本发明公开了一种控温组件、离散热源对流控制装置及控制方法，其中控温组件包括控温板、保温板及多个导热柱，多个导热柱均连接于控温板并在控温板上离散分布，导热柱穿设于保温板，导热柱远离控温板的一端与保温板远离控温板的表面平齐。控温板的热量或冷...

本发明提供一种具有拓扑图案表面的羟基磷灰石薄膜及其制备和高通量筛选方法，属于生物医用材料制备技术领域，所述制备方法包括如下步骤：(1)对基底进行预处理；(2)在基底上涂覆光刻胶，使用光刻法在光刻胶上制备拓扑图案；(3)使用电感耦合等离子...

本发明提供了一种吡嗪稠和噻吩酰亚胺基n型聚合物半导体材料及其制备方法与应用，其中，吡嗪稠和噻吩酰亚胺基n型聚合物半导体材料的化学结构通式为：其中，R为C1

本申请公开了一种热电材料器件的测试设备，该测试设备包括测试基体、门体结构和至少两个测试台装置，测试基体具有测试内腔，测试内腔的一侧具有开口，门体结构连接于测试基体。测试台装置包括测试基座、控温元件、支撑结构、活动块和第一驱动组件。控温元...

本发明涉及一种锡化羟基磷灰石复合材料的制备方法及其应用，其制备方法采用离子交换法合成的以羟基磷灰石为载体，进行二价锡负载，经过搅拌、洗涤、干燥、冷却后得一种锡化羟基磷灰石复合材料。本发明制备的锡化羟基磷灰石复合材料，能将高毒性的六价铬还...

本申请提供原位SiN冒层GaN基异质结构器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，该器件的原位SiN冒层的刻蚀方法先使用碳氟化合物等离子体对原位SiN冒层进行改性，再使用Ar等离子体轰击去除，通过两步连续循环原子层刻蚀工艺精确控制刻蚀深度，...

本发明提供一种批量转移微纳米结构的方法，包括如下步骤：S1：在暂存基板上形成图案化的开孔；S2：在暂存基板的开孔内形成氧化锌微纳米结构；S3：在暂存基板上旋涂覆盖氧化锌微纳米结构的第一高分子溶液涂层；S4：在待转移的目标柔性基底上同样旋...

本发明提供一种表面图案化方法，包括如下步骤：S1：对暂存基板进行表面化处理，使得暂存基板的表面具有一层疏水层；S2：在一目标基底上旋涂一层第一高分子涂层；S3：在暂存基板同样旋涂一层第二高分子涂层；S4：目标基底与暂存基板结合，同时施加...

本发明涉及一种碳化硅纳米多孔刻蚀方法及刻蚀装置，属于半导体加工技术领域。本发明的刻蚀方式，包括如下步骤：通过工具电极产生的电解等离子体，在电解液中刻蚀碳化硅；所述工具电极与脉冲电场之间电连接；刻蚀完成后，碳化硅表面形成纳米多孔层。本发明...

本发明公开了一种金纳米簇及其制备方法与应用。所述金纳米簇上修饰有配体，所述配体包括含巯基的负电配体和含巯基的两性离子配体。本发明中的金纳米簇，通过调控金纳米簇表面配体的种类，从而使其达到在淋巴结被动累积的效果，借助其本身的近红外荧光实现...

一种反钙钛矿电解质薄膜、全固态薄膜钠电池及制备方法，属于储能技术领域。利用磁控共溅射轰击NaB靶材和Na2AO4靶材，原位反应合成结晶性良好、膜层易于控制的反钙钛矿结构的Na3AO4B电解质薄膜。利用上述反钙钛矿结构的Na3AO4B电解...

本申请属于储能技术领域，尤其涉及一种电燃料储能系统，电燃料储能系统包括储液罐，用于储存电燃料；供能装置，连接于所述储液罐且用于为所述储液罐中的电燃料充电；循环流动装置，连接于所述储液罐且用于循环所述储液罐中的电燃料。本申请提供的电燃料储...

本申请适用于天线技术领域，提供了一种漏波天线、天线系统，所述漏波天线包括介质基板、第一天线阵列、第二天线阵列、馈入点，其中第一天线阵列由多个第一天线单元串联组成，第二天线阵列由多个第二天线单元串联组成，且第一天线单元和第二天线单元均呈中...

本发明提出了一种间歇式微波加热辅助开采天然气水合物的方法，属于天然气水合物开采领域，该方法在对水合物进行开采时施加f1频率的微波热激作用；实时检测开采井井下微波发射天线处的水饱和度，当检测到水饱和度达到Sw

本申请公开了一种富集装置，包括水样存储器、水样回收器、富集器以及排水管；水样存储器设置有进水口，进水口用于输入水样；水样回收器用于回收水样；富集器填充有富集介质，富集介质用于对水样中的元素进行富集；富集器的输入端分别连通水样存储器的输出...

本发明公开了一种成分可控的高质量铂钯铋金属间化合物及其制备方法，所述铂钯铋金属间化合物的结构式为Pt1‑

本发明提供一种成像设备及成像方法，属于水合物微观表征技术领域。成像设备包括气体注入组件、控温装置、反应釜、拉曼光谱测试组件；气体注入组件包括储气瓶和调压阀，储气瓶通过管线与反应釜连通，调压阀设置在储气瓶和反应釜之间，以调节反应釜的内部压...

本申请涉及高压产生及加载领域，涉及一种应用于中子散射和成像实验的高压实验装置。压机内核呈圆柱状，沿轴线方向，包括依次叠套设置的：第一支撑座、底托、第一压砧底座固定套、加压部件、第二压砧底座固定套、顶座和第二支撑座；底托上设置有中子光源的...

本申请提供了一种增强型晶体管制造方法及一种增强型晶体管，涉及半导体器件领域。增强型晶体管制造方法包括：提供外延片，所述外延片上形成有源漏电极，且所述外延片具有一栅极待沉积区域；在所述栅极待沉积区域沉积铜氧化物膜；在所述铜氧化物膜的表面沉...

本申请涉及一种投影交互方法和系统，所述方法包括：获取目标投影图像的投影画面序列后；对目标投影图像划分为各子区域；对各子区域的位置坐标分别编码，获得各子区域的位置坐标的编码序列，并将子区域的编码序列与子区域的投影画面序列对应；在将各投影画...