本技术公开了一种大功率二极管芯片的切割装置，本技术涉及切割装置技术领域。该大功率二极管芯片的切割装置，通过设置存放仓、送料台和推板等，将二极管芯片堆叠放置在存放仓中，并利用驱动组件带动推板左右移动，可以将底部芯片推出，使得芯片在送料台上...

本技术公开了一种具有保护功能的二极管芯片上料装置，本技术涉及二极管芯片上料装置技术领域。该具有保护功能的二极管芯片上料装置，通过限位槽使防护托盘从限位板的上端滑动到送料台表面，并重复将防护托盘累加堆叠，通过控制电机带动丝杆转动，使滑块在...

本发明公开了链式紫外固化设备，包括底座、固化箱、遮光帘、滑槽、安装腔、输送组件、保护壳、挡棍、链轮、链条、放置座、偏移板、安装杆、第一弹簧、限位块、安装座、导向柱、回转组件、照射组件、锁定板和机械手，本发明相较于现有的固化设备，设计有回...

本实用新型涉及一种防止晶圆破裂的铂扩舟摆片支架，它包括底板、后板、前板、左侧板和右侧板，左侧板和右侧板分别设计成直角三角状板，左侧板和右侧板相互对称安装在底板上面，左侧板和右侧板的一个直角边连接底板上面，后板安装在底板上面且后板封堵在左...

本实用新型涉及扩散炉技术领域，尤其涉及一种增加扩散炉密闭性的通气结构。其技术方案包括：筒体、反应箱、固定座和散热组件，筒体内部的顶部安装有反应箱，反应箱的底部安装有单向管，单向管的底部安装有散热组件，散热组件内安装有导流罩，导流罩的内壁...

本实用新型涉及晶圆烧结技术领域，尤其涉及一种改善晶圆破片的镍烧结舟。其技术方案包括：镍舟体、均热板和盖板，镍舟体的外部两侧安装有两组均热板，均热板的外部等距安装有导热脊，且导热脊的内部设有散热孔，镍舟体的底部安装有底座，镍舟体的外部一侧...

本实用新型涉及一种改善破片率的刮刀，它包括上夹片、下夹片、扭簧和刮片，上夹片包括上横片、上竖片和两个侧耳，下夹片包括下横片、下竖片和两个侧耳，所述扭簧套装在转轴的外侧且扭簧的上下两端分别对应顶在上竖片的下面后端以及下竖片的上面后端；所述...

本实用新型涉及二极管加工技术领域，尤其涉及一种增加二极管玻璃浆搅拌均匀性的搅拌机。其技术方案包括：横板、电机和底座，底座顶部的一侧安装有支撑杆，支撑杆的顶部安装有顶板，横板的底部安装有电动推杆，横板的顶部安装有电机，电机的底部贯穿横板安...

本发明涉及一种简化制程的刀刮二极管芯片的制作方法，在底部进行磷源扩散制作N+，上部进行硼源扩散制作P+，N+底部及P+上部均设有镍/金金属层，芯片四周及边缘“鸟嘴”均包裹在玻璃钝化保护层内；其制作流程：基片清洗、磷扩散、一次吹砂清洗、硼...

本发明涉及半导体制造技术领域，提供一种半导体晶圆溢流超声清洗装置，包括清洗箱、超声器和底板，清洗箱的一侧贯穿有进水孔，清洗箱的一端贯穿有排水孔，清洗箱顶端的一侧设置有溢流排水口，清洗箱的内壁上涂覆有防腐层，清洗箱内部的底端安装有超声器，...

本发明涉及一种超强雪崩能力的整流二极管芯片的生产工艺，具体步骤如下，1）选料：原硅片采用（100）晶向硅单晶；2）清洗；3）一次扩散，将硼纸磷纸同时放在硅片两侧，同时进炉扩散形成P+和N+；4）电解技术，利用电解原理将硅片表面的硼硅玻璃...