本发明公开了一种用于BLE射频收发机的低噪声放大器(LNA)和压控振荡器(VCO)电流复用融合结构，涉及射频接收机电路技术领域。该电路将VCO模块与LNA模块通过电流复用架构进行垂直集成，具体包括：构成振荡器核心的压控VCO模块、实现电...

本发明涉及集成电路设计射频接收机领域，提出一种适用于低功耗高速率的FSK射频信号接收和解调电路。本发明涉及的FSK射频信号接收和解调电路包括射频天线、输入阻抗匹配网络、非线性混频器、RC低通滤波器、限幅放大器、频幅转换电路以及比较器；本...

本发明公开了一种数据检测型SRAM写辅助电路，包括写辅助控制模块和存储列模块；所述写辅助控制模块用于控制写操作过程中存储列模块的电源节点电压；所述存储列模块包括多个存储单元，用于存储数据；写辅助控制模块第一传输门的一个信号传输端连接存储...

本发明公开了一种温度自适应的SRAM睡眠模式供电电压控制电路，包括模式控制电路、参考电压产生电路、电压跟随电路、存储阵列供电电路和存储阵列；所述模式控制电路用于控制SRAM在工作模式、睡眠模式和关闭模式之间切换；所述参考电压产生电路用于...

本发明公开了消除集成电路天线效应的电路，包括第一电阻、第一开关、第二电阻、第二开关和第四电阻，第一开关和第二开关并联，且并联的一端通过第一电阻连接集成电路中待保护的MOS晶体管，并联的另一端接地，第二电阻串接在第一开关的控制端与第一电阻...

本发明公开了一种集成电路后端设计的内存管理方法，设置内存构架，将内存中用于数据读写的部分进行独立设计，将两块容量完全相同的集成电路集成在一起；进行内存切换，系统在刚启动时以通用模式启动，待运行一段时间，系统相关应用完全加载完成，由内存管...

本发明公开一种自适应的Cache访问电路，包括负载检测模块、访问模式切换电路和两路组关联Cache；所述负载检测模块用于监测CPU负载模块；所述访问模式切换电路用于切换Cache的访问模式；每一路组关联Cache包括一片TAG SRAM...

本发明公开了一种支持多模式切换的堆叠SRAM电路及其控制方法，包含支持电压堆叠的双电源SRAM、低功耗模式切换控制电路和SRAM堆叠判决电路；支持电压堆叠的双电源SRAM实现内部存储单元堆叠，供电电压在多个堆叠阵列上等比例分配的效果；低...

本发明公开了一种高性能SRAM数据读出电路，包含未知锁存数据的存储阵列，已知锁存数据的存储单元和不对称灵敏放大器。当存储阵列中锁存的数据与已知锁存数据的存储单元中锁存数据不同时，两根位线同时放电，其电压差很小，利用不对称灵敏放大器的失调...

本发明公开了一种降低SRAM睡眠状态漏电的电路，包含PVT追踪模块和阵列刷新模块；PVT追踪模块，用于追踪温度变化和全局工艺偏差，输出一个参考电压值；阵列刷新模块，用于根据PVT追踪电路的输出参考电压值，动态调节SRAM存储阵列的供电电...

本发明公开了一种基于KO‑8算法的高性能模乘器，包括利用KO‑8算法计算输入a、b的乘积T；其中，T_l为T的低256bit；计算T_l、invp的乘积m，改进KO‑8算法仅计算m的低256位m_l；利用KO‑8算法计算m_l、p的乘积...

本发明公开了一种基于延迟单元的温度传感器，包括感温模块和量化模块，感温模块输入脉冲信号，一路输出直接信号，另一路经多级延迟单元输出延迟信号；量化模块包括多级量化单元和加法器，量化模块一端输入直接信号，另一端输入延迟信号，输出数字温度信号...

本发明公开了一种基于频率补偿的GNSS信号跟踪环路失锁检测方法，包括如下步骤：对下变频、剥离伪码、积分清除后的I路和Q路信号进行多路频率补偿；然后进行固定时间的相干积分和非相干积分，将非相干积分结果最大值作为信号值；进行抛物线插值频率鉴...

本发明公开了一种自激注入晶体振荡器，由启动电路和稳态电路组成。在启动模式下，电源通过开关与晶体振荡器相连，对石英晶体产生激励，从而产生振荡电流。比较器检测振荡电流过零点，并由数字控制模块切换开关的状态。振荡电流的幅度逐渐增大并作为晶振的...

本发明公开了一种基于寄存器随机分组的抗功耗攻击方法，将运行加密算法写入寄存器的过程分为两次，根据随机数选择不同位置混合随机数分两次写入；其次根据另一个随机数选择是否将本次写入寄存器的操作改为前述的操作；结合寄存器随机分组与随机预充电方案...

本发明公开了一种基于比特置换的循环移位和固定置换表的抗功耗攻击方法，输入明文，当一轮计算完成后，则将中间值进行比特置换后存入寄存器；在下一轮计算开始前，进行比特置换恢复操作，使中间值恢复原有的顺序，进行后续的计算。比特置换包括循环移位方...

本发明公开了一种基于异步反馈单元的熵源及反馈系数计算方法，包括多个异步反馈单元，在保证熵源输出随机性的条件下极大地降低了硬件开销和抖动反馈延时，该异步反馈单元单元能够成为熵源通用结构单元。每个异步反馈单元之间连接由反馈系数控制，提出了相...

本发明公开了一种基于随机模型和在线监测的TRNG评估方法，包括步骤：(1)利用模拟噪声源生成独立、均匀分布且不可预测的二进制随机序列；(2)构建随机模型，估计TRNG每位输出比特的最小香农熵值；对TRNG随机性进行形式安全评估；(3)持...

本发明公开了一种面向自动驾驶智能处理器的高带宽低功耗SRAM结构，其存储阵列列数、写驱动模块中的写驱动单元数量、读驱动模块中的读驱动单元数量和输入输出模块中的输入输出单元数量均相等。本发明通过实现存储阵列列数与SRAM输入输出位宽相等，...

本发明公开了一种用于降低SRAM存储阵列漏电流的电路及控制方法，包括存储阵列电源电压控制模块、存储阵列地端电压控制模块和存储阵列；通过存储阵列电源电压控制模块和存储阵列地端控制模块实现存储阵列电源端和地端电压的控制，可降低存储单元实际数...