【技术实现步骤摘要】
本技术涉及射频电路设计领域，尤其涉及一种放大电路以及一种幅相多功能芯片。
技术介绍
1、幅相多功能芯片是tr组件中接收前端芯片，进行每个辐射单元的幅度和相位快速切换，以实现波束扫描的主要功能单元，是相控阵系统的核心器件。随着系统小型化需求日益迫切，通常将移相、衰减、放大、开关等多种功能单元集成到一块芯片上，这将大幅提高系统的集成度。
2、为了在芯片内实现高频高增益，放大器需要保持高增益，故需要采用多级级联的放大电路，放大电路会通过电源通道形成一个反馈通路，容易形成自激。
3、为解决上述问题，本技术提供了一种放大电路以及一种幅相多功能芯片。
技术实现思路
1、以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之序。
2、为了克服上述缺陷，本技术旨在提供一种放大电路以及一种宽带幅相多功能芯片。
3、根据本技术的一方面，提供了一种放大电路，包括若干级级联的放大晶体管，每一放大晶体管包括漏极偏置电路和栅极偏置电路，漏极偏置电路包括串联于供电端和漏极之间的电感单元，栅极偏置电路包括串联于供电端和栅极之间的电感单元，至少一个电感单元包括绕线电感和与绕线电感局部并联的若干个电阻。
4、在一实施例中，所有电感单元均包括绕线电感和与绕
5、在一实施例中，若干个电阻为两个。
6、在一实施例中，若干个电阻并联于绕线电感的相邻匝线圈之间。
7、根据本技术的另一方面，还提供了一种幅相多功能芯片，包括若干条幅相控制支路，每条幅相控制支路包括若干个前述任一实施例中的放大电路、若干个衰减器和移相器，若干个放大电路和若干个衰减器间隔地设置，第一级放大电路的输入端与幅相控制支路的输入端口连接，最后一级衰减器的输出端连接移相器的输入端，移相器的输出端作与幅相控制支路的输出端口连接。
8、在一实施例中，幅相控制支路还包括射频开关，射频开关为单刀双掷开关，单刀双掷开关的输出端连接第一级放大电路的输入端，单刀双掷开关的第一输入端连接幅相控制支路的输入端口，单刀双掷开关的第一输入端悬空，当单刀双掷开关的输出端与第一输入端导通时，幅相控制支路导通，当单刀双掷开关的输出端与第而输入端导通时，幅相控制支路断开。
9、在另一实施例中，幅相控制支路还包括射频开关，射频开关为单刀双掷开关，单刀双掷开关的输出端连接第一级放大电路的输入端，单刀双掷开关的第一输入端连接幅相控制支路的输入端口，单刀双掷开关的第一输入端连接一测试信号源，当单刀双掷开关的输出端与第一输入端导通时，幅相控制支路接收输入端口的输入信号以对输入信号进行福相变换，当单刀双掷开关的输出端与第而输入端导通时，幅相控制支路接收测试信号源的测试信号以对测试信号进行福相变换。
10、在一实施例中，幅相控制支路还包括限幅单元，限幅单元连接至幅相控制支路的输入端口。
11、在一实施例中，幅相控制支路至少一个衰减器为可调衰减器，移相器为可调移相器。
12、在一实施例中，射频开关、可调衰减器和可调移相器为数字电路，幅相控制支路的数字电路通过同一并行接口通信。
13、在一实施例中，放大电路为模拟电路，相邻的数字电路和模拟电路之间设置隔离通孔。
14、本技术提供的放大电路通过在绕线电感的局部并联若干个电阻，来抑制因反馈产生的自谐振频率，可以增加谐振频率的损耗，提高频率响应。
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1.一种放大电路，其特征在于，包括：若干级级联的放大晶体管，每一放大晶体管包括漏极偏置电路和栅极偏置电路，所述漏极偏置电路包括串联于供电端和漏极之间的电感单元，所述栅极偏置电路包括串联于供电端和栅极之间的电感单元，至少一个电感单元包括绕线电感和与所述绕线电感局部并联的若干个电阻。
2.如权利要求1所述的放大电路，其特征在于，所有电感单元均包括绕线电感和与绕线电感局部并联的若干个电阻。
3.如权利要求1或2所述的放大电路，其特征在于，所述若干个电阻为两个。
4.如权利要求1或2所述的放大电路，其特征在于，所述若干个电阻并联于所述绕线电感的相邻匝线圈之间。
5.一种幅相多功能芯片，其特征在于，包括若干条幅相控制支路，每条幅相控制支路包括若干个如权利要求1~4中任一项所述的放大电路、若干个衰减器和移相器，若干个所述放大电路和若干个所述衰减器间隔地设置，第一级放大电路的输入端与所述幅相控制支路的输入端口连接，最后一级衰减器的输出端连接所述移相器的输入端，所述移相器的输出端与所述幅相控制支路的输出端口连接。
6.如权利要求5所述的
7.如权利要求5所述的幅相多功能芯片，其特征在于，所述幅相控制支路还包括射频开关，所述射频开关为单刀双掷开关，所述单刀双掷开关的输出端连接第一级放大电路的输入端，所述单刀双掷开关的第一输入端连接所述幅相控制支路的输入端口，所述单刀双掷开关的第二输入端连接一测试信号源，
8.如权利要求5~7中任一项所述的幅相多功能芯片，其特征在于，所述幅相控制支路还包括限幅单元，所述限幅单元连接至所述幅相控制支路的输入端口。
9.如权利要求6或7所述的幅相多功能芯片，其特征在于，所述幅相控制支路的至少一个衰减器为可调衰减器，所述移相器为可调移相器。
10.如权利要求9所述的幅相多功能芯片，其特征在于，所述射频开关、所述可调衰减器和所述可调移相器为数字电路，所述幅相控制支路的数字电路通过同一并行接口通信。
11.如权利要求10所述的幅相多功能芯片，其特征在于，所述放大电路为模拟电路，相邻的数字电路和模拟电路之间设置隔离通孔。
...【技术特征摘要】
1.一种放大电路，其特征在于，包括：若干级级联的放大晶体管，每一放大晶体管包括漏极偏置电路和栅极偏置电路，所述漏极偏置电路包括串联于供电端和漏极之间的电感单元，所述栅极偏置电路包括串联于供电端和栅极之间的电感单元，至少一个电感单元包括绕线电感和与所述绕线电感局部并联的若干个电阻。
2.如权利要求1所述的放大电路，其特征在于，所有电感单元均包括绕线电感和与绕线电感局部并联的若干个电阻。
3.如权利要求1或2所述的放大电路，其特征在于，所述若干个电阻为两个。
4.如权利要求1或2所述的放大电路，其特征在于，所述若干个电阻并联于所述绕线电感的相邻匝线圈之间。
5.一种幅相多功能芯片，其特征在于，包括若干条幅相控制支路，每条幅相控制支路包括若干个如权利要求1~4中任一项所述的放大电路、若干个衰减器和移相器，若干个所述放大电路和若干个所述衰减器间隔地设置，第一级放大电路的输入端与所述幅相控制支路的输入端口连接，最后一级衰减器的输出端连接所述移相器的输入端，所述移相器的输出端与所述幅相控制支路的输出端口连接。
6.如权利要求5所述的幅相多功能芯片，其特征在于，所述幅相控制支路还包括射频开关，...
【专利技术属性】
技术研发人员：李军野，沈健，邵智聪，姜鑫，
申请(专利权)人：南通米乐为微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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