、以及依次级联于射频输入端和射频输出端之间的N组磁耦合全通网络移相单元，其中N≥1；每组磁耦合全通网络移相单元包括：电感耦合单元；所述电感耦合单元至少包括两个相互耦合的电感。...